Patent search ap:("株式会社半导体能源研究所") AND inv:"中岛佳美" Page 1

1.

发明公开
正极活性物质、二次电池、电子设备审中-实审

公开(公告)号：CN114930579A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202080089529.9

申请日：2020-12-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 三上真弓 , 斉藤丞 , 落合辉明 , 门马洋平 , 中岛佳美 , 浅田善治 , 种村和幸

IPC: H01M4/525 , C01G53/00 , H01M4/36 , H01M10/0525

Abstract: 本发明的一个方式提供一种即使反复充放电晶体结构也不容易崩塌的正极活性物质。提供一种充放电容量大的正极活性物质。该正极活性物质包含锂、钴、镍、镁及氧，正极活性物质的最表面层的a轴的晶格常数大于内部的a轴的晶格常数，最表面层的c轴的晶格常数大于内部的c轴的晶格常数。优选的是，最表面层的a轴的晶格常数与内部的a轴的晶格常数的变化率大于0且为0.12以下，最表面层的c轴的晶格常数与内部的c轴的晶格常数的变化率大于0且为0.18以下。

Patent Agency Ranking