公开(公告)号：CN101399254B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200810166300.1

申请日：2008-09-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥昌男 ,  竹村康司 ,  阪下俊彦 ,  三村忠昭

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/50

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，不减少每单位面积可配置的电极焊盘的数目，抑制通过探针检查发生的裂缝的影响，并提高可靠性。该半导体装置中，在电极焊盘(21)内设置探针可接触的探针区域(32)和非探针区域(31)。在以2列以上的锯齿状来配置的电极焊盘(21)中，不在探针区域(32)的正下方而是在非探针区域(31)的正下方配置连接不同的电极焊盘(21)和内部电路的引出布线(52)。

公开(公告)号：CN101399254A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810166300.1

申请日：2008-09-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥昌男 ,  竹村康司 ,  阪下俊彦 ,  三村忠昭

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/50

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，不减少每单位面积可配置的电极焊盘的数目，抑制通过探针检查发生的裂缝的影响，并提高可靠性。该半导体装置中，在电极焊盘(21)内设置探针可接触的探针区域(32)和非探针区域(31)。在以2列以上的锯齿状来配置的电极焊盘(21)中，不在探针区域(32)的正下方而是在非探针区域(31)的正下方配置连接不同的电极焊盘(21)和内部电路的引出布线(52)。

公开(公告)号：CN1776898A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510125011.3

申请日：2005-11-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥昌男 ,  中田义朗 ,  三村忠昭 ,  阪下俊彦 ,  福田敏行

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R31/2891 ,  G01R31/2855 ,  G01R31/2884 ,  H01L2224/06 ,  H01L2224/0603

Abstract: 在晶片状态下进行半导体元件的老化检查，且防止电极端的下层电路和周边的上层非导体层的破坏，形成在半导体晶片上的位置对准图形具有检测部电极端与导通部电极端，检测部电极端设置间隔并包围导通部电极端的周围且构成一部分被开放的形状。

公开(公告)号：CN100461381C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200510125011.3

申请日：2005-11-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥昌男 ,  中田义朗 ,  三村忠昭 ,  阪下俊彦 ,  福田敏行

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R31/2891 ,  G01R31/2855 ,  G01R31/2884 ,  H01L2224/06 ,  H01L2224/0603

Abstract: 在晶片状态下进行半导体元件的老化检查，且防止电极端子的下层电路和周边的上层非导体层的破坏，形成在半导体晶片上的位置对准图形具有检测部电极端子与导通部电极端子，检测部电极端子设置间隔并包围导通部电极端子的周围且构成一部分被开放的形状。