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公开(公告)号：CN1574283A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410047963.3
申请日：2004-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/3213 , H01L21/304 , B24B7/22
CPC classification number: H01L21/7684 , C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明公开了一种掩埋布线的形成方法及半导体器件，提供一种抑制发生布线不良、能够形成可靠性高的铜布线的掩埋布线的形成方法以及利用该形成方法而制造的半导体器件。在形成了沟槽的绝缘膜(10)上依次淀积氮化钽膜(11)、铜膜(12)，再利用对铜的研磨速率远远大于对氮化钽的研磨速率且含有足够的铜保护膜形成剂的浆液进行第一化学机械研磨。于是，沟槽内的铜膜的上面位置便与氮化钽膜的上面位置一样高。接着，再在对铜的研磨速率大于或等于对氮化钽的研磨速率的条件下进行第二化学机械研磨而形成铜布线(13)。通过根据铜膜的上面位置适当地改变第二化学机械研磨的条件，第二化学机械研磨后的铜膜的上面位置便与绝缘膜的上面位置一样高或者比它低，从而能减少布线不良的产生。
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公开(公告)号：CN1577758A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410059216.1
申请日：2004-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , B24B37/04 , B24B1/00
CPC classification number: B24B37/205 , B24B21/04 , B24B37/013 , B24B53/017
Abstract: 本发明提供一种不引起损伤或破损的研磨半导体晶片的研磨方法、研磨垫及研磨装置，所述研磨装置，具有悬挂在旋转轴平行配置的2个辊(1)上的带状的定盘(2)、粘贴在定盘(2)上的多枚片状的研磨垫(3)、使研磨垫(3)活性化的修整器(7)，在研磨垫(3)的上端部中，与相邻的研磨垫对置的部分的角度成钝角。由此，由于研磨垫(3)不卡住修整器(7)，所以能够抑制研磨垫(3)产生损伤，能够无损伤地研磨半导体晶片。
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公开(公告)号：CN1205666C
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN01136837.3
申请日：2001-10-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/285 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/7684 , H01L21/76846 , H01L21/7685 , H01L21/76862 , H01L21/76876 , H01L21/76877
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在半导体衬底10上形成下层金属布线，在该金属布线上淀积有层间绝缘膜15。在形成于层间绝缘膜15上的磨耗空穴17中，填入由钛膜18、氮化钛膜19以及钨膜20所构成的插件21。钨膜20的结晶面在(110)面上取向。能精确地检测出对第2金属膜实施的CMP工序的终点。
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公开(公告)号：CN1351369A
公开(公告)日：2002-05-29
申请号：CN01136837.3
申请日：2001-10-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/7684 , H01L21/76846 , H01L21/7685 , H01L21/76862 , H01L21/76876 , H01L21/76877
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法,在半导体衬底10上形成下层金属布线,在该金属布线上淀积有层间绝缘膜15。在形成于层间绝缘膜15上的磨耗空穴17中,填入由钛膜18、氮化钛膜19以及钨膜20所构成的插件21。钨膜20的结晶面在(110)面上取向。能精确地检测出对第2金属膜实施的CMP工序的终点。
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