公开(公告)号：CN103314652A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201380000514.0

申请日：2013-01-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柏木隆文 ,  镰田英里 ,  奥岛芳树 ,  新见秀树 ,  岩泽绫子 ,  中村祯志

IPC: H05K3/46 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C13/00 ,  C22C30/02 ,  C22C30/04 ,  H05K1/09 ,  H05K1/11 ,  H05K3/40 ,  B22F1/00 ,  B23K35/26 ,  C22C12/00

CPC classification number: H05K1/092 ,  B22F1/0074 ,  B23K35/262 ,  C22C1/0425 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C12/00 ,  C22C30/02 ,  C22C30/04 ,  H05K1/095 ,  H05K1/115 ,  H05K3/0094 ,  H05K3/4069 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/0272 ,  H05K2203/0425 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本发明提供一种配线基板及其制造方法，所述配线基板具有绝缘树脂层、多个配线和通孔导体。配线经由绝缘树脂层配设且由铜箔形成。通孔导体以贯通绝缘树脂层的方式设置，且将多个配线电连接。通孔导体具有树脂部分和含有铜、锡及铋的金属部分。金属部分包括：包含铜微粒子的结合体的第一金属区域；以锡、锡-铜合金、锡与铜的金属间化合物中的至少任一个为主成分的第二金属区域；以铋为主成分的第三金属区域。金属部分中的铜、锡、铋的重量组成比在三元相图中位于规定的区域。铜箔的与通孔导体相接的表面是粗糙度曲线的偏度为0以下的粗糙面。并且，铜微粒子的一部分与铜箔的粗糙面进行面接触，且第二金属区域的至少一部分形成在结合体的表面和铜箔的粗糙面上。