公开(公告)号：CN1274025C

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN03147496.9

申请日：2003-07-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 国分弘一

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/10861 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/10867 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66659

Abstract: 半导体器件由以下部分构成：具有第一导电类型的半导体衬底；设置在所述半导体衬底中，具有电荷存储区域的沟槽电容器；在所述半导体衬底上隔着栅绝缘膜设置的栅电极；在所述栅电极的侧面上形成的栅侧壁绝缘膜；设置在所述半导体衬底中，具有第二导电类型的漏区和源区；与所述沟槽电容器相邻，覆盖所述电荷存储区域的上面而设置在所述半导体衬底中的元件分离绝缘膜；在所述半导体衬底中，设置为把所述电荷存储区域的上部与所述源区电连接，具有所述第二导电类型的掩埋带区域；位于所述漏区和源区下，从所述掩埋带区域分开设置，具有所述第一导电类型的袋注入区域。

公开(公告)号：CN113451336B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202010875374.3

申请日：2020-08-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 国分弘一

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/02 ,  H01L31/107 ,  H01L21/762 ,  H01L31/18

Abstract: 实施方式提供一种能够将像素间分离而减少串扰、并且能够抑制受光灵敏度的降低的受光装置以及半导体装置。实施方式的受光装置具备：深沟槽隔离部，配置于具有光电转换元件的多个像素各自的周围，用于将所述像素之间分离；以及浅沟槽隔离部，层叠有与所述光电转换元件串联连接的灭弧电阻元件，层叠设置在所述深沟槽隔离部。

公开(公告)号：CN1476095A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03147496.9

申请日：2003-07-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 国分弘一

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/10861 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/10867 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66659

Abstract: 半导体器件由以下部分构成：具有第一导电类型的半导体衬底；设置在所述半导体衬底中，具有电荷存储区域的沟槽电容器；在所述半导体衬底上隔着栅绝缘膜设置的栅电极；在所述栅电极的侧面上形成的栅侧壁绝缘膜；设置在所述半导体衬底中，具有第二导电类型的漏区和源区；与所述沟槽电容器相邻，覆盖所述电荷存储区域的上面而设置在所述半导体衬底中的元件分离绝缘膜；在所述半导体衬底中，设置为把所述电荷存储区域的上部与所述源区电连接，具有所述第二导电类型的掩埋带区域；位于所述漏区和源区下，从所述掩埋带区域分开设置，具有所述第一导电类型的袋注入区域。

公开(公告)号：CN113451336A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202010875374.3

申请日：2020-08-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 国分弘一

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/02 ,  H01L31/107 ,  H01L21/762 ,  H01L31/18

Abstract: 实施方式提供一种能够将像素间分离而减少串扰、并且能够抑制受光灵敏度的降低的受光装置以及半导体装置。实施方式的受光装置具备：深沟槽隔离部，配置于具有光电转换元件的多个像素各自的周围，用于将所述像素之间分离；以及浅沟槽隔离部，层叠有与所述光电转换元件串联连接的灭弧电阻元件，层叠设置在所述深沟槽隔离部。

公开(公告)号：CN104299892A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410343245.4

申请日：2014-07-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 李永芳 ,  稻浪良市 ,  三本木晶子 ,  佐藤隆 ,  齐藤匡人 ,  国分弘一

IPC: H01L21/027

CPC classification number: C25D5/02 ,  C25D11/005 ,  C25D11/022 ,  C25D11/32 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/027 ,  H01L21/0274

Abstract: 根据一个实施例，图案转印模具包括基体、第一和第二叠层体、第一和第二电极。基体包括：包括第一表面的基本单元，设置在第一表面上且具有第一侧表面的第一凸部，和设置在第一表面上、与所述第一凸部分开并且具有与第一侧表面相对的第二侧表面的第二凸部。第一叠层体设置在第一侧表面上，并且包括第一导电层和第一绝缘层。第二叠层体设置在第二侧表面上、与所述第一叠层体分开并且包括第二导电层和第二绝缘层。第一电极电连接到第一导电层中的至少一个上。第二电极电连接到第二导电层中的至少一个上。

公开(公告)号：CN103969709A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201310292485.1

申请日：2013-07-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 国分弘一

IPC: G02B3/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: G02B1/002 ,  G02B3/0087 ,  G02B13/0035 ,  G02B13/004 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14685 ,  H04N5/2254

Abstract: 公开一种光学装置、固体拍摄装置及光学装置的制造方法。实施方式涉及的光学装置包含：基板；和第1光学层。上述基板具有第1面、和与上述第1面在相反侧的第2面。上述第1光学层设置在上述第1面之上，并包含沿着上述第1面配置的多个第1折射率设定部。上述多个第1折射率设定部的各个具有使磁导率变化的多个金属图形。

公开(公告)号：CN102983142A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210313269.6

申请日：2012-08-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 今野有作 ,  冈田直忠 ,  国分弘一

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14621 ,  G02B5/201 ,  G02B5/203 ,  H04N9/045

Abstract: 本发明的实施方式所涉及的固体拍摄元件具有：基板，设置有多个光电转换部；以及滤色器，分别设置于所述多个光电转换部，使特定的波长频带的光选择性地透过。并且，所述滤色器具有：层叠构造部，层叠有折射率不同的层；以及周期构造部，根据所述特定的波长频带及光的入射角度，以不同的周期，设置有多个要素。

公开(公告)号：CN110311008B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN201811274233.5

申请日：2018-10-30

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 国分弘一 ,  松本展

IPC: H01L31/107 ,  H01L25/04 ,  G01S17/08

Abstract: 本公开提供光检测效率高的光检测装置。光检测装置具备：设置于半导体基板的第1主表面上的第1导电型的硅层；第1半导体层，设置于所述硅层内，是第1导电型，杂质浓度比所述硅层的杂质浓度高；第2半导体层，设置于所述第1半导体层上，是第2导电型，与所述第1半导体层形成pn边界；第3半导体层，设置于所述硅层内，是第1导电型，杂质浓度比所述硅层的杂质浓度高，与所述第1半导体层分隔开；连接于所述硅层的第1电极；以及连接于所述第2半导体层的第2电极。