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公开(公告)号：CN115241045B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202210902715.0
申请日：2017-03-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为‑1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3V/decade的区域。
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公开(公告)号：CN112514079B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201980050350.X
申请日：2019-07-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L27/12 , H05B33/14
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层及第一导电层。在第一绝缘层上依次层叠半导体层、第二绝缘层及第一导电层。第二绝缘层具有依次层叠第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜的叠层结构。第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜各自包含氧化物。第一绝缘膜包括与半导体层接触的部分。半导体层包含铟、镓及氧，并包括铟的含有率比镓的含有率高的区域。
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公开(公告)号：CN118743327A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202380016772.1
申请日：2023-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/122 , G09F9/30 , H10K50/81 , H10K50/82
Abstract: 提供一种高清晰显示装置。显示装置包括晶体管、发光器件及第一绝缘层。晶体管包括半导体层、第一至第三导电层、第二及第三绝缘层。第二绝缘层设置在第一导电层上并包括到达第一导电层的第一开口。第二导电层设置在第二绝缘层上并在与第一开口重叠的区域中包括第二开口。半导体层与第一导电层的顶面、第二绝缘层的侧面、第二导电层的顶面及侧面接触。第三绝缘层设置在半导体层上。第三导电层设置在第三绝缘层上。第一绝缘层设置在晶体管上。第一及第三绝缘层包括到达第二导电层的第三开口。发光器件设置在第一绝缘层上并包括像素电极、公共电极及EL层。像素电极通过第三开口电连接于第二导电层。EL层具有与像素电极的顶面及侧面接触的区域。
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公开(公告)号：CN118284923A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202280077713.0
申请日：2022-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G09F9/00 , H01L31/10 , H01L31/12 , H05B33/02 , H05B33/10 , H05B33/12 , H05B33/14 , H05B33/22 , H10K30/60 , H10K50/00 , H10K59/00
Abstract: 提供一种高清晰的显示装置。提供一种具有高显示品质的显示装置。该显示装置包括：第一绝缘层上的第一发光元件及第二发光元件；第二绝缘层；以及第三绝缘层。第一发光元件包括第一像素电极及第一有机层。第二发光元件包括第二像素电极及第二有机层。第一绝缘层包括从平面看时沿第一像素电极的边设置的槽状区域。槽状区域包括与第一像素电极重叠的第一区域及与第二像素电极重叠的第二区域。第一区域及第二区域的宽度为20nm以上且500nm以下。第二绝缘层包括与第一有机层的顶面接触的区域、与第一有机层的侧面接触的区域及位于第一像素电极的下方的区域。第三绝缘层包括与第二有机层的顶面接触的区域、与第二有机层的侧面接触的区域以及位于第二像素电极的下方的区域。
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公开(公告)号：CN118265398A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311775614.2
申请日：2023-12-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K71/00 , H10K59/121 , H10K59/126 , H10K59/131
Abstract: 提供一种方便性、实用性或可靠性良好的新颖显示装置的制造方法。另外，提供一种显示装置、显示模块、电子设备。在第2步骤中在第一电极及第二电极上形成第一膜，在第3步骤中在第一膜上形成第二膜，在第4步骤中通过CVD法在第二膜上形成第三膜，在第5步骤中通过蚀刻法从第二电极上去除第三膜的一部分，来形成与第一电极重叠的第一层。并且，在第6步骤中利用第一层通过蚀刻法从第二电极上去除第二膜的一部分及第一膜的一部分，来形成与第一电极重叠的第二层及第一单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118235541A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280074888.6
申请日：2022-11-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/122 , G09F9/30 , H01L29/786 , H10K50/19 , H10K50/813 , H10K50/826 , H10K59/124 , H10K59/38
Abstract: 提供一种串扰的发生得到抑制的显示装置。该显示装置包括具有第一区域及比第一区域其顶面位置低的第二区域的第一绝缘层、具有与第一区域上重叠的区域的第二绝缘层、隔着第二绝缘层具有与第一区域上重叠的区域的发光器件、具有与第二区域上重叠的区域的叠层体、具有与叠层体上重叠的区域的第三绝缘层，第二绝缘层具有与第二区域重叠的突出部，发光器件至少包括发光层、发光层上的第一上部电极及第一上部电极上的第二上部电极，第二上部电极具有与第三绝缘层上重叠的区域，叠层体包含与发光层相同的材料。
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公开(公告)号：CN117501808A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202280041854.7
申请日：2022-06-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/24
Abstract: 提供一种高清晰显示装置。该显示装置包括第一发光器件、与第一发光器件相邻的第二发光器件、与第二发光器件相邻的第三发光器件、第一绝缘层以及第二绝缘层，第一绝缘层具有第一发光器件与第二发光器件之间的第一区域以及第二发光器件与第三发光器件之间的第二区域，第二绝缘层具有位于第三发光器件所包括的下部电极上的区域，第三发光器件所包括的第三有机化合物层的厚度与第一发光器件所包括的第一有机化合物层的厚度不同，第三发光器件所包括的第三有机化合物层的厚度与第二发光器件所包括的第二有机化合物层的厚度不同，在从截面看时，第一绝缘层以使离第三发光器件的下部电极的底面的高度与离第二发光器件的下部电极的底面的高度相同的方式设置。
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公开(公告)号：CN117397045A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202280034866.7
申请日：2022-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 提供一种微型化的半导体装置。该半导体装置包括衬底上的半导体层、在半导体层上分开配置的第一导电层及第二导电层、以与第一导电层的顶面接触的方式配置的掩模层、以覆盖半导体层、第一导电层、第二导电层及掩模层的方式配置的第一绝缘层以及配置在第一绝缘层上且与半导体层重叠的第三导电层，第一绝缘层与掩模层的顶面及侧面、第一导电层的侧面、第二导电层的顶面及侧面以及半导体层的顶面接触，该半导体装置具有第一导电层和第二导电层相对的端部之间的距离为1μm以下的区域。
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公开(公告)号：CN117321662A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280035772.1
申请日：2022-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30
Abstract: 提供一种具有摄像功能的显示装置。提供一种开口率高的显示装置或摄像装置。显示装置包括发光元件、受光元件、第一树脂层及遮光层。发光元件中依次层叠有第一像素电极、第一有机层及公共电极。受光元件中依次层叠有第二像素电极、第二有机层及公共电极。第一有机层包括第一发光层，第二有机层包括光电转换层。遮光层在从平面看时具有位于发光元件与受光元件之间的部分。第一树脂层以覆盖发光元件及受光元件的方式设置。另外，第一树脂层具有位于发光元件与遮光层之间以及受光元件与遮光层之间的部分。并且，第一树脂层在与遮光层重叠的区域中具有其厚度小于发光元件与受光元件的排列间隔的部分。
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公开(公告)号：CN110226219B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201880008351.3
申请日：2018-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , G09F9/30 , H01L29/786 , H10K50/00 , H05B33/10 , H05B33/14
Abstract: 且在比第一温度低的第二温度下进行等离子体提供一种电特性良好的半导体装置。提供一 处理的第六工序；以及在第二绝缘层上形成包含种生产率高的半导体装置的制造方法。提供一种 硅和氮的第三绝缘层的第七工序。成品率高的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：形成包含硅和氮的第一绝缘层的第一工序；对第一绝缘层的表面附近添加氧的第二工序；在第一绝缘层上并与其接触地形成包含金属氧化物的半导体层的第三工序；在半导体层上并与其接触地形成包含氧的第二绝缘层的(56)对比文件US 2011003418 A1,2011.01.06US 2011263091 A1,2011.10.27US 2013137255 A1,2013.05.30US 2014206133 A1,2014.07.24US 2015340505 A1,2015.11.26US 2016225795 A1,2016.08.04US 2016284859 A1,2016.09.29
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