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公开(公告)号：CN101399254B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200810166300.1
申请日：2008-09-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L23/50
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，不减少每单位面积可配置的电极焊盘的数目，抑制通过探针检查发生的裂缝的影响，并提高可靠性。该半导体装置中，在电极焊盘(21)内设置探针可接触的探针区域(32)和非探针区域(31)。在以2列以上的锯齿状来配置的电极焊盘(21)中，不在探针区域(32)的正下方而是在非探针区域(31)的正下方配置连接不同的电极焊盘(21)和内部电路的引出布线(52)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100461381C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200510125011.3
申请日：2005-11-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01R31/2891 , G01R31/2855 , G01R31/2884 , H01L2224/06 , H01L2224/0603
Abstract: 在晶片状态下进行半导体元件的老化检查，且防止电极端子的下层电路和周边的上层非导体层的破坏，形成在半导体晶片上的位置对准图形具有检测部电极端子与导通部电极端子，检测部电极端子设置间隔并包围导通部电极端子的周围且构成一部分被开放的形状。
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公开(公告)号：CN100517672C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200610095646.8
申请日：2006-06-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/485
Abstract: 本发明揭示一种半导体器件，用沿着探针的前进方向平行并排的多个细金属层，形成焊盘金属(22)的至少探针区域(23)的正下方部分，从而不会导致工艺和芯片尺寸增大，能够提高焊盘金属(22)的表面平整度，防止半导体器件的特性恶化。
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公开(公告)号：CN101399254A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810166300.1
申请日：2008-09-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L23/50
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，不减少每单位面积可配置的电极焊盘的数目，抑制通过探针检查发生的裂缝的影响，并提高可靠性。该半导体装置中，在电极焊盘(21)内设置探针可接触的探针区域(32)和非探针区域(31)。在以2列以上的锯齿状来配置的电极焊盘(21)中，不在探针区域(32)的正下方而是在非探针区域(31)的正下方配置连接不同的电极焊盘(21)和内部电路的引出布线(52)。
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公开(公告)号：CN1913140A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610095646.8
申请日：2006-06-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/485
Abstract: 本发明揭示一种半导体器件，用沿着探针的前进方向平行并排的多个细金属层，形成焊盘金属(22)的至少探针区域(23)的正下方部分，从而不会导致工艺和芯片尺寸增大，能够提高焊盘金属(22)的表面平整度，防止半导体器件的特性恶化。
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公开(公告)号：CN1776898A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510125011.3
申请日：2005-11-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01R31/2891 , G01R31/2855 , G01R31/2884 , H01L2224/06 , H01L2224/0603
Abstract: 在晶片状态下进行半导体元件的老化检查，且防止电极端的下层电路和周边的上层非导体层的破坏，形成在半导体晶片上的位置对准图形具有检测部电极端与导通部电极端，检测部电极端设置间隔并包围导通部电极端的周围且构成一部分被开放的形状。
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