公开(公告)号：CN105985768A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610146065.6

申请日：2016-03-15

Applicant: 柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 山根千草 ,  午菴一贺 ,  川崎秀和 ,  柏木恒雄 ,  藤枝洋一

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/88 ,  C09K11/56 ,  C09K11/70 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C09K11/02 ,  C09K11/565 ,  C09K11/70 ,  C09K15/12 ,  C09K15/322 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/56 ,  C09K11/88

Abstract: 本发明提供一种具有充分的荧光强度的被包覆的半导体纳米粒子。本发明的被包覆的半导体纳米粒子的制造方法涉及一种制造被包覆的半导体纳米粒子的方法，所述被包覆的半导体纳米粒子含有：半导体纳米粒子，其具有核/壳结构；和透光性包覆层，其含有包覆所述半导体纳米粒子的硅。而且，所述被包覆的半导体纳米粒子的制造方法包括：在抗氧化剂的存在下，使所述半导体纳米粒子和硅烷化合物接触的工序，所述抗氧化剂具有磷原子及硫原子中的至少一种，且含有选自不具有羟基的化合物中的至少一种。

公开(公告)号：CN104995706A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201480009008.2

申请日：2014-02-10

Applicant: 柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 川崎秀和 ,  三轮英也

IPC: H01G9/20 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01G9/2059 ,  C09B23/105 ,  C09B23/148 ,  C09B57/00 ,  C09B57/008 ,  H01G9/2031 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0064 ,  H01L51/0068 ,  Y02E10/542 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明的目的在于提供一种光电转换效率优异的光电转换元件。本发明的光电转换元件，其特征在于，具有基体、第一电极、含有半导体和增感色素的光电转换层、电荷输送层、以及第二电极，上述增感色素由下述通式(1)表示。

公开(公告)号：CN108375881A

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201810088000.X

申请日：2018-01-30

Applicant: 柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 高桥圣二郎 ,  川崎秀和

IPC: G03G9/08

CPC classification number: G03G9/091 ,  C09B29/34 ,  G03G9/0819 ,  G03G9/0821 ,  G03G9/08711 ,  G03G9/08755 ,  G03G9/0926 ,  G03G15/2007 ,  G03G15/2064

Abstract: 本发明提供一种提高光照射所致的软化速度和图像的定影性的手段。本发明涉及的调色剂含有下述化学式(1)表示的偶氮苯衍生物，下述化学式(1)中，R1～R10为技术方案1中定义的基团。