公开(公告)号：CN101151702B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680010656.5

申请日：2006-04-04

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  黑崎播磨株式会社

Inventor： 有田洁 ,  中川显 ,  久我浩司 ,  俣野泰司 ,  佐藤信博

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244

Abstract: 在等离子体处理设备中，在下电极(3)和上电极(4)之间的等离子体发生空间(A)中产生等离子体，使得在下电极(3)上安装的处理对象(W)受到等离子体处理，多个剪切部分(S)用于吸收由于等离子体处理时的迅速温升导致的热膨胀引起的应力，并以等间距形成在上电极(4)所包括的气体喷头盘(43)的外边缘部分中。因此，可以防止气体喷头盘免于由于在所述气体喷头盘等的外部边缘部分中出现裂缝引起的损坏。

公开(公告)号：CN101151702A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200680010656.5

申请日：2006-04-04

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  黑崎播磨株式会社

Inventor： 有田洁 ,  中川显 ,  久我浩司 ,  俣野泰司 ,  佐藤信博

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244

Abstract: 在等离子体处理设备中，在下电极(3)和上电极(4)之间的等离子体发生空间(A)中产生等离子体，使得在下电极(3)上安装的处理对象(W)受到等离子体处理，多个剪切部分(S)用于吸收由于等离子体处理时的迅速温升导致的热膨胀引起的应力，并以等间距形成在上电极(4)所包括的气体喷头盘(43)的外边缘部分中。因此，可以防止气体喷头盘免于由于在所述气体喷头盘等的外部边缘部分中出现裂缝引起的损坏。

公开(公告)号：CN1302512C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN02812684.X

申请日：2002-06-24

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  黑崎播磨株式会社

Inventor： 有田洁 ,  岩井哲博 ,  土师宏 ,  酒见省二 ,  俣野泰司 ,  佐藤信博

IPC: H01J37/32

CPC classification number: C23C16/45568 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/3065

Abstract: 在一种等离子体处理装置中，一种具有三维网状网状结构的陶瓷多孔材料被用作为等离子体处理装置的电极元件材料，其中由含氧化铝的陶瓷所形成的框架部分被连续设置成类似一种三维网状物，该电极元件待安装于用于产生等离子体的电极的气体供给喷口的正面，并且使用于产生等离子体的气体通过以不规则方式形成于三维网状结构上的开孔部分。结果，使供给的气体分布均匀，以便防止异常放电，可进行无偏差的均匀蚀刻。

公开(公告)号：CN1520604A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN02812684.X

申请日：2002-06-24

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  黑崎播磨株式会社

Inventor： 有田洁 ,  岩井哲博 ,  土师宏 ,  酒见省二 ,  俣野泰司 ,  佐藤信博

IPC: H01J37/32

CPC classification number: C23C16/45568 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/3065

Abstract: 在一种等离子体处理装置中，一种具有三维网状网状结构的陶瓷多孔材料被用作为等离子体处理装置的电极元件材料，其中由含氧化铝的陶瓷所形成的框架部分被连续设置成类似一种三维网状物，该电极元件待安装于用于产生等离子体的电极的气体供给喷口的正面，并且使用于产生等离子体的气体通过以不规则方式形成于三维网状结构上的开孔部分。结果，使供给的气体分布均匀，以便防止异常放电，可进行无偏差的均匀蚀刻。

公开(公告)号：CN118076570A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202280067837.0

申请日：2022-10-06

Applicant: 黑崎播磨株式会社

Inventor： 俣野泰司 ,  滨崎俊夫 ,  佐藤裕

IPC: C04B35/596 ,  C04B35/488 ,  G01R1/06 ,  G01R1/073

Abstract: 本发明提供一种稳定地具备与硅晶片同等的热膨胀系数和高强度的氮化硅复合材料及探针导向零件。具体而言，本发明的氮化硅复合材料包含35质量％以上70质量％以下的Si3N4、25质量％以上60质量％以下的ZrO2、合计0.5质量％以上且小于5质量％的选自MgO、SiO2、Al2O3及Y2O3中的1种以上，在将粉末X线衍射的αSi3N4的(210)面峰值强度作为Iα，将βSi3N4的(210)面峰值强度作为Iβ时，峰值强度比：Iβ/(Iα+Iβ)为0.05以上0.80以下。本发明的探针导向零件具备使用有所述氮化硅复合材料的板状的本体部和在所述本体部上穿通探针的多个贯穿孔及/或狭缝。