公开(公告)号：CN115910965A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210132247.3

申请日：2022-02-14

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 阿川谦一 ,  宫原秀敏 ,  今泉祐介 ,  黑须笃 ,  富岛敦史 ,  刘佳

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/552 ,  H01L25/16

Abstract: 实施方式使半导体设备的特性提升。实施方式的半导体设备包括：封装基板(3)，包括多个端子(31)和基座(32)；半导体芯片(2)，设置于基座(32)的上方；以及电容器芯片(1)，设置于基座(32)的上方。半导体芯片(2)包括被供给接地电压(VGND)的第1焊盘(22)、与端子(31)电连接的第2焊盘(24)以及与焊盘(22、24)连接的半导体电路(20)。电容器芯片(1)包括设置于硅基板内的电容器部(10)、与所述第1电容器部(10)电连接并且被供给接地电压(VGND)的第1节点(16B)、以及与第2焊盘(22)及电容器部(10)电连接的第2节点(16A)。