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公开(公告)号：CN105191132A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201380076459.3
申请日：2013-05-10
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H02M3/158 , H01L29/786 , H02M1/00 , H02M1/32 , H02M2001/0009 , H03K17/0828 , H03K17/168 , H03K2217/0036
Abstract: 本发明的绝缘栅型半导体元件的控制装置通过分别提供给第1绝缘栅极以及第2绝缘栅极的第1控制电压以及第2控制电压，驱动具备第1绝缘栅极和第2绝缘栅极的绝缘栅型半导体元件，具备：第1噪声滤波器，输入与绝缘栅型半导体元件中流过的电流相关的信号；第1比较器，比较第1噪声滤波器的输出信号和第1基准信号，输出第1比较结果；第2控制电压输出电路，如果根据第1比较结果判定为绝缘栅型半导体元件中流过过电流，则使第2控制电压降低；以及第1控制电压输出电路，在第2控制电压降低之后，使第1控制电压降低。
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公开(公告)号：CN102714217B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201080060476.4
申请日：2010-01-04
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/739 , H01L27/04 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L27/0664 , H01L29/0619 , H01L29/0839 , H01L29/1095 , H01L29/402
Abstract: 本发明提供半导体装置及使用半导体装置的电力转换装置，具体而言，提供可抑制在短路时流动的过电流且低损失、低噪音(低电位变位、低电流振动)的、元件的耐破损量高的IGBT。一种隧道型的IGBT，具备配置成宽窄两种间隔的多个隧道栅极，在以窄间隔配置的所述隧道栅极彼此间具有带有第一导电型的沟道的MOS结构，在以宽间隔配置的所述隧道栅极彼此间具备通过隔着第二导电型的第三半导体层的一部而与所述隧道栅极分离的第一导电型的浮动半导体层。另外，该浮动半导体层隔着绝缘膜配置在对应于与发射电极同电位的第一导电体层的位置上并且平行地配置。根据以上结构，能够缓和所述隧道栅极的角部的电场集中而提高耐压，并且可实现低噪音、低损失。
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公开(公告)号：CN102714217A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080060476.4
申请日：2010-01-04
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/739 , H01L27/04 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L27/0664 , H01L29/0619 , H01L29/0839 , H01L29/1095 , H01L29/402
Abstract: 本发明提供半导体装置及使用半导体装置的电力转换装置，具体而言，提供可抑制在短路时流动的过电流且低损失、低噪音(低电位变位、低电流振动)的、元件的耐破损量高的IGBT。一种隧道型的IGBT，具备配置成宽窄两种间隔的多个隧道栅极，在以窄间隔配置的所述隧道栅极彼此间具有带有第一导电型的沟道的MOS结构，在以宽间隔配置的所述隧道栅极彼此间具备通过隔着第二导电型的第三半导体层的一部而与所述隧道栅极分离的第一导电型的浮动半导体层。另外，该浮动半导体层隔着绝缘膜配置在对应于与发射电极同电位的第一导电体层的位置上并且平行地配置。根据以上结构，能够缓和所述隧道栅极的角部的电场集中而提高耐压，并且可实现低噪音、低损失。
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公开(公告)号：CN102034817A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010254534.9
申请日：2010-08-11
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 森睦宏
IPC: H01L27/04 , H01L29/861 , H01L29/868
CPC classification number: H01L27/0664 , H01L29/7391 , H01L29/7395
Abstract: 本发明提供一种半导体装置以及使用该半导体装置的电力变换装置。现有技术存在的问题是，电力变换装置中使用的使用现有的pn结的续流二极管，由于将使用寿命控制得较短，因此正向电压大且导通损耗大。另外，在反向恢复时反向恢复电流大且开关损耗大，电力变换装置的损耗大。本发明在正向电流流动时，使电流在正向电压小的pn二极管中流动，而在反向恢复时在反向恢复电流小的肖特基二极管中进行反向恢复。另外，本发明具有pn二极管与肖特基二极管的切换单元。由于降低了续流二极管的正向电压并且减小了反向恢复损耗，因此可以提供损耗小的半导体装置以及使用该半导体装置的电力变换装置。
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公开(公告)号：CN100511673C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200480001863.5
申请日：2004-02-13
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/01015 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明将能够对应高输出(大电流)化、高电压化以及低损耗化等的要求，并且可以提供小型、低成本、可靠性高的半导体元件驱动用集成电路以及搭载该电路的电能变换装置作为课题。为了解决该课题，将构成上支路驱动电路(212)的驱动部、包括电流检测电路(210)的电平移位电路(20)、下支路驱动电路(222)的驱动部及驱动信号处理电路(224)的电路元件集成、组入一个耐高压IC芯片(200)中，构成上支路驱动电路(212)的最终输出段缓冲部(213)的电路元件组入纵型构造的p沟道MOS-FET芯片(213p)和纵型构造的n沟道MOS-FET芯片(213n)中，构成下支路驱动电路(222)的最终输出段缓冲部(223)的电路元件组入纵型构造的p沟道MOS-FET芯片(223p)和纵型构造的n沟道MOS-FET芯片(223n)中以构成驱动器IC(2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1723559A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200480001863.5
申请日：2004-02-13
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/01015 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明将能够对应高输出(大电流)化、高电压化以及低损耗化等的要求，并且可以提供小型、低成本、可靠性高的半导体元件驱动用集成电路以及搭载该电路的电能变换装置作为课题。为了解决该课题，将构成上支路驱动电路(212)的驱动部、包括电流检测电路(210)的电平移位电路(20)、下支路驱动电路(222)的驱动部及驱动信号处理电路(224)的电路元件集成、组入一个耐高压IC芯片(200)中，构成上支路驱动电路(212)的最终输出段缓冲部(213)的电路元件组入纵型构造的p沟道MOS－FET芯片(213p)和纵型构造的n沟道MOS－FET芯片(213n)中，构成下支路驱动电路(222)的最终输出段缓冲部(223)的电路元件组入纵型构造的p沟道MOS－FET芯片(223p)和纵型构造的n沟道MOS－FET芯片(223n)中以构成驱动器IC(2)。
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公开(公告)号：CN1136712A
公开(公告)日：1996-11-27
申请号：CN96103944.2
申请日：1996-03-08
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/092
CPC classification number: H01L29/7455 , H01L29/102 , H01L29/749
Abstract: 本发明为一种复合半导体装置，包括串联在一起的一个MIS场效应管和一个可控硅，这里，或者把MIS场效应管的P基极层和可控硅P基极层之间的可承受电压设置成低于该MIS场效应管的可承受电压，在MIS场效应管的p基极层和可控硅p基极层通过-p通道连接的条件下使该MIS场效应管“断掉”，或者减小该可控硅p基极层的侧向电阻，从而扩展了该复合半导体装置的安全操作区间。
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公开(公告)号：CN105191132B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201380076459.3
申请日：2013-05-10
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H02M3/158 , H01L29/786 , H02M1/00 , H02M1/32 , H02M2001/0009 , H03K17/0828 , H03K17/168 , H03K2217/0036
Abstract: 本发明的绝缘栅型半导体元件的控制装置通过分别提供给第1绝缘栅极以及第2绝缘栅极的第1控制电压以及第2控制电压，驱动具备第1绝缘栅极和第2绝缘栅极的绝缘栅型半导体元件，具备：第1噪声滤波器，输入与绝缘栅型半导体元件中流过的电流相关的信号；第1比较器，比较第1噪声滤波器的输出信号和第1基准信号，输出第1比较结果；第2控制电压输出电路，如果根据第1比较结果判定为绝缘栅型半导体元件中流过过电流，则使第2控制电压降低；以及第1控制电压输出电路，在第2控制电压降低之后，使第1控制电压降低。
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公开(公告)号：CN106536437A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580034016.7
申请日：2015-09-09
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 目的在于提供热可靠性优异的散热结构体及半导体模块。为了解决上述课题，本发明的散热结构体是将金属、陶瓷、半导体任一种的第一部件和第二部件经由接合部件进行粘接的散热结构体，或将半导体芯片、金属配线、陶瓷绝缘基板、含有金属的散热基底基板分别经由接合部件进行粘接的半导体模块，其特征在于，上述接合部件中的任一个以上含有无铅低熔点玻璃组合物和金属粒子，上述无铅低熔点玻璃组合物以以下的氧化物换算计含有：V2O5、TeO2及Ag2O作为主要成分，这些的合计为78摩尔％以上，TeO2和Ag2O的含量相对于V2O5的含量分别为1～2倍，还有合计20摩尔％以下的BaO、WO3或P2O5中任一种以上作为副成分，及合计2.0摩尔％以下的Y2O3、La2O3或Al2O3中任一种以上作为追加成分。
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公开(公告)号：CN102646723A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210023895.1
申请日：2012-02-03
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H02K11/00
CPC classification number: H01L29/872 , H01L24/01 , H01L29/0619 , H01L29/8611 , H01L2924/12036 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够提高可靠性的半导体装置、使用了该半导体装置的回转电机或使用了该半导体装置的车辆。为了解决上述的课题，本发明涉及的半导体装置中具备肖特基结和pn结，该半导体装置的特征在于，所述pn结设置在整流区域和护圈部，所述整流区域的pn结部的击穿电压比所述肖特基结及所述护圈部的pn结低。
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