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公开(公告)号:CN115117685B
公开(公告)日:2025-02-25
申请号:CN202210127030.3
申请日:2022-02-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor: 阿川谦一
IPC: H01R13/58
Abstract: 本发明的布线装置具备:板部,具有第1面及其上的第2面;第1凸部,设置在第2面上并具有侧面及第1上表面,侧面能够将具有端子且在第2面上能够沿与第2面平行的第1方向及反向的第2方向插拔的第1基板卡止,第1上表面具有与第1方向平行设置、收容布线的包覆物的多个第1槽,第1凸部沿与第1、2方向交叉且与第2面平行的第3方向延伸;第1部件,设置在第2面上并具有多个连接部及第2上表面,多个连接部跨在插入的第1基板上,夹着第1基板与第2面连接,第2上表面具有与第1方向平行设置、收纳露出的导体的多个第2槽;第2部件,设置在第2面上,可开闭转动地支承于板部,在第1凸部与第1部件之间具有可将导体压接于端子的第2凸部。
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公开(公告)号:CN115117685A
公开(公告)日:2022-09-27
申请号:CN202210127030.3
申请日:2022-02-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor: 阿川谦一
IPC: H01R13/58
Abstract: 本发明的布线装置具备:板部,具有第1面及其上的第2面;第1凸部,设置在第2面上并具有侧面及第1上表面,侧面能够将具有端子且在第2面上能够沿与第2面平行的第1方向及反向的第2方向插拔的第1基板卡止,第1上表面具有与第1方向平行设置、收容布线的包覆物的多个第1槽,第1凸部沿与第1、2方向交叉且与第2面平行的第3方向延伸;第1部件,设置在第2面上并具有多个连接部及第2上表面,多个连接部跨在插入的第1基板上,夹着第1基板与第2面连接,第2上表面具有与第1方向平行设置、收纳露出的导体的多个第2槽;第2部件,设置在第2面上,可开闭转动地支承于板部,在第1凸部与第1部件之间具有可将导体压接于端子的第2凸部。
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公开(公告)号:CN115910965A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202210132247.3
申请日:2022-02-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/49 , H01L23/552 , H01L25/16
Abstract: 实施方式使半导体设备的特性提升。实施方式的半导体设备包括:封装基板(3),包括多个端子(31)和基座(32);半导体芯片(2),设置于基座(32)的上方;以及电容器芯片(1),设置于基座(32)的上方。半导体芯片(2)包括被供给接地电压(VGND)的第1焊盘(22)、与端子(31)电连接的第2焊盘(24)以及与焊盘(22、24)连接的半导体电路(20)。电容器芯片(1)包括设置于硅基板内的电容器部(10)、与所述第1电容器部(10)电连接并且被供给接地电压(VGND)的第1节点(16B)、以及与第2焊盘(22)及电容器部(10)电连接的第2节点(16A)。
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公开(公告)号:CN101266275A
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:CN200810086537.9
申请日:2008-03-14
Applicant: 株式会社东芝
Inventor: 阿川谦一
IPC: G01R31/00
CPC classification number: H03G5/16 , H03F3/45475 , H03F2200/153 , H03F2200/393 , H03F2203/45514 , H03G5/005
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路及其相位补偿用电容的电容值调整方法,该半导体集成电路具有:放大电路,其包含相位补偿用电容并具有反馈环路;以及稳定性判定调整电路,其对预定的频率下的所述放大电路的输出电压的振幅进行测定,根据所述振幅之比对所述相位补偿用电容的电容值进行调整。
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公开(公告)号:CN101266275B
公开(公告)日:2011-06-08
申请号:CN200810086537.9
申请日:2008-03-14
Applicant: 株式会社东芝
Inventor: 阿川谦一
IPC: G01R31/00
CPC classification number: H03G5/16 , H03F3/45475 , H03F2200/153 , H03F2200/393 , H03F2203/45514 , H03G5/005
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路及其相位补偿用电容的电容值调整方法,该半导体集成电路具有:放大电路,其包含相位补偿用电容并具有反馈环路;以及稳定性判定调整电路,其对预定的频率下的所述放大电路的输出电压的振幅进行测定,根据所述振幅之比对所述相位补偿用电容的电容值进行调整。
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