公开(公告)号：CN1205666C

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN01136837.3

申请日：2001-10-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岸田刚信 ,  原田刚史 ,  樋野村彻 ,  阿部弘光 ,  佐竹光成 ,  国光健一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在半导体衬底10上形成下层金属布线，在该金属布线上淀积有层间绝缘膜15。在形成于层间绝缘膜15上的磨耗空穴17中，填入由钛膜18、氮化钛膜19以及钨膜20所构成的插件21。钨膜20的结晶面在(110)面上取向。能精确地检测出对第2金属膜实施的CMP工序的终点。

公开(公告)号：CN1351369A

公开(公告)日：2002-05-29

申请号：CN01136837.3

申请日：2001-10-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岸田刚信 ,  原田刚史 ,  樋野村彻 ,  阿部弘光 ,  佐竹光成 ,  国光健一

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法,在半导体衬底10上形成下层金属布线,在该金属布线上淀积有层间绝缘膜15。在形成于层间绝缘膜15上的磨耗空穴17中,填入由钛膜18、氮化钛膜19以及钨膜20所构成的插件21。钨膜20的结晶面在(110)面上取向。能精确地检测出对第2金属膜实施的CMP工序的终点。