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公开(公告)号：CN1447194A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03121354.5
申请日：2003-03-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F9/00 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70625 , G03F7/70633
Abstract: 提供一种监测方法，可以高精度地测定微细图形加工尺寸。该监测方法包括以下步骤：在衬底膜(2)上形成至少一边有对衬底膜(2)的表面倾斜的倾斜侧壁(20)的监测抗蚀剂图形(13)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的监测抗蚀剂图形(13)的宽度；以监测抗蚀剂图形(13)作为掩模，选择性腐蚀衬底膜(2)来形成监测衬底膜图形(12)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的所述监测衬底膜图形(12)的宽度；以及根据监测抗蚀剂图形(13)的宽度和监测衬底膜图形(12)的宽度之差，获得偏移宽度Δs。
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公开(公告)号：CN1312530C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200310115500.1
申请日：2003-11-26
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 小峰信洋
IPC: G03F1/08 , G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70625 , G03F1/42 , G03F1/50 , G03F7/70466
Abstract: 本发明的目的是提供监测多重曝光过程中的实效性的曝光量的原版、曝光监测方法、曝光方法和半导体器件的制造方法。该原版具备第1掩模部和第2掩模部。第1掩模部，具有：配置在设置在第1遮光部(16)上的第1窗口部(11a)内的，光透过率朝向1个方向地增加的第1曝光监测图案(6)，和配置在设置在第1遮光部(16)上的第2窗口部(11b)内的，光透过率朝向上述1个方向的反方向地增加的第2曝光监测图案(7)；以及，第2掩模部，具有：在与上述第1掩模部(14a)对准时，配置在设置在与第1遮光部(16)对应的位置的第2遮光部(18)上的第3窗口部(12a)内的，使透过率朝向上述1个方向地增加的第3曝光监测图案(8)，和设置在与第1遮光部(16)对应的位置的第2遮光部(18)上且配置在第4窗口部(12b)内的，光透过率朝向反方向地增加的第4曝光监测图案(9)。
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公开(公告)号：CN1252543C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN03121354.5
申请日：2003-03-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F9/00 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70625 , G03F7/70633
Abstract: 提供一种监测方法，可以高精度地测定微细图形加工尺寸。该监测方法包括以下步骤：在衬底膜(2)上形成至少一边有对衬底膜(2)的表面倾斜的倾斜侧壁(20)的监测抗蚀剂图形(13)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的监测抗蚀剂图形(13)的宽度；以监测抗蚀剂图形(13)作为掩模，选择性腐蚀衬底膜(2)来形成监测衬底膜图形(12)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的所述监测衬底膜图形(12)的宽度；以及根据监测抗蚀剂图形(13)的宽度和监测衬底膜图形(12)的宽度之差，获得偏移宽度Δs。
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公开(公告)号：CN1223905C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN02123399.3
申请日：2002-06-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70433
Abstract: 提供可降低3θ象差等的影响并高精度地转印所期望的图案的曝光方法。采用将来自光源系统的照明光照射到形成有掩膜图案的曝光掩膜上，经由投影透镜将透过该曝光掩膜的光的像投影到基板上，且掩膜图案包含排列成方格栅形的多个单位电路图案(11)和配置在该单位电路图案(11)间的多个单位辅助图案(12)，配置上述辅助图案(12)，以便在基于对应上述多个单位电路图案(11)以及上述多个单位辅助图案(12)所产生的衍射光的上述投影透镜的瞳面上的多个光点之中，使光强最强的4个光点在上述瞳面上按90度周期分布。
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公开(公告)号：CN1637620B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200510000213.5
申请日：2005-01-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/67253
Abstract: 一种曝光处理系统，包括：用来对晶片上的抗蚀剂进行曝光的曝光装置；具备多个加热装置单元的加热装置，该加热装置，用从上述多个加热装置单元中选择出来的一个加热装置单元，加热上述晶片上的曝光后的抗蚀剂；具备多个显影装置单元的显影装置，该显影装置，包含用于用从上述多个显影装置单元中选择出来的一个显影装置单元对上述晶片上的曝光且加热后的抗蚀剂进行显影的上述晶片上的曝光后的上述抗蚀剂进行加热的一个加热装置；用于使用修正数据控制上述曝光装置从而对作为处理对象的晶片曝光的控制装置，上述修正数据是用来对起因于作为上述处理对象的上述晶片所使用的加热装置单元·显影装置单元对而产生的晶片面内的抗蚀剂图形的尺寸波动进行修正的数据，上述加热装置单元·显影装置单元对包括上述多个加热装置单元中作为上述处理对象的上述晶片所使用的一个加热装置单元和上述多个显影装置单元中作为上述处理对象的上述晶片所使用的一个显影装置单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100582934C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200610002085.2
申请日：2003-03-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70625 , G03F7/70633
Abstract: 提供一种监测方法，可以高精度地测定微细图形加工尺寸。该监测方法包括以下步骤：在衬底膜(2)上形成至少一边有对衬底膜(2)的表面倾斜的倾斜侧壁(20)的监测抗蚀剂图形(13)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的监测抗蚀剂图形(13)的宽度；以监测抗蚀剂图形(13)作为掩模，选择性腐蚀衬底膜(2)来形成监测衬底膜图形(12)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的所述监测衬底膜图形(12)的宽度；以及根据监测抗蚀剂图形(13)的宽度和监测衬底膜图形(12)的宽度之差，获得偏移宽度Δs。
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公开(公告)号：CN1808270A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200610002085.2
申请日：2003-03-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70625 , G03F7/70633
Abstract: 提供一种监测方法，可以高精度地测定微细图形加工尺寸。该监测方法包括以下步骤：在衬底膜(2)上形成至少一边有对衬底膜(2)的表面倾斜的倾斜侧壁(20)的监测抗蚀剂图形(13)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的监测抗蚀剂图形(13)的宽度；以监测抗蚀剂图形(13)作为掩模，选择性腐蚀衬底膜(2)来形成监测衬底膜图形(12)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的所述监测衬底膜图形(12)的宽度；以及根据监测抗蚀剂图形(13)的宽度和监测衬底膜图形(12)的宽度之差，获得偏移宽度Δs。
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公开(公告)号：CN1645256A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510003858.4
申请日：2002-06-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70433
Abstract: 提供可降低3θ象差等的影响并高精度地转印所期望的图案的曝光方法。采用将来自光源系统的照明光照射到形成有掩膜图案的曝光掩膜上，经由投影透镜将透过该曝光掩膜的光的像投影到基板上，且上述照明系统是具有遮光区域的照明形状，通过调整上述照明系统和上述投影透镜之间的上述投影透镜的圆周方向的相对角度，可以使上述遮光区域重叠在分布于上述投影透镜的圆周方向的象差的相位偏离量达到最大时的至少一个位置上。
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公开(公告)号：CN100580558C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200510003858.4
申请日：2002-06-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70433
Abstract: 提供可降低3θ象差等的影响并高精度地转印所期望的图案的曝光方法。采用将来自光源系统的照明光照射到形成有掩膜图案的曝光掩膜上，经由投影透镜将透过该曝光掩膜的光的像投影到基板上，且上述照明系统是具有遮光区域的照明形状，通过调整上述照明系统和上述投影透镜之间的上述投影透镜的圆周方向的相对角度，可以使上述遮光区域重叠在分布于上述投影透镜的圆周方向的象差的相位偏离量达到最大时的至少一个位置上。
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公开(公告)号：CN1637620A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200510000213.5
申请日：2005-01-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/67253
Abstract: 一种曝光处理系统，包括：用来对晶片上的抗蚀剂进行曝光的曝光装置；具备多个加热装置单元的加热装置，该加热装置，用从上述多个加热装置单元中选择出来的一个加热装置单元，加热上述晶片上的曝光后的抗蚀剂；具备多个显影装置单元的显影装置，该显影装置，包含用于用从上述多个显影装置单元中选择出来的一个显影装置单元对上述晶片上的曝光且加热后的抗蚀剂进行显影的上述晶片上的曝光后的上述抗蚀剂进行加热的一个加热装置；用于使用修正数据控制上述曝光装置从而对作为处理对象的晶片曝光的控制装置，上述修正数据是用来对起因于作为上述处理对象的上述晶片所使用的加热装置单元·显影装置单元对而产生的晶片面内的抗蚀剂图形的尺寸波动进行修正的数据，上述加热装置单元·显影装置单元对包括上述多个加热装置单元中作为上述处理对象的上述晶片所使用的一个加热装置单元和上述多个显影装置单元中作为上述处理对象的上述晶片所使用的一个显影装置单元。
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