公开(公告)号：CN101460649B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200780020459.6

申请日：2007-05-18

Applicant: 株式会社丰田中央研究所

Inventor： 堀江俊男 ,  北原学 ,  铃木伸明 ,  森广行 ,  铃木宪一 ,  上田勇 ,  西野和彰

IPC: C23C8/72 ,  C23C4/10 ,  C23C8/04 ,  C23C8/24 ,  C23C8/80 ,  C23C28/04 ,  B05D5/12 ,  C25D11/00 ,  H01M8/02 ,  H01M8/10

CPC classification number: H01M8/0215 ,  C22C14/00 ,  C23C4/10 ,  C23C4/18 ,  C23C8/42 ,  C23C8/80 ,  H01M8/0206 ,  H01M8/0228 ,  Y02P70/56

Abstract: 提供一种导电耐腐蚀材料(3)，其以满足0.05≤[Ti]≤0.40、0.20≤[B]≤0.40和0.35≤[N]≤0.55(假设[Ti]+[B]+[N]＝1)的原子比率含有(Ti)、硼(B)和氮(N)。此外，提供一种制造导电耐腐蚀材料(3)的方法，其中氮化硼粉末粘附到至少表面由钛或者钛合金制成的基片(2)的表面，然后加热。此外，提供一种制造导电耐腐蚀材料(3)的方法，其中至少表面由钛或者钛合金制成的基片(2)的表面被渗硼然后被加热。另外，提供一种制造导电耐腐蚀材料(3)的方法，其中通过将TiB2粉末喷涂到金属基片(2)的表面上而形成由TiB2颗粒形成的TiB2层，并且然后对该TiB2层渗氮。

公开(公告)号：CN101460649A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200780020459.6

申请日：2007-05-18

Applicant: 株式会社丰田中央研究所

Inventor： 堀江俊男 ,  北原学 ,  铃木伸明 ,  森广行 ,  铃木宪一 ,  上田勇 ,  西野和彰

IPC: C23C8/72 ,  C23C4/10 ,  C23C8/04 ,  C23C8/24 ,  C23C8/80 ,  C23C28/04 ,  B05D5/12 ,  C25D11/00 ,  H01M8/02 ,  H01M8/10

CPC classification number: H01M8/0215 ,  C22C14/00 ,  C23C4/10 ,  C23C4/18 ,  C23C8/42 ,  C23C8/80 ,  H01M8/0206 ,  H01M8/0228 ,  Y02P70/56

Abstract: 提供一种导电耐腐蚀材料(3)，其以满足0.05≤[Ti]≤0.40、0.20≤[B]≤0.40和0.35≤[N]≤0.55(假设[Ti]+[B]+[N]＝1)的原子比率含有(Ti)、硼(B)和氮(N)。此外，提供一种制造导电耐腐蚀材料(3)的方法，其中氮化硼粉末粘附到至少表面由钛或者钛合金制成的基片(2)的表面，然后加热。此外，提供一种制造导电耐腐蚀材料(3)的方法，其中至少表面由钛或者钛合金制成的基片(2)的表面被渗硼然后被加热。另外，提供一种制造导电耐腐蚀材料(3)的方法，其中通过将TiB2粉末喷涂到金属基片(2)的表面上而形成由TiB2颗粒形成的TiB2层，并且然后对该TiB2层渗氮。

公开(公告)号：CN101448740B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200780018780.0

申请日：2007-05-22

Applicant: 株式会社丰田中央研究所

Inventor： 伊关崇 ,  山田由香 ,  中西和之 ,  大岛正 ,  森广行 ,  堀江俊男 ,  铃木宪一 ,  北原学

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  H01B1/04 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01M8/02

CPC classification number: C23C16/26 ,  H01M8/0206 ,  H01M8/0213 ,  H01M8/0228 ,  Y02P70/56 ,  Y10T428/30 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明的非晶碳膜是包含碳和氢的非晶碳膜，其中该非晶碳膜包含30原子％以下且大于0原子％的氢，并且当将碳的总量作为100原子％时，具有sp2杂化轨道的碳的存在量为70原子％以上且小于100原子％。通过控制氢、Csp3等的含量以增加包含Csp2的结构，从而对非晶碳膜赋予导电性。通过利用包含如下一种或多种气体的反应气体的等离子体CVD方法，可以形成该非晶碳膜，所述一种或多种气体选自包含具有sp2杂化轨道的碳的碳环化合物气体、和包含具有sp2杂化轨道的碳以及硅和/或氮的杂环化合物气体。通过在基材的表面上形成非晶碳膜可得到导电性部件。

公开(公告)号：CN101448740A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780018780.0

申请日：2007-05-22

Applicant: 株式会社丰田中央研究所

Inventor： 伊关崇 ,  山田由香 ,  中西和之 ,  大岛正 ,  森广行 ,  堀江俊男 ,  铃木宪一 ,  北原学

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  H01B1/04 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01M8/02

CPC classification number: C23C16/26 ,  H01M8/0206 ,  H01M8/0213 ,  H01M8/0228 ,  Y02P70/56 ,  Y10T428/30 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明的非晶碳膜是包含碳和氢的非晶碳膜，其中该非晶碳膜包含30原子％以下且大于0原子％的氢，并且当将碳的总量作为100原子％时，具有sp2杂化轨道的碳的存在量为70原子％以上且小于100原子％。通过控制氢、Csp3等的含量以增加包含Csp2的结构，从而对非晶碳膜赋予导电性。通过利用包含如下一种或多种气体的反应气体的等离子体CVD方法，可以形成该非晶碳膜，所述一种或多种气体选自包含具有sp2杂化轨道的碳的碳环化合物气体、和包含具有sp2杂化轨道的碳以及硅和/或氮的杂环化合物气体。通过在基材的表面上形成非晶碳膜可得到导电性部件。