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公开(公告)号：CN105379115B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201480026919.6
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/21
Abstract: 本发明提供一种不导致k2Q的降低地增大静电电容，并可降低谐振电阻的振动装置。振动装置(1)的在Y方向上延伸的2N根(N是2以上的整数)音叉臂(3)～(6)在X方向上并排，在设置有2N根音叉臂(3)～(6)的区域中，相对于通过X方向中心且在Y方向上延伸的虚拟线A，一侧的N根音叉臂(3)、(4)的弯曲振动的相位与另一侧的N根音叉臂(6)、(5)的弯曲振动的相位对称。
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公开(公告)号：CN105210294A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201480026840.3
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L41/09 , H01L41/047 , H01L41/083 , H03H9/02448 , H03H9/0595 , H03H9/2452 , H03H2009/155
Abstract: 本发明提供可充分减小频率温度系数TCF的绝对值的振动装置。振动装置(1)是在俯视时，具有具备长边和短边的矩形板状的形状，并利用在上述短边方向伸缩振动模式的振动装置，包含由简并半导体构成的Si层(2)、氧化硅层(3)、压电体层(5)、以及对压电体层(5)施加电压的第一、第二电极(6、7)，在将Si层的厚度的总和设为T1、将氧化硅层(3)的厚度的总和设为T2、将未设置有氧化硅层(3)的情况下的振动装置的TCF设为x(ppm/K)时，T2/(T1+T2)处于(-0.0003x2-0.0256x+0.0008)±0.05的范围内。
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公开(公告)号：CN119547204A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202380053770.X
申请日：2023-07-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/36 , H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。在器件层形成有至少一个晶体管。在器件层的一个面设置有多个凸块。在器件层的与设置有多个凸块的面相反侧的面配置有绝缘层。导热层与绝缘层的与配置有器件层的面相反侧的面接触。导热层由具有比绝缘层的热导率高的热导率的绝缘材料形成。晶体管中的一个第一晶体管包括在俯视器件层时不与多个凸块重叠的部分亦即非重叠部分，导热层从与非重叠部分重叠的部位到与多个凸块中的至少一个凸块重叠的部位连续地配置。
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公开(公告)号：CN118786515A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202380023952.2
申请日：2023-02-24
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L23/522
Abstract: 在绝缘构件的表面配置有包含氧化硅的第1绝缘层。在第1绝缘层的局部区域上配置有晶体管。第2绝缘层覆盖第1绝缘层和晶体管。在第2绝缘层上配置有第1布线。设有从第1布线的下表面贯通第2绝缘层和第1绝缘层而到达绝缘构件的贯通孔。在俯视时，贯通孔的外缘的至少一部分与第1布线重叠。第1布线包含与第2绝缘层接触的下部层，下部层由Ta、W、Ta化合物或W化合物形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108141196B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN201680057976.X
申请日：2016-10-31
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供谐振装置及其制造方法。在封装化了的谐振装置中，实施对谐振频率的调整。谐振装置具备：下盖，其由未简并的硅构成；谐振子，其具有由简并了的硅构成且具有与下盖对置的下表面的基板、层叠于该基板的第一电极层和第二电极层、形成于第一电极层和第二电极层之间且具有隔着第一电极层与基板的上表面对置的面的压电膜；以及上盖，其与下盖对置，在上盖与下盖之间隔着谐振子，基板的下表面具有调整部，该调整部是形成于表面的凹凸的深度或高度都比该基板的下表面中的其它区域大的区域，或者是凹凸所占的面积比该基板的下表面中的其它区域大的区域。
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公开(公告)号：CN105210295B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201480026898.8
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/21 , H01L41/0478
Abstract: 本发明提供可进一步减小频率温度系数TCF的绝对值的振动装置。振动装置(1)是在基部(2)上，在X方向并排有向Y方向延伸的多个音叉臂(3～5)，音叉臂(3～5)具有在作为简并半导体的Si层(11)上层叠有氧化硅层(12)，在氧化硅层(12)上设置有激发部(13)的构造，在将Si层(11)的厚度的总和设为T1、将氧化硅层(12)的厚度的总和设为T2、将在Si层(11)上未设置有氧化硅层(12)的情况下的频率温度系数TCF设为x时，厚度比T2/(T1+T2)成为(‑0.0002x2‑0.0136x+0.0014)±0.05的范围内。
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公开(公告)号：CN105556840A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480051082.0
申请日：2014-09-11
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/171 , H03H3/0072 , H03H3/02 , H03H9/02448 , H03H9/2484 , H03H9/2489 , H03H2003/027 , H03H2009/02503 , H03H2009/02511 , H03H2009/241
Abstract: 本发明提供振动装置及其制造方法，能够抑制由于温度变化而产生的共振频率的偏差。振动装置(1)具备：支承部(2)；与上述支承部(2)连接，且具有作为简并半导体的n型Si层(11)的振动臂(3a、3b、3c)；以及被设置为使上述振动臂(3a、3b、3c)激振的电极(16、17)，以与上述n型Si层(11)的下表面接触的方式设置含有杂质的硅氧化膜(12、13)。
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公开(公告)号：CN105210295A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201480026898.8
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/21 , H01L41/0478
Abstract: 本发明提供可进一步减小频率温度系数TCF的绝对值的振动装置。振动装置(1)是在基部(2)上，在X方向并排有向Y方向延伸的多个音叉臂(3～5)，音叉臂(3～5)具有在作为简并半导体的Si层(11)上层叠有氧化硅层(12)，在氧化硅层(12)上设置有激发部(13)的构造，在将Si层(11)的厚度的总和设为T1、将氧化硅层(12)的厚度的总和设为T2、将在Si层(11)上未设置有氧化硅层(12)的情况下的频率温度系数TCF设为x时，厚度比T2/(T1+T2)成为(-0.0002x2-0.0136x+0.0014)±0.05的范围内。
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公开(公告)号：CN118765437A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202380023857.2
申请日：2023-02-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 在作为第1绝缘层的一个面的第1面上配置有器件层。器件层包括包含多个源极区域和多个漏极区域的晶体管、与多个源极区域的表面的源极接触区域连接的源极接触电极、与多个漏极区域的表面的漏极接触区域连接的漏极接触电极、多个布线以及多个导通孔。在第1绝缘层的与第1面相反的那一侧的第2面接合有绝缘构件。将在第2面具有顶点、以与第2面垂直的直线为中心轴线、以相对于中心轴线形成45°的角度且朝向绝缘构件的射线为母线的圆锥面定义为判定基准圆锥面。将与第2面垂直的方向设为厚度方向，绝缘构件的侧面的厚度方向的整体范围在周向的至少一部分范围位于比以第2面上的位于包含多个源极接触区域和多个漏极接触区域中的全部区域的面积最小的最小包含长方形的几何中心的正下方的点为顶点的判定基准圆锥面靠外侧的位置。
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