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公开(公告)号：CN104134673A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410186936.8
申请日：2009-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的发明名称是显示装置及其制造方法。本发明提供一种适用于设置在显示面板中的共同连接部的结构。设置在像素部的外侧区域的共同连接部具有使用与栅极绝缘层相同的层形成的绝缘层、使用与第二氧化物半导体层相同的层形成的氧化物半导体层、以及使用与导电层相同的层形成的导电层(也称为共同电位线)的层叠结构，其中，通过设置在第一氧化物半导体层上的层间绝缘层中的开口，导电层(也称为共同电位线)连接到共同电极，并且与像素电极相对的电极通过导电粒子电连接到共同电极。
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公开(公告)号：CN101419946A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810175034.9
申请日：2008-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F2001/136236 , H01L27/1214
Abstract: 本发明的目的之一在于通过缩减曝光掩模数使光刻工序简化，以低成本且高生产率制造具有可靠性的显示装置。在具有沟道蚀刻结构的反交错型薄膜晶体管的显示装置的制造方法中，使用掩模层进行蚀刻工序，该掩模层使用用作透过的光具有多个强度的曝光掩模的多级灰度掩模形成。进而，在衬底上以彼此相同的工序形成栅极布线层和源极布线层，且在栅极布线层和源极布线层的交叉部以源极布线层为分割(切断)的形状。被分割的源极布线层在开口(接触孔)中隔着导电层彼此电连接。该导电层通过与源电极层及漏电极层相同的工序在栅极绝缘层上形成。
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公开(公告)号：CN101419945A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810175032.X
申请日：2008-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F2001/13606 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236 , G02F2001/13625 , G02F2201/50 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L27/1214
Abstract: 本发明的制造方法包括如下工序：在衬底上形成由透明导电层和金属层的叠层构成的第一导电层，并且使用第一多级灰度掩模来形成由第一导电层构成的栅电极和由单层的透明导电层构成的像素电极；在形成栅极绝缘膜和I型半导体层和n+型半导体层之后使用第二多级灰度掩模形成像素电极中的接触孔及I型半导体层和n+型半导体层的岛；在形成第二导电层之后使用第三光掩模形成源电极及漏电极；在形成保护膜之后使用第四光掩模来形成开口区域。注意，该使用第四光掩模的工序可以通过使用背面曝光技术及回流技术而省略掩模。
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公开(公告)号：CN102160105B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN200980137845.2
申请日：2009-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种适用于设置在显示面板中的共同连接部的结构。设置在像素部的外侧区域的共同连接部具有使用与栅极绝缘层相同的层形成的绝缘层、使用与第二氧化物半导体层相同的层形成的氧化物半导体层、以及使用与导电层相同的层形成的导电层(也称为共同电位线)的层叠结构，其中，通过设置在第一氧化物半导体层上的层间绝缘层中的开口，导电层(也称为共同电位线)连接到共同电极，并且与像素电极相对的电极通过导电粒子电连接到共同电极。
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公开(公告)号：CN101419946B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200810175034.9
申请日：2008-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/13 , H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F2001/136236 , H01L27/1214
Abstract: 本发明的目的之一在于通过缩减曝光掩模数使光刻工序简化，以低成本且高生产率制造具有可靠性的显示装置。在具有沟道蚀刻结构的反交错型薄膜晶体管的显示装置的制造方法中，使用掩模层进行蚀刻工序，该掩模层使用用作透过的光具有多个强度的曝光掩模的多级灰度掩模形成。进而，在衬底上以彼此相同的工序形成栅极布线层和源极布线层，且在栅极布线层和源极布线层的交叉部以源极布线层为分割(切断)的形状。被分割的源极布线层在开口(接触孔)中隔着导电层彼此电连接。该导电层通过与源电极层及漏电极层相同的工序在栅极绝缘层上形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102496628B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201110373876.7
申请日：2009-09-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/417 , H01L29/06
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/13392 , G02F1/13458 , G02F2001/13398 , G09G2300/0804 , H01L27/124 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L51/5221
Abstract: 一种显示装置，包括其中像素电极层按矩阵排列并且对应于该像素电极层而设置具有不同含氧量的至少两种氧化物半导体层的组合的反交错型薄膜晶体管的像素部。在该显示装置中在像素部周边，焊盘部设置成通过由与像素电极层相同的材料形成的导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。通过提供适合于在显示面板中设置的焊盘部的结构，可以实现本发明防止在各种显示装置中由于薄膜的分离所造成的缺陷的一个目的。
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公开(公告)号：CN102160184B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN200980137843.3
申请日：2009-09-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/133 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G02F1/167 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/13392 , G02F1/13458 , G02F2001/13398 , G09G2300/0804 , H01L27/124 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L51/5221
Abstract: 一种显示装置，包括其中像素电极层按矩阵排列并且对应于该像素电极层而设置具有不同含氧量的至少两种氧化物半导体层的组合的反交错型薄膜晶体管的像素部。在该显示装置中在像素部周边，焊盘部设置成通过由与像素电极层相同的材料形成的导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。通过提供适合于在显示面板中设置的焊盘部的结构，可以实现本发明防止在各种显示装置中由于薄膜的分离所造成的缺陷的一个目的。
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公开(公告)号：CN103545342A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310468513.0
申请日：2009-08-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/7869 , H01L51/5221
Abstract: 本公开涉及半导体装置。一种显示装置包括其中像素以矩阵状排列的像素部，该像素包括：具有含氧量不同的至少两种氧化物半导体层的组合并在与栅电极层重叠的成为沟道形成区的半导体层上具有沟道保护层的反交错型薄膜晶体管；以及与该反交错型薄膜晶体管电连接的像素电极层。在该显示装置中的该像素部的周边，设置有包括由与所述像素电极层相同材料而形成的导电层的焊盘部。并且，所述导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。
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公开(公告)号：CN102160104A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980137844.8
申请日：2009-08-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/133 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G02F1/167 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/7869 , H01L51/5221
Abstract: 一种显示装置包括其中像素以矩阵状排列的像素部，该像素包括：具有含氧量不同的至少两种氧化物半导体层的组合并在与栅电极层重叠的成为沟道形成区的半导体层上具有沟道保护层的反交错型薄膜晶体管；以及与该反交错型薄膜晶体管电连接的像素电极层。在该显示装置中的该像素部的周边，设置有包括由与所述像素电极层相同材料而形成的导电层的焊盘部。并且，所述导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。
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公开(公告)号：CN103985718B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201410239406.5
申请日：2009-09-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , G09G3/36
Abstract: 一种显示装置，包括其中像素电极层按矩阵排列并且对应于该像素电极层而设置具有不同含氧量的至少两种氧化物半导体层的组合的反交错型薄膜晶体管的像素部。在该显示装置中在像素部周边，焊盘部设置成通过由与像素电极层相同的材料形成的导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。通过提供适合于在显示面板中设置的焊盘部的结构，可以实现本发明防止在各种显示装置中由于薄膜的分离所造成的缺陷的一个目的。
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