公开(公告)号：CN105980307B

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201580007726.0

申请日：2015-02-09

Applicant: 株式会社日本触媒

Inventor： 小野勇二 ,  大石英树 ,  芝崎将一

IPC: C01B33/18 ,  C08K9/06 ,  C08L101/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供了一种用硅化合物均匀地进行表面处理，改良了表面特性和与树脂的亲和性的二氧化硅粒子。本发明的二氧化硅粒子，用特定的硅化合物进行表面处理而成，X射线光电子能谱分析(XPS)中的C/Si的比为0.05以上。

公开(公告)号：CN105980307A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580007726.0

申请日：2015-02-09

Applicant: 株式会社日本触媒

Inventor： 小野勇二 ,  大石英树 ,  芝崎将一

IPC: C01B33/18 ,  C08K9/06 ,  C08L101/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供了一种用硅化合物均匀地进行表面处理，改良了表面特性和与树脂的亲和性的二氧化硅粒子。本发明的二氧化硅粒子，用特定的硅化合物进行表面处理而成，X射线光电子能谱分析(XPS)中的C/Si的比为0.05以上。

公开(公告)号：CN110461768B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN201880021559.9

申请日：2018-04-05

Applicant: 株式会社日本触媒

Inventor： 西村仁希 ,  小野勇二 ,  芝崎将一

IPC: C01B33/18 ,  C08F292/00 ,  C08K3/36 ,  C08K9/04 ,  C08L101/00 ,  C09C1/30 ,  C09C3/08

Abstract: 本发明的课题在于提供可提供均匀性良好的二氧化硅粒子分散体的二氧化硅粒子。本发明的二氧化硅粒子，其为根据BET法由比表面积算出的平均一次粒径dBET为1nm以上100nm以下，并且，根据动态光散射法测定的平均二次粒径dDLS与所述dBET之比(dDLS/dBET)为1.2以下的二氧化硅粒子。本发明的二氧化硅粒子用放大倍率20万倍的透射型电子显微镜测定的粒径的变异系数优选为20％以下。

公开(公告)号：CN110461768A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880021559.9

申请日：2018-04-05

Applicant: 株式会社日本触媒

Inventor： 西村仁希 ,  小野勇二 ,  芝崎将一

IPC: C01B33/18 ,  C08F292/00 ,  C08K3/36 ,  C08K9/04 ,  C08L101/00 ,  C09C1/30 ,  C09C3/08

Abstract: 本发明的课题在于提供可提供均匀性良好的二氧化硅粒子分散体的二氧化硅粒子。本发明的二氧化硅粒子，其为根据BET法由比表面积算出的平均一次粒径dBET为1nm以上100nm以下，并且，根据动态光散射法测定的平均二次粒径dDLS与所述dBET之比(dDLS/dBET)为1.2以下的二氧化硅粒子。本发明的二氧化硅粒子用放大倍率20万倍的透射型电子显微镜测定的粒径的变异系数优选为20％以下。