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公开(公告)号：CN104134673A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410186936.8
申请日：2009-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的发明名称是显示装置及其制造方法。本发明提供一种适用于设置在显示面板中的共同连接部的结构。设置在像素部的外侧区域的共同连接部具有使用与栅极绝缘层相同的层形成的绝缘层、使用与第二氧化物半导体层相同的层形成的氧化物半导体层、以及使用与导电层相同的层形成的导电层(也称为共同电位线)的层叠结构，其中，通过设置在第一氧化物半导体层上的层间绝缘层中的开口，导电层(也称为共同电位线)连接到共同电极，并且与像素电极相对的电极通过导电粒子电连接到共同电极。
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公开(公告)号：CN102160105B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN200980137845.2
申请日：2009-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种适用于设置在显示面板中的共同连接部的结构。设置在像素部的外侧区域的共同连接部具有使用与栅极绝缘层相同的层形成的绝缘层、使用与第二氧化物半导体层相同的层形成的氧化物半导体层、以及使用与导电层相同的层形成的导电层(也称为共同电位线)的层叠结构，其中，通过设置在第一氧化物半导体层上的层间绝缘层中的开口，导电层(也称为共同电位线)连接到共同电极，并且与像素电极相对的电极通过导电粒子电连接到共同电极。
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公开(公告)号：CN113614727A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080018555.2
申请日：2020-02-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种从电路图或示出电路结构的文件制作网表的系统。本发明的一个方式是一种包括第一电子设备的AI系统，第一电子设备包括输入/输出接口、控制部及第一转换部，输入/输出接口与控制部电连接，第一转换部与控制部电连接。输入/输出接口具有将由于使用者的操作而生成的输入数据发送到控制部的功能，控制部具有将输入数据发送到第一转换部的功能。注意，输入数据为描绘了电路结构的电路图或示出了电路结构的文档文件。第一转换部包括构成神经网络的电路，第一转换部使用第一转换部的神经网络将输入数据转换为网表。
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公开(公告)号：CN103985718B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201410239406.5
申请日：2009-09-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , G09G3/36
Abstract: 一种显示装置，包括其中像素电极层按矩阵排列并且对应于该像素电极层而设置具有不同含氧量的至少两种氧化物半导体层的组合的反交错型薄膜晶体管的像素部。在该显示装置中在像素部周边，焊盘部设置成通过由与像素电极层相同的材料形成的导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。通过提供适合于在显示面板中设置的焊盘部的结构，可以实现本发明防止在各种显示装置中由于薄膜的分离所造成的缺陷的一个目的。
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公开(公告)号：CN104134673B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410186936.8
申请日：2009-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的发明名称是显示装置及其制造方法。本发明提供一种适用于设置在显示面板中的共同连接部的结构。设置在像素部的外侧区域的共同连接部具有使用与栅极绝缘层相同的层形成的绝缘层、使用与第二氧化物半导体层相同的层形成的氧化物半导体层、以及使用与导电层相同的层形成的导电层(也称为共同电位线)的层叠结构，其中，通过设置在第一氧化物半导体层上的层间绝缘层中的开口，导电层(也称为共同电位线)连接到共同电极，并且与像素电极相对的电极通过导电粒子电连接到共同电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102160104B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200980137844.8
申请日：2009-08-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/133 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G02F1/167 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/7869 , H01L51/5221
Abstract: 一种显示装置包括其中像素以矩阵状排列的像素部，该像素包括：具有含氧量不同的至少两种氧化物半导体层的组合并在与栅电极层重叠的成为沟道形成区的半导体层上具有沟道保护层的反交错型薄膜晶体管；以及与该反交错型薄膜晶体管电连接的像素电极层。在该显示装置中的该像素部的周边，设置有包括由与所述像素电极层相同材料而形成的导电层的焊盘部。并且，所述导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。
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公开(公告)号：CN102160105A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980137845.2
申请日：2009-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种适用于设置在显示面板中的共同连接部的结构。设置在像素部的外侧区域的共同连接部具有使用与栅极绝缘层相同的层形成的绝缘层、使用与第二氧化物半导体层相同的层形成的氧化物半导体层、以及使用与导电层相同的层形成的导电层(也称为共同电位线)的层叠结构，其中，通过设置在第一氧化物半导体层上的层间绝缘层中的开口，导电层(也称为共同电位线)连接到共同电极，并且与像素电极相对的电极通过导电粒子电连接到共同电极。
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公开(公告)号：CN119318054A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380045088.6
申请日：2023-06-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0587 , H01G11/26 , H01G11/46 , H01G11/70 , H01G11/74 , H01M4/13 , H01M4/131 , H01M4/525 , H01M10/052 , H01M50/533 , H01M50/538
Abstract: 提供一种同时实现高安全性及充放电时间的缩短的二次电池。该二次电池为卷绕型二次电池，正极的正极集流体包括第一极耳及第二极耳，负极的负极集流体包括第三极耳及第四极耳。第一极耳位于比第二极耳更接近卷绕中心的部分，第三极耳位于比第四极耳更接近卷绕中心的部分。第一极耳与第二极耳在第一接合部接合，第三极耳与第四极耳在第二接合部接合。正极活性物质包括第一区域及位于正极活性物质的表面一侧的第二区域。第一区域包含锂、钴及氧。第二区域包含锂、钴、镁及氧。
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公开(公告)号：CN118160094A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202280071806.2
申请日：2022-10-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/092 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H10B12/00
Abstract: 提供一种实现小型化的半导体装置。该半导体装置包括第一层以及第一层上的第二层。第一层包括在沟道形成区域中含有硅的p沟道型第一晶体管。第二层包括在沟道形成区域中含有金属氧化物的n沟道型第二晶体管。由第一晶体管和第二晶体管构成CMOS电路。第一晶体管的沟道长度比第二晶体管的沟道长度长。
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公开(公告)号：CN103545342B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201310468513.0
申请日：2009-08-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/7869 , H01L51/5221
Abstract: 本公开涉及半导体装置。一种显示装置包括其中像素以矩阵状排列的像素部，该像素包括：具有含氧量不同的至少两种氧化物半导体层的组合并在与栅电极层重叠的成为沟道形成区的半导体层上具有沟道保护层的反交错型薄膜晶体管；以及与该反交错型薄膜晶体管电连接的像素电极层。在该显示装置中的该像素部的周边，设置有包括由与所述像素电极层相同材料而形成的导电层的焊盘部。并且，所述导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。
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