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公开(公告)号：CN1825493A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610002287.7
申请日：2006-01-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 铃木利一
CPC classification number: G11C7/24 , G06F11/1044
Abstract: 本发明提供一种存储电路，防止存取时间变长，且使软件错误的发生频率在实际使用上降得充分低。本发明的存储电路，包括：收存数据和为对上述数据进行纠错的冗长数据的数据收纳部；在没有从外部接受到输出入数据的存取命令时，对上述数据收纳部的数据，用上述冗长数据，至少进行错误检测，还至少将得到的结果作为错误检测信号输出的纠错部。当接到输出收存的数据的存取命令时，被指定的数据不经过上述纠错部的处理直接被输出外部。
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公开(公告)号：CN102057437A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201080001799.6
申请日：2010-02-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/417 , G11C11/4074 , G11C11/41 , G11C11/418 , H01L21/8244 , H01L27/11 , H03K19/0185
CPC classification number: G11C7/12 , G11C11/413 , G11C2207/002 , H01L27/0207 , H01L27/1104
Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，具备：被配置在字线与位线的交点的存储器单元(100)、与位线连接的预充电电路(101)、由写入控制信号控制的列选择电路(102)、和作为写入电路而设置的箝位电路(103A)。箝位电路(103A)具有：将被选择的位线的电位控制在第一电位(例如0V)的晶体管(QN17)、和将该被选择的位线的电位控制在比第一电位低的第二电位(例如负电位)的可变电容元件(C11)。由于采用了可变电容元件(C11)，所以在电源电压变高的情况下，基于元件电容减少，来抑制从第一电位向第二电位的下降量。
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公开(公告)号：CN1988038B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200610172362.4
申请日：2006-12-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/419 , G11C11/413
CPC classification number: G11C5/14 , G11C11/412
Abstract: 一种半导体存储装置，具有：配置成矩阵状的字线和位线；和配置在所述字线与位线的交差点的多个存储单元，设置对供给到配置在同一所述位线上的存储单元的低数据保持电源的电位进行控制的位线预充电电路。并且，在写入动作时，通过位线预充电电路，将选择的位线所对应的存储单元的低数据保持电源的电位，控制为比非选择的位线所对应的存储单元的低数据保持电源高的电位。
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公开(公告)号：CN1988038A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610172362.4
申请日：2006-12-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/419 , G11C11/413
CPC classification number: G11C5/14 , G11C11/412
Abstract: 一种半导体存储装置，具有：配置成矩阵状的字线和位线；和配置在所述字线与位线的交差点的多个存储单元，设置对供给到配置在同一所述位线上的存储单元的低数据保持电源的电位进行控制的位线预充电电路。并且，在写入动作时，通过位线预充电电路，将选择的位线所对应的存储单元的低数据保持电源的电位，控制为比非选择的位线所对应的存储单元的低数据保持电源高的电位。
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公开(公告)号：CN101388244B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200810135868.7
申请日：2008-07-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 铃木利一
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/412 , G11C11/413
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路，其在写入时，通过被选择的写入字线驱动器驱动对应的写入字线，使得对应的写入字线的电位，在写入周期开始后的规定期间即第1期间，比所述第1期间后的规定期间即第2期间低，并且，通过各个读出放大器(120)，在所述第1期间中，放大对应的写位线的电位。由此，在具有如SRAM的触发器型存储单元的半导体集成电路中，可以避免写入周期时的非选择存储单元的数据破坏，并且缩短周期时间并降低消耗功率，进而抑制面积增大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1523608B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200410001983.7
申请日：2004-01-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C11/413 , G11C7/00
CPC classification number: G11C7/227 , G11C7/1045 , G11C7/22 , G11C2207/2281
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件，其中设有：包含多个复制单元(RMC)的复制电路，该复制单元具有与存储阵列内的存储单元相同的元件，将对应于级数的信号输出至共用的复制位线；读出放大器控制电路，接收复制位线的信号，对启动读出放大器电路的信号SAE的时序进行控制。复制电路包含开关电路(SW)，该开关电路以可编程方式切换多个复制单元之中激活的复制单元的级数。
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公开(公告)号：CN101388244A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810135868.7
申请日：2008-07-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 铃木利一
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/412 , G11C11/413
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路，其在写入时，通过被选择的写入字线驱动器驱动对应的写入字线，使得对应的写入字线的电位，在写入周期开始后的规定期间即第1期间，比所述第1期间后的规定期间即第2期间低，并且，通过各个读出放大器(120)，在所述第1期间中，放大对应的写位线的电位。由此，在具有如SRAM的触发器型存储单元的半导体集成电路中，可以避免写入周期时的非选择存储单元的数据破坏，并且缩短周期时间并降低消耗功率，进而抑制面积增大。
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公开(公告)号：CN1523608A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200410001983.7
申请日：2004-01-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C11/413 , G11C7/00
CPC classification number: G11C7/227 , G11C7/1045 , G11C7/22 , G11C2207/2281
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件，其中设有：包含多个复制单元(RMC)的复制电路，该复制单元具有与存储阵列内的存储单元相同的元件，将对应于级数的信号输出至共用的复制位线；读出放大器控制电路，接收复制位线的信号，对启动读出放大器电路的信号SAE的时序进行控制。复制电路包含开关电路(SW)，该开关电路以可编程方式切换多个复制单元之中激活的复制单元的级数。
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公开(公告)号：CN102057437B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201080001799.6
申请日：2010-02-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/417 , G11C11/4074 , G11C11/41 , G11C11/418 , H01L21/8244 , H01L27/11 , H03K19/0185
CPC classification number: G11C7/12 , G11C11/413 , G11C2207/002 , H01L27/0207 , H01L27/1104
Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，具备：被配置在字线与位线的交点的存储器单元(100)、与位线连接的预充电电路(101)、由写入控制信号控制的列选择电路(102)、和作为写入电路而设置的箝位电路(103A)。箝位电路(103A)具有：将被选择的位线的电位控制在第一电位(例如0V)的晶体管(QN17)、和将该被选择的位线的电位控制在比第一电位低的第二电位(例如负电位)的可变电容元件(C11)。由于采用了可变电容元件(C11)，所以在电源电压变高的情况下，基于元件电容减少，来抑制从第一电位向第二电位的下降量。
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公开(公告)号：CN101123112A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710141397.6
申请日：2007-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明公开了半导体存储装置。目的在于：能够很容易对存储单元进行写入，且缩短循环时间。一种半导体存储装置，具有多个存储单元，各存储单元具有连接在构成与该存储单元相对应的高数据保持电源布线对的高数据保持电源布线中的一条上的第一反相器；和连接在构成上述高数据保持电源布线对的高数据保持电源布线的另一条上，输入及输出分别连接在上述第一反相器的输出及输入上的第二反相器。被选择的高数据保持电源电路，不通过构成上述多组位线对的位线的任意一条来接收与输入数据信号和地址信号相应的信号，将连接在该高数据保持电源电路上的高数据保持电源布线驱动为与所接收到的信号相应的电位。
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