公开(公告)号：CN101185211A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200680018439.0

申请日：2006-12-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村泽智 ,  高山彻 ,  中山久志 ,  藤本康弘 ,  木户口勋

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/227 ,  H01S5/343 ,  G11B7/125

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  G11B7/127 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3436 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置及其制造方法。在将红外线激光部(100)和红色激光部(130)装载在同一n型GaAs基板(101)上的单片两波长激光装置中，红外线激光部(100)的p型第一覆盖层(105)和红色激光部(130)的p型第一覆盖层(135)由同一材料构成且彼此具有不同的杂质浓度。

公开(公告)号：CN101047301A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710088516.6

申请日：2007-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤本康弘 ,  高山彻 ,  村泽智 ,  中山久志 ,  木户口勋

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/2231 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34326 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光元件及其制造方法。半导体激光元件，在半导体衬底(101)上具有从距半导体衬底(101)较近的一侧依次层叠第一包覆层(103)、活性层(104)及第二包覆层(105)而成的叠层结构。第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，对半导体衬底(101)具有压缩应变，并且第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，包含对半导体衬底(101)具有拉伸应变的半导体层(106)。因此，能够提供一种具有能够提高元件可靠性的结构的半导体激光元件。

公开(公告)号：CN101047301B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200710088516.6

申请日：2007-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤本康弘 ,  高山彻 ,  村泽智 ,  中山久志 ,  木户口勋

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/2231 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34326 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光元件及其制造方法。半导体激光元件，在半导体衬底(101)上具有从距半导体衬底(101)较近的一侧依次层叠第一包覆层(103)、活性层(104)及第二包覆层(105)而成的叠层结构。第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，对半导体衬底(101)具有压缩应变，并且第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，包含对半导体衬底(101)具有拉伸应变的半导体层(106)。因此，能够提供一种具有能够提高元件可靠性的结构的半导体激光元件。

公开(公告)号：CN1992454A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610110844.7

申请日：2006-08-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高山彻 ,  村泽智 ,  藤本康弘 ,  中山久志 ,  木户口勋

IPC: H01S3/22 ,  H01S5/227 ,  H01S5/343 ,  H01S5/40 ,  H01S5/026 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明公开了半导体激光装置及其制造方法。目的在于：能够在形成在同一衬底上的多波长半导体激光装置中，再现性良好地获得可高温动作且具有低噪音特性的自振动型激光。在红外激光区域中，在衬底10上依次叠层有下侧覆盖层12、活性层13、第一上侧覆盖层14、蚀刻停止层15、以及成为脊部的第二上侧覆盖层16。在红色激光区域中，在衬底10上依次叠层有下侧覆盖层22、活性层23、第一上侧覆盖层24、蚀刻停止层25、以及成为脊部的第二上侧覆盖层26。红外激光的蚀刻停止层15的厚度与红色激光的蚀刻停止层25的厚度不同。

公开(公告)号：CN1581526A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410056355.9

申请日：2004-08-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中山久志 ,  上田哲三 ,  油利正昭 ,  泷泽俊幸

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/09 ,  H01S5/00 ,  H01L29/778 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L33/08

Abstract: 一种半导体装置，具有形成在蓝宝石基板(101)上的由第1半导体层构成的有源层(活性层)(105)，在有源层(活性层)(105)上，形成由氧化层构成的第1氧化区域。根据本发明的半导体装置，可以提高半导体装置的元件特性。