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公开(公告)号:CN104934535B
公开(公告)日:2017-09-15
申请号:CN201510244010.4
申请日:2011-09-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0074 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , H01L51/0052 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/50 , H01L51/5048 , H01L2251/303 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供:一种包含有机化合物和无机化合物且载流子传输性高的复合材料;一种对有机化合物的载流子注入性高的复合材料;一种不容易发生由电荷转移相互作用导致的光吸收的复合材料;一种包含上述复合材料而具有高发光效率的发光元件;一种具有低驱动电压的发光元件;一种具有长使用寿命的发光元件;以及一种复合材料,该复合材料包含具有二苯并噻吩骨架或二苯并呋喃骨架的杂环化合物和对该杂环化合物呈现电子接收性的无机化合物。
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公开(公告)号:CN103904229B
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201410135787.2
申请日:2009-12-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0067 , H01L51/007 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/5004 , H01L51/5016 , H01L51/5036 , H01L51/504 , H01L51/5278
Abstract: 本发明的目的之一在于提供呈现出高亮度的发光并且能够以低电压驱动的发光元件。此外,本发明的目的之一在于提供使耗电量降低的发光元件或电子设备。在阳极和阴极之间,设置有n(n是2以上的自然数)层的EL层,在第一EL层和第二EL层之间从阳极一侧按顺序具有包含选自碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物或稀土金属化合物中的任一种的第一层,与第一层接触并包含高电子传输性物质的第二层,与第二层接触并包含高空穴传输性物质及受体物质的区域。
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公开(公告)号:CN104733631B
公开(公告)日:2017-10-13
申请号:CN201510172639.2
申请日:2009-11-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5068 , H01L51/002 , H01L51/0053 , H01L51/50 , H01L51/506 , H01L51/5092
Abstract: 本发明的一个方式的目的在于提供一种能够抑制驱动电压的上升的发光装置。另外,本发明的一个方式的目的还在于提供一种含有这种发光装置而降低耗电量的发光装置。一种在阳极与阴极之间具有EL层的发光装置,其中在阴极与EL层之间,接触阴极地形成能够产生载流子的第一层,接触第一层地形成授受在第一层中产生的电子的第二层,并且接触第二层地形成将从第二层接受的电子注入到EL层的第三层。
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公开(公告)号:CN102255050B
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201110087051.9
申请日:2011-03-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0078 , H01L51/0072 , H01L51/5036 , H01L51/5048 , Y10S428/917
Abstract: 一种发光元件,其以高亮度发光,并且可以在低电压下驱动。所述发光元件包括位于阳极和阴极之间的n个(n是大于或等于2的自然数)EL层,包括介于从阳极计第m(m是自然数,1≤m≤n?1)个EL层和第(m+1)个EL层之间的第一层、第二层和第三层。所述第一层作为电荷产生区域,具有空穴传输性质,包含受体物质。所述第三层具有电子传输性质,包含碱金属等。在所述第一和第三层之间提供由包含金属?氧键和芳族配体的金属配合物形成的第二层,从而在将第一层中产生的电子通过第三层注入第m个EL层的时候,降低注入势垒。
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公开(公告)号:CN105742516A
公开(公告)日:2016-07-06
申请号:CN201610090066.3
申请日:2011-03-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0078 , H01L51/0072 , H01L51/5036 , H01L51/5048 , H01L51/56
Abstract: 一种发光元件,其以高亮度发光,并且可以在低电压下驱动。所述发光元件包括位于阳极和阴极之间的n个(n是大于或等于2的自然数)EL层,包括介于从阳极计第m(m是自然数,1≤m≤n?1)个EL层和第(m+1)个EL层之间的第一层、第二层和第三层。所述第一层作为电荷产生区域,具有空穴传输性质,包含受体物质。所述第三层具有电子传输性质,包含碱金属等。所述第二层由基于酞菁的材料形成,提供在所述第一层和第三层之间,从而在将第一层中产生的电子通过第三层注入所述第m个EL层的时候,可以降低注入势垒。
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公开(公告)号:CN101752512B
公开(公告)日:2014-05-07
申请号:CN200910253370.5
申请日:2009-12-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0067 , H01L51/007 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/5004 , H01L51/5016 , H01L51/5036 , H01L51/504 , H01L51/5278
Abstract: 本发明的目的之一在于提供呈现出高亮度的发光并且能够以低电压驱动的发光元件。此外,本发明的目的之一在于提供使耗电量降低的发光元件或电子设备。在阳极和阴极之间,设置有n(n是2以上的自然数)层的EL层,在第一EL层和第二EL层之间从阳极一侧按顺序具有包含选自碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物或稀土金属化合物中的任一种的第一层,与第一层接触并包含高电子传输性物质的第二层,与第二层接触并包含高空穴传输性物质及受体物质的区域。
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公开(公告)号:CN103477463A
公开(公告)日:2013-12-25
申请号:CN201280018708.9
申请日:2012-04-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50 , C07D239/26 , C07F15/00 , C09K11/06
CPC classification number: C07F15/0033 , C07F15/0086
Abstract: 本发明公开一种磷光有机金属配合物,其具有:具有氮原子的6-元杂芳环;与氮原子配位的铱或铂;以及与氮原子的α碳键合且与铱或铂邻位金属化的芳基,其中杂芳环和芳基中的至少一个包括具有分子内碳-碳桥连键的脂环烃作为取代基。脂环烃的巨大结构的抑制有机金属配合物聚集的能力有助于增加有机金属配合物的吸收系数及磷光效率,该能力与脂环烃对杂芳环或芳基的强电子给体性呼应。经改进的吸收系数及磷光效率得以形成具有超过25%的极佳的外部量子效率的发光元件。
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公开(公告)号:CN102408407A
公开(公告)日:2012-04-11
申请号:CN201110278052.1
申请日:2011-09-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D333/76 , C07D307/91 , C07D409/10 , C09K11/06 , C07C49/813 , C07C33/46 , C07C25/22 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/0058 , C07C25/02 , C07C25/22 , C07C31/36 , C07C33/46 , C07C33/50 , C07C49/163 , C07C49/333 , C07C49/80 , C07C2603/18 , C07C2603/24 , C07C2603/50 , C07D307/91 , C07D333/76 , C07D409/10 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/006 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/5004 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/508 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L2251/301 , H01L2251/308 , H01L2251/552 , H05B33/10 , Y10S428/917
Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有空穴传输性,并且其带隙宽的物质。提供由通式(G1)表示的芴化合物。在通式(G1)中,α1及α2分别独立地表示取代或未取代的碳数为6至13的亚芳基,Ar1表示取代或未取代的碳数为6至18的芳基、取代或未取代的4-二苯并噻吩基或取代或未取代的4-二苯并呋喃基,n及k分别独立地表示0或1,Q1表示硫或氧,R1至R15分别独立地表示氢、碳数为1至12的烷基或碳数为6至14的芳基。
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公开(公告)号:CN102208551A
公开(公告)日:2011-10-05
申请号:CN201110087061.2
申请日:2011-03-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0078 , H01L51/0072 , H01L51/5036 , H01L51/5048
Abstract: 一种发光元件,其以高亮度发光,并且可以在低电压下驱动。所述发光元件包括位于阳极和阴极之间的n个(n是大于或等于2的自然数)EL层,包括介于从阳极计第m(m是自然数,1≤m≤n-1)个EL层和第(m+1)个EL层之间的第一层、第二层和第三层。所述第一层作为电荷产生区域,具有空穴传输性质,包含受体物质。所述第三层具有电子传输性质,包含碱金属等。所述第二层由基于酞菁的材料形成,提供在所述第一层和第三层之间,从而在将第一层中产生的电子通过第三层注入所述第m个EL层的时候,可以降低注入势垒。
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公开(公告)号:CN101752510A
公开(公告)日:2010-06-23
申请号:CN200910251244.6
申请日:2009-11-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5068 , H01L51/002 , H01L51/0053 , H01L51/50 , H01L51/506 , H01L51/5092
Abstract: 本发明的一个方式的目的在于提供一种能够抑制驱动电压的上升的发光元件。另外,本发明的一个方式的目的还在于提供一种含有这种发光元件而降低耗电量的发光装置。一种在阳极与阴极之间具有EL层的发光元件,其中在阴极与EL层之间,接触阴极地形成能够产生载流子的第一层,接触第一层地形成授受在第一层中产生的电子的第二层,并且接触第二层地形成将从第二层接受的电子注入到EL层的第三层。
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