公开(公告)号：CN1617348A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410088344.9

申请日：2004-11-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 铃木政胜

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627

Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置及其制造方法，用来对入射到受光部的全部波长范围的可见光有效抑制入射光的反射，并且输出图像画面质量良好，灵敏度高。具备：光学部件，用来将入射光分离成多种颜色的成分；多个受光部，形成于半导体基片内，用来将通过上述光学部件所分离出每种颜色的光分别转换成电荷；反射防止膜，分别形成于各受光部的上方，至少具有2种膜厚中的任一种膜厚，用来减少各受光部表面上的光的反射。

公开(公告)号：CN101034714A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710085717.0

申请日：2007-03-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平井纯 ,  铃木政胜 ,  村上一朗 ,  广藤裕一

IPC: H01L27/148 ,  H01L21/822 ,  H01L31/08 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14843 ,  H01L27/1485 ,  H01L27/14887 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/12 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种光探测装置，包括：半导体衬底(101)，其由作为基底材料的硅构成并包含预定浓度的碳；和外延层(102)，其形成在半导体衬底(101)上并由作为基底材料的硅构成，该外延层(102)包括远离半导体衬底(101)预定距离的光探测单元(主要是104)，其中半导体衬底(101)使用晶体生长方法由通过熔化包含硅的材料和包含碳的材料获得的熔化物形成，因此碳以预定浓度包含在半导体衬底(101)中。

公开(公告)号：CN1812114A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510134139.6

申请日：2005-12-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 铃木政胜

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0288 ,  H01L21/822 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0288 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14812 ,  H01L27/14843 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种固态成像装置包括具有光电检测器部分(15)的半导体衬底(1)。光电检测器部分(15)包括形成在半导体衬底(1)中的p型第一杂质区(表面反型层)(6)和形成在表面反型层(6)下面的n型第二杂质区(光电转换区)(4)。通过将n型杂质引入到半导体衬底(1)中形成光电转换区(4)。通过将铟引入到形成光电转换区(4)的半导体衬底(1)的区域中形成表面反型层(6)。

公开(公告)号：CN1728398A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510087952.2

申请日：2005-07-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 铃木政胜 ,  吉田贡

IPC: H01L27/148 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/0352

Abstract: 一种固态图像传感器的制造方法包括以下步骤：在半导体衬底中形成用于光电转换的光电检测器部分；以及形成用于转移从光电检测器部分读出的信号电荷的移位寄存器，在用于形成构成移位寄存器的掩埋沟道区的离子注入之后进行退火。可以提供一种固态图像传感器的制造方法，避免在移位寄存器和光电检测器部分中形成晶体缺陷，实现优异的输出图像质量和大饱和电荷。