公开(公告)号：CN100468774C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200580033111.1

申请日：2005-09-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 沟口修二 ,  角田一晃

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/088 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

Abstract: 半导体衬底上形成了沟槽，沟槽具有为电连接设置了栅极电极的栅极电极部、栅极电极、和外部的布线的栅极引出部。在为将栅极电极与外部电连接的栅极引出部上，沟槽的终端部的宽度，形成的部沟槽的其他部分宽。

公开(公告)号：CN101032030A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200580033111.1

申请日：2005-09-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 沟口修二 ,  角田一晃

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/088 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

Abstract: 半导体衬底上形成了沟槽，沟槽具有为电连接设置了栅极电极的栅极电极部、栅极电极、和外部的布线的栅极引出部。在为将栅极电极与外部电连接的栅极引出部上，沟槽的终端部的宽度，形成的部沟槽的其他部分宽。

公开(公告)号：CN1812127A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510129535.X

申请日：2005-12-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 沟口修二 ,  角田一晃

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7808

Abstract: 本发明公开了一种纵型栅极半导体装置及其制造方法。目的在于：提供一种在不增大源极区域的接触电阻的情况下，可谋求小型化的纵型栅极半导体装置及其制造方法。发挥晶体管作用的第1区域11，具有：漏极区域111、形成在漏极区域111上侧的体区域112、形成在体区域112上侧的源极区域113A、和形成在体区域112中且被埋入了栅极电极120的沟渠。在延在于第2区域12的体区域112的上侧形成有源极区域113B。构成沟渠的上缘部的源极区域113A、113B形成为带圆弧状的形状。