公开(公告)号：CN101552210B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200910134221.7

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  本田达也 ,  曾根宽人

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  C23F1/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。

公开(公告)号：CN101887857B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201010206970.9

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  本田达也 ,  曾根宽人

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。

公开(公告)号：CN101887704A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010206850.9

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  本田达也 ,  曾根宽人

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/34 ,  H01L27/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。

公开(公告)号：CN102593187B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201210044361.7

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  本田达也 ,  曾根宽人

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。

公开(公告)号：CN101887704B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201010206850.9

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  本田达也 ,  曾根宽人

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/34 ,  H01L27/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。

公开(公告)号：CN101887918A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010206738.5

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  本田达也 ,  曾根宽人

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L21/34 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。

公开(公告)号：CN101887856A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010206924.9

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  本田达也 ,  曾根宽人

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。

公开(公告)号：CN101335276A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810145974.3

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  本田达也 ,  曾根宽人

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L29/24 ,  H01L27/32 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。

公开(公告)号：CN101335212A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810145969.2

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  本田达也 ,  曾根宽人

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L29/43 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。

公开(公告)号：CN103560085A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310054337.6

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  本田达也 ,  曾根宽人

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。