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发明公开
半导体器件和其制造方法无效

公开(公告)号：CN1855536A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610075149.1

申请日：2006-04-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 按田义治 , 田村彰良 , 西辻充

IPC: H01L29/772 , H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7784 , H01L21/28575 , H01L21/28587 , H01L29/66462

Abstract: 本发明的场效应晶体管，具备：沟道层，形成在半绝缘性衬底上；肖特基层，形成在沟道层上；栅电极，形成在肖特基层上；欧姆接触层，形成在肖特基层上，在中间夹着栅电极，由InGaAs形成；以及源电极和漏电极，形成在欧姆接触层上；源电极、漏电极和栅电极，形成对应的层由相同材料构成的层积结构，最下层为WSi层，在最下层的上层具有包含Al的层。由此，提供具有与过去相同程度的电极阻抗，可以降低场效应晶体管的制造成本的场效应晶体管及其制造方法。

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