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公开(公告)号：CN102835192B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201180010450.3
申请日：2011-02-17
CPC classification number: H01J11/12 , C03C8/18 , H01B1/22 , H01J9/02 , H01J11/22 , H01J2211/225 , H01L31/022425 , H05K1/092 , H05K3/4629 , H05K2201/0224 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供导电性浆料，其为包含铝及/或含铝合金的多个粒子(4)和包含氧化物而成的粉末分散在溶解于溶剂的粘合剂树脂中而成的导电性浆料，其中，所述氧化物具有玻璃相，且含有价数为4价以下的钒。在电子部件（1）的制造方法中，在基板(3)上涂布该导电性浆料并进行烧成而形成电极配线(2)。在所述电子部件(1)中，具备电极配线（2），所述电极配线（2）具有包含铝(Al)及/或含铝合金的多个粒子(4)和将粒子(4)固定在基板(3)上的氧化物(5)，氧化物(5)含有价数为4价以下的钒(V)。在粒子(4)的表面上形成有包含钒和铝的化合物层(7)，化合物层(7)中所含的钒包含价数为4价以下的钒。由此，提供具备耐水性及耐湿性高且高可靠性的电极配线的电子部件(1)。
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公开(公告)号：CN102770382B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201180010441.4
申请日：2011-02-17
IPC: C03C8/18 , H01B1/22 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1804 , C03C8/00 , H01B1/22 , H01L31/022425 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种铝电极配线用玻璃组合物。该玻璃组合物由功函数比铝小的元素的氧化物构成。该氧化物由钒（V）的氧化物、碱土类金属的氧化物和碱金属的氧化物构成，作为碱土类金属为至少包括钡在内的钙（Ca）、锶（Sr）以及钡（Ba）元素中的一种以上的元素，作为碱金属的元素为钠（Na）、钾（K）、铷（Rb）以及铯（Cs）元素中的至少一种以上的元素。在以五氧化二钒（V2O5）的形式而含有钒元素的情况下，含五氧化二钒40～70重量%，不含铅，作为电极配线的表观的功函数比铝（Al）的功函数小。
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公开(公告)号：CN110573471A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201880028251.7
申请日：2018-02-28
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 本发明的目的在于，提供能用简易的工序制造的多层玻璃。为了解决上述课题，本发明涉及的多层玻璃具备第1玻璃基板、与第1玻璃基板相隔规定的空间而对置地配置的第2玻璃基板、以及将由第1玻璃基板和第2玻璃基板所形成的内部空间的周缘密封的密封部，其特征在于，密封部由包含低熔点玻璃的密封材料形成，内部空间为真空状态，第1玻璃基板具有以在与第2玻璃基板的层叠方向投影时包含于密封部的投影部的方式设置的排气口，排气口被密封材料闭塞(参照图3)。
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公开(公告)号：CN102754534B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201080063260.3
申请日：2010-02-26
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H05K1/092 , H01B1/16 , H05K2201/10128 , H05K2203/0315
Abstract: 本发明提供导电性浆料，其具有分散在磷酸溶液中且由铝(Al)及/或含铝的合金构成的多个粒子(4)。将该导电性浆料涂敷在基板(3)上并进行烧成，形成电极配线(2)。该电极配线(2)具有由铝及/或含铝的合金构成的多个粒子(4)和将该粒子(4)固定在基板(3)上的氧化物(5)，氧化物(5)含有混合的磷(P)和铝。粒子(4)含有银(Ag)、铜(Cu)、硅(Si)、镁(Mg)、钙(Ca)中的至少一种元素。在电极配线(2)中，粒子(4)为84.2体积％以上99.7体积％以下。
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公开(公告)号：CN103052605B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180037099.7
申请日：2011-08-04
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: C03C8/08 , C03C8/18 , H01B1/16 , H01G4/008 , H01L31/0224
CPC classification number: H01G4/008 , C03C8/08 , C03C8/16 , C03C8/18 , H01B1/16 , H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及电极用玻璃组合物，其特征是，含有银、磷和氧，且基本上不含铅和铋。另外，该电极用玻璃组合物优选含有钒或碲，更优选含有钡、钨、钼、铁、锰和锌中一种以上的金属元素。由此，能够提供这样的电极用玻璃组合物以及使用该玻璃组合物的电极膏，在用于形成电子部件的Ag系、Al系或者Cu系等电极中，基本上不含有害的铅和铋，而且该玻璃组合物和电极膏不会使电子部件的性能降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102859761B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201180017174.3
申请日：2011-03-31
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01M4/364 , B82Y30/00 , C01G31/00 , C01G31/02 , C01G45/1228 , C01G49/009 , C01G51/00 , C01G53/00 , C01P2002/02 , C01P2002/60 , C01P2002/77 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C01P2004/45 , C01P2004/64 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , C01P2006/80 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/5825 , H01M4/587 , H01M4/625 , H01M10/052 , H01M2004/021 , Y02E60/122 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明提供正极活性物质，在锂离子二次电池中具有高循环保持率，并且增加电池容量。使用正极活性物质，其包含粉末粒子，该粉末粒子包含具有集合多个微晶(101)而形成的结构的结晶相、形成于微晶(101)彼此之间的非晶质相(103a、103b)，非晶质相(103a、103b)包含选自氧化钒、氧化铁、氧化锰、氧化镍及氧化钴构成的组中的一种以上的金属氧化物，结晶相及非晶质相(103a、103b)能进行锂离子的插入及脱离。
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公开(公告)号：CN103003981A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180009509.7
申请日：2011-07-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01M4/13 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M10/054
CPC classification number: H01M4/131 , C23C4/11 , C23C24/04 , H01M4/0419 , H01M4/1391 , H01M4/485 , H01M10/0525 , H01M10/054
Abstract: 本发明提供可实现低成本且高充放电容量的离子二次电池用电极、离子二次电池用电极的制造方法、锂离子二次电池及镁离子二次电池。本发明提供离子二次电池用电极(101)，其特征为，在导电体(102)的表面设置钒氧化物被膜(103)。另外，本发明提供离子二次电池用电极的制造方法，该方法制造上述的离子二次电池用电极(101)，其特征为，在导电体(102)的表面喷镀含有钒氧化物的粉末状的喷镀材料而设置钒氧化物被膜（103）。进而，提供锂离子二次电池或镁离子二次电池，其特征为，使用上述的离子二次电池用电极(101)。
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公开(公告)号：CN102544467A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110434717.3
申请日：2011-12-22
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01M4/485 , H01M10/054
CPC classification number: H01M4/131 , C01G31/00 , C01G31/02 , C01G49/00 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , H01M4/136 , H01M4/485 , H01M4/525 , H01M4/54 , H01M4/5825 , H01M4/62 , H01M10/054 , H01M10/4235 , H01M2004/021 , H01M2004/028
Abstract: 本发明提供二次电池用正极活性物质及使用该正极活性物质的镁二次电池，具体是在镁二次电池中使充放电循环保持率提高且高容量化的镁二次电池用正极活性物质和使用该正极活性物质的镁二次电池。所述镁二次电池使用正极活性物质，所述正极活性物质包含含有晶相和形成于微晶(101)彼此之间的非晶相(103a)、(103b)的粉末粒子，所述晶相具有多个微晶(101)集合而形成的结构，所述非晶相(103a)、(103b)包含选自氧化钒、氧化铁、氧化锰、氧化镍及氧化钴中的至少一种金属氧化物，晶相及非晶相(103a)、(103b)能够嵌入或脱嵌镁离子。
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公开(公告)号：CN1135541C
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN98109816.9
申请日：1998-06-09
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/252 , C03C3/062 , C03C3/078 , C03C3/087 , C03C3/091 , C03C8/00 , G11B7/0045 , G11B7/005 , G11B7/24 , G11B7/2433 , G11B7/248 , G11B7/2531 , G11B7/2534 , G11B7/2535 , G11B7/2548 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , Y10S428/913 , Y10S430/146 , Y10T428/21 , Y10T428/31678
Abstract: 在衬底1上形成玻璃薄膜2，且在其上面形成记录膜，保护膜，和反射膜，制成一种光信息记录介质，此玻璃薄膜可以改变光的强度或强度分布，该记录介质在反复读出和写入之后不退化。
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公开(公告)号：CN1448745A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN02131916.2
申请日：2002-09-05
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02B6/35
CPC classification number: G02F1/3515 , G02B6/3512 , G02B6/3546
Abstract: 本发明提供一种消耗更少功率，高速响应性极好，并且具有适合于小型化和多通道切换的结构的光学开关。该光学开关将多个输入信号切换到多个输出位置，其中一具有层叠有与输入部分数量相同的非线性光学层和缓冲层的叠层结构，与输入部分和输出部分之间的光路相交。通过提供使用非线性光学薄膜的叠层结构，本发明可获得高速响应性极好，并且适用于对大量信息进行切换的小矩阵光学开关。
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