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公开(公告)号：CN1262946C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN00124246.6
申请日：2000-06-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G05B19/41865 , G05B2219/32074 , G05B2219/32196 , G05B2219/32297 , G05B2219/45031 , Y02P90/20 , Y02P90/22
Abstract: 半导体处理过程控制系统，设置有：不取决于半导体处理装置和处理目标而进行半导体处理过程的控制的过程控制主体单元；和求取适用于所述半导体处理装置和所述处理目标的半导体处理装置的控制变量的控制变量计算装置，对应于所述半导体处理装置和所述处理目标可存在多个，同时，所述控制变量计算装置被构成为按照需要对应于所述处理控制主体单元可以插拔的结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1776665A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510096693.X
申请日：2000-06-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G05B19/41865 , G05B2219/32074 , G05B2219/32196 , G05B2219/32297 , G05B2219/45031 , Y02P90/20 , Y02P90/22
Abstract: 一种半导体处理过程的控制系统和控制方法以及记录媒体，其中，半导体处理过程控制系统，设置有：不取决于半导体处理装置和处理目标而进行半导体处理过程的控制的过程控制主体单元；和求取适用于所述半导体处理装置和所述处理目标的半导体处理装置的控制变量的控制变量计算装置，对应于所述半导体处理装置和所述处理目标可存在多个，同时，所述控制变量计算装置被构成为按照需要对应于所述处理控制主体单元可以插拔的结构。
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公开(公告)号：CN1637620A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200510000213.5
申请日：2005-01-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/67253
Abstract: 一种曝光处理系统，包括：用来对晶片上的抗蚀剂进行曝光的曝光装置；具备多个加热装置单元的加热装置，该加热装置，用从上述多个加热装置单元中选择出来的一个加热装置单元，加热上述晶片上的曝光后的抗蚀剂；具备多个显影装置单元的显影装置，该显影装置，包含用于用从上述多个显影装置单元中选择出来的一个显影装置单元对上述晶片上的曝光且加热后的抗蚀剂进行显影的上述晶片上的曝光后的上述抗蚀剂进行加热的一个加热装置；用于使用修正数据控制上述曝光装置从而对作为处理对象的晶片曝光的控制装置，上述修正数据是用来对起因于作为上述处理对象的上述晶片所使用的加热装置单元·显影装置单元对而产生的晶片面内的抗蚀剂图形的尺寸波动进行修正的数据，上述加热装置单元·显影装置单元对包括上述多个加热装置单元中作为上述处理对象的上述晶片所使用的一个加热装置单元和上述多个显影装置单元中作为上述处理对象的上述晶片所使用的一个显影装置单元。
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公开(公告)号：CN100416549C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200510096693.X
申请日：2000-06-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G05B19/41865 , G05B2219/32074 , G05B2219/32196 , G05B2219/32297 , G05B2219/45031 , Y02P90/20 , Y02P90/22
Abstract: 一种半导体处理过程的控制系统和控制方法以及记录媒体，其中，半导体处理过程控制系统，设置有：不取决于半导体处理装置和处理目标而进行半导体处理过程的控制的过程控制主体单元；和求取适用于所述半导体处理装置和所述处理目标的半导体处理装置的控制变量的控制变量计算装置，对应于所述半导体处理装置和所述处理目标可存在多个，同时，所述控制变量计算装置被构成为按照需要对应于所述处理控制主体单元可以插拔的结构。
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公开(公告)号：CN1637620B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200510000213.5
申请日：2005-01-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/67253
Abstract: 一种曝光处理系统，包括：用来对晶片上的抗蚀剂进行曝光的曝光装置；具备多个加热装置单元的加热装置，该加热装置，用从上述多个加热装置单元中选择出来的一个加热装置单元，加热上述晶片上的曝光后的抗蚀剂；具备多个显影装置单元的显影装置，该显影装置，包含用于用从上述多个显影装置单元中选择出来的一个显影装置单元对上述晶片上的曝光且加热后的抗蚀剂进行显影的上述晶片上的曝光后的上述抗蚀剂进行加热的一个加热装置；用于使用修正数据控制上述曝光装置从而对作为处理对象的晶片曝光的控制装置，上述修正数据是用来对起因于作为上述处理对象的上述晶片所使用的加热装置单元·显影装置单元对而产生的晶片面内的抗蚀剂图形的尺寸波动进行修正的数据，上述加热装置单元·显影装置单元对包括上述多个加热装置单元中作为上述处理对象的上述晶片所使用的一个加热装置单元和上述多个显影装置单元中作为上述处理对象的上述晶片所使用的一个显影装置单元。
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公开(公告)号：CN1280343A
公开(公告)日：2001-01-17
申请号：CN00124246.6
申请日：2000-06-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G06F17/00
CPC classification number: G05B19/41865 , G05B2219/32074 , G05B2219/32196 , G05B2219/32297 , G05B2219/45031 , Y02P90/20 , Y02P90/22
Abstract: 半导体处理过程控制系统,设置有:不取决于半导体处理装置和处理目标而进行半导体处理过程的控制的过程控制主体单元;和求取适用于所述半导体处理装置和所述处理目标的半导体处理装置的控制变量的控制变量计算装置,对应于所述半导体处理装置和所述处理目标可存在多个,同时,所述控制变量计算装置被构成为按照需要对应于所述处理控制主体单元可以插拔的结构。
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