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公开(公告)号：CN103403895B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201180066819.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/0079 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光器件包括半导体层、p侧电极、n侧电极、p侧金属柱、n侧金属柱和绝缘体。该半导体层包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面、以及发光层。该p侧金属柱包括p侧外部端子。该n侧金属柱包括n侧外部端子。选自p侧外部端子的面积和平面构造中的至少一个不同于选自n侧外部端子的面积和平面构造中的至少一个。
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公开(公告)号：CN102270722B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201110070617.7
申请日：2011-03-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/38 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光装置包括半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层、第一互连层、第二互连层、第一金属柱、第二金属柱，以及第二绝缘层。半导体层包括第一主表面、与第一主表面相反的第二主表面，以及发光层。第一电极被设置于第二主表面上的包括发光层的区域上。第二电极被设置于第二主表面上并且在平面图中至少部分内插到第一电极里面。
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公开(公告)号：CN102270710B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201110192487.4
申请日：2011-06-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/508 , H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 半导体发光装置的制造方法具备在含有半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层的层叠体的第一绝缘层的第一开口部，形成第一布线层的工序，第一绝缘层具有与第二电极相连的第二开口部；在第一绝缘层的第二开口部形成第二布线层的工序；在与第一布线层上的第一电极相对的相反侧的面上，形成第一金属柱的工序；在与第二布线层的第二电极相对的相反侧的面上，形成第二金属柱的工序；在第一金属柱的侧面和第二金属柱的侧面之间形成第二绝缘层的工序；基于从第一主面侧得到的光的发光光谱，在选自多个半导体层的半导体层的第一主面上形成对于光呈透明的透明材料的工序；在透明材料上及多个半导体层的第一主面上，形成荧光体层的工序。
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公开(公告)号：CN102270708A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010282835.2
申请日：2010-09-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/11 , H01L2224/14104 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的发光装置的制造方法，包括：在基板的第一主面上形成包含发光层的半导体层的工序；将半导体层的至少上表面和侧面用第一绝缘膜覆盖的工序；形成与半导体层导通的第一电极部和第二电极部的工序；用第二绝缘膜覆盖第一绝缘膜的工序；以及从基板的与第一主面相反一侧的第二主面一侧，向半导体层照射激光，从而从半导体层剥离基板的工序。第二绝缘膜的带隙能量和半导体层的带隙能量比激光的能量小，在第一绝缘膜中的覆盖半导体层的侧面的部分，激光不到达发光层的深度。
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公开(公告)号：CN102270722A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110070617.7
申请日：2011-03-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/38 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光装置包括半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层、第一互连层、第二互连层、第一金属柱、第二金属柱，以及第二绝缘层。半导体层包括第一主表面、与第一主表面相反的第二主表面，以及发光层。第一电极被设置于第二主表面上的包括发光层的区域上。第二电极被设置于第二主表面上并且在平面图中至少部分内插到第一电极里面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102270710A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110192487.4
申请日：2011-06-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/508 , H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 半导体发光装置的制造方法具备在含有半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层的层叠体的第一绝缘层的第一开口部，形成第一布线层的工序，第一绝缘层具有与第二电极相连的第二开口部；在第一绝缘层的第二开口部形成第二布线层的工序；在与第一布线层上的第一电极相对的相反侧的面上，形成第一金属柱的工序；在与第二布线层的第二电极相对的相反侧的面上，形成第二金属柱的工序；在第一金属柱的侧面和第二金属柱的侧面之间形成第二绝缘层的工序；基于从第一主面侧得到的光的发光光谱，在选自多个半导体层的半导体层的第一主面上形成对于光呈透明的透明材料的工序；在透明材料上及多个半导体层的第一主面上，形成荧光体层的工序。
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公开(公告)号：CN102270727B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201110070604.X
申请日：2011-03-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/62 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光装置包括半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层、第一互连层、第二互连层、第一金属柱、第二金属柱，以及第二绝缘层。半导体层包括第一主表面，与第一主表面相反的第二主表面，以及发光层。第一互连层的一部分的边缘被从第一绝缘层和第二绝缘层中侧向暴露出来。
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公开(公告)号：CN103403895A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201180066819.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/0079 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光器件包括半导体层、p侧电极、n侧电极、p侧金属柱、n侧金属柱和绝缘体。该半导体层包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面、以及发光层。该p侧金属柱包括p侧外部端子。该n侧金属柱包括n侧外部端子。选自p侧外部端子的面积和平面构造中的至少一个不同于选自n侧外部端子的面积和平面构造中的至少一个。
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公开(公告)号：CN102270727A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110070604.X
申请日：2011-03-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/62 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光装置包括半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层、第一互连层、第二互连层、第一金属柱、第二金属柱，以及第二绝缘层。半导体层包括第一主表面，与第一主表面相反的第二主表面，以及发光层。第一互连层的一部分的边缘被从第一绝缘层和第二绝缘层中侧向暴露出来。
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公开(公告)号：CN102270720A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010282829.7
申请日：2010-09-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/44 , H01L21/268 , H01L33/0079 , H01L33/40 , H01L33/50 , H01L2224/16
Abstract: 本发明涉及发光装置及其制造方法。本发明的发光装置具备：包含发光层的半导体层，具有第一主面、与第一主面相反一侧的第二主面、以及连接第一主面和第二主面的第三主面；第一电极部和第二电极部，设置在半导体层的第二主面；第一绝缘膜，覆盖半导体层的第二主面和第三主面；以及金属层，层叠在第一电极部和第二电极部中的至少第二电极部上，并延伸到覆盖接近的第三主面的第一绝缘膜的延长部分上。
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