公开(公告)号：CN107768018A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710112427.4

申请日：2017-02-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 荒木猛司 ,  石井宏尚 ,  小林奈央

IPC: H01B13/00 ,  H01B1/02 ,  H01B12/06

CPC classification number: H01F1/057 ,  C04B35/4508 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/62222 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3282 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/96 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1254 ,  C23C18/1295 ,  H01F1/058 ,  H01F1/059 ,  H01F6/06 ,  H01F41/048 ,  H01L39/126 ,  H01L39/143 ,  H01L39/2425 ,  H01B13/00 ,  H01B1/02 ,  H01B12/06

Abstract: 本发明的实施方式涉及氧化物超导体及其制造方法。提供导入人工钉扎且磁场特性得以提高的氧化物超导体及其制造方法。实施方式的氧化物超导体具有氧化物超导层，该氧化物超导层具有包含稀土类元素、钡以及铜的连续的钙钛矿型结构；上述稀土类元素包含Pr即第1元素，选自Nd、Sm、Eu和Gd中的至少一种的第2元素，选自Y、Tb、Dy和Ho中的至少一种的第3元素以及选自Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种的第4元素。在将第1元素的原子数设定为N(PA)、第2元素的原子数设定为N(SA)、第4元素的原子数设定为N(CA)的情况下，1.5×(N(PA)+N(SA))≤N(CA)或者2×(N(CA)－N(PA))≤N(SA)。

公开(公告)号：CN107768018B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201710112427.4

申请日：2017-02-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 荒木猛司 ,  石井宏尚 ,  小林奈央

IPC: H01B13/00 ,  H01B1/02 ,  H01B12/06

Abstract: 本发明的实施方式涉及氧化物超导体及其制造方法。提供导入人工钉扎且磁场特性得以提高的氧化物超导体及其制造方法。实施方式的氧化物超导体具有氧化物超导层，该氧化物超导层具有包含稀土类元素、钡以及铜的连续的钙钛矿型结构；上述稀土类元素包含Pr即第1元素，选自Nd、Sm、Eu和Gd中的至少一种的第2元素，选自Y、Tb、Dy和Ho中的至少一种的第3元素以及选自Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种的第4元素。在将第1元素的原子数设定为N(PA)、第2元素的原子数设定为N(SA)、第4元素的原子数设定为N(CA)的情况下，1.5×(N(PA)+N(SA))≤N(CA)或者2×(N(CA)－N(PA))≤N(SA)。