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公开(公告)号:CN114930579A
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN202080089529.9
申请日:2020-12-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/525 , C01G53/00 , H01M4/36 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的一个方式提供一种即使反复充放电晶体结构也不容易崩塌的正极活性物质。提供一种充放电容量大的正极活性物质。该正极活性物质包含锂、钴、镍、镁及氧,正极活性物质的最表面层的a轴的晶格常数大于内部的a轴的晶格常数,最表面层的c轴的晶格常数大于内部的c轴的晶格常数。优选的是,最表面层的a轴的晶格常数与内部的a轴的晶格常数的变化率大于0且为0.12以下,最表面层的c轴的晶格常数与内部的c轴的晶格常数的变化率大于0且为0.18以下。
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公开(公告)号:CN118715644A
公开(公告)日:2024-09-27
申请号:CN202380020016.6
申请日:2023-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/04 , H01G11/82 , H01M50/105 , H01M50/131 , H01M50/474 , H01M50/477 , H01M50/486 , H01M50/489 , H01M50/533 , H01M50/54
Abstract: 提供一种能够抑制电极的劣化的二次电池。提供一种具有柔性的二次电池。提供一种二次电池,该二次电池包括正极、负极、隔离体、第一间隔物、第二间隔物、正极导线、负极导线及外包装体,其中正极包括涂敷有正极活性物质的第一部分及正极集流体露出的第二部分,负极包括涂敷有负极活性物质的第三部分及负极集流体露出的第四部分,第一部分、第三部分及隔离体在叠层部中彼此重叠,正极导线在与叠层部重叠的位置与第二部分连接,负极导线在与叠层部重叠的位置与第四部分连接,第一间隔物在由叠层部的一个端部、正极导线及负极导线围绕的区域中与外包装体接触,并且第二间隔物包括由叠层部及第二部分夹持的区域、由叠层部及第四部分夹持的区域以及与第一间隔物连接的区域。
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公开(公告)号:CN116457960A
公开(公告)日:2023-07-18
申请号:CN202180072722.6
申请日:2021-10-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/525
Abstract: 提供一种大容量且充放电循环特性良好的锂离子二次电池。提供一种大容量二次电池。提供一种充放电特性良好的二次电池。提供一种即使在长时间保持以高电压充电的状态时容量下降也得到抑制的二次电池。在上述二次电池中,在60℃的环境下达到4.5V的电压为止以电流值为0.5C进行恒定电流充电,然后反复交替进行150次以上的电流值达到0.2C为止进行恒压充电的充电过程以及达到3V的电压为止以电流值为0.5C进行恒流放电的放电过程,正极活性物质粒子的表层部为在放电后具有O3结构的钴酸锂,电解质包含咪唑鎓阳离子。
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公开(公告)号:CN117223137A
公开(公告)日:2023-12-12
申请号:CN202280031553.6
申请日:2022-04-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/052
Abstract: 提供一种容量高且充放电循环特性良好的锂离子二次电池。提供一种容量高的二次电池。提供一种在真空下形状变化少的二次电池。提供一种可弯曲二次电池。该二次电池包括正极活性物质以及电解质,正极活性物质为添加有镁的钴酸锂,镁在正极活性物质中具有从内部向表面提高的浓度梯度,电解质包含咪唑鎓盐,二次电池的可工作温度范围为‑20℃以上且100℃以下。
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公开(公告)号:CN115461889A
公开(公告)日:2022-12-09
申请号:CN202180032150.9
申请日:2021-04-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/13 , H01M4/02 , H01M4/134 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/48 , H01M4/58 , H01M4/587 , H01M4/62 , C01B32/194
Abstract: 提供一种劣化少的负极活性物质粒子。另外,提供一种新颖的负极活性物质粒子。另外,提供一种劣化少的蓄电装置。另外,提供一种安全性高的蓄电装置。另外,提供一种新颖的蓄电装置。本发明的一个方式是一种电极,包括:活性物质;以及导电剂,其中,活性物质包含含有选自硅、锡、镓、铝、锗、铅、锑、铋、银、锌、镉和铟中的一个以上的元素的金属或化合物,导电剂包含石墨烯化合物,并且,石墨烯化合物包含氟。
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公开(公告)号:CN115803910A
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN202180048953.3
申请日:2021-07-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/38
Abstract: 提供一种劣化少的电极或劣化少的二次电池。本发明的一个方式是一种电极,包括:第一区域;以及第二区域,其中,第一区域包括含有硅的粒子,第二区域包括含有硅的粒子及石墨烯化合物,并且,第二区域覆盖第一区域的至少一部分并与其接触。另外,该电极包括多个含有硅的粒子及石墨烯化合物,多个含有硅的粒子的每一个在表面的至少一部分具有含有氧及碳的官能团、含有氧的官能团或氟原子,石墨烯化合物在石墨烯化合物的面上包含被氢终结的碳和被氟终结的碳中的至少一个,石墨烯化合物以密切缠绕多个含有硅的粒子的方式接触于多个含有硅的粒子。含有硅的粒子优选包含非晶硅或多晶硅。
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