整块陶瓷电子元件
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1227957A

    公开(公告)日:1999-09-08

    申请号:CN99105739.2

    申请日:1999-03-03

    CPC classification number: H01G4/0085 H01G4/30

    Abstract: 每个内电极都是薄的,即厚度为0.2—0.7μm,因而即使陶瓷层是薄的,即厚度不超过3μm,也可以抑制裂层。陶瓷层的陶瓷颗粒的平均粒子尺寸不超过0.5μm,所以减小了在内电极和陶瓷层之间的介面处凹凸的尺寸。在形成内电极的软膏中,金属粉的平均粒子尺寸最好是10nm-200nm,因而可以提高内电极的金属粉的填充率和平整度,从而提高覆盖率。

    单块陶瓷电子元件
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1254831C

    公开(公告)日:2006-05-03

    申请号:CN00120346.0

    申请日:2000-07-04

    CPC classification number: H01G4/0085 H01G4/1227 H01G4/30

    Abstract: 一种单块陶瓷电子元件,包括含有多层陶瓷层和多个位于所述陶瓷层之间的内电极的层压物,该陶瓷层由陶瓷原料粉末烧结而成,该内电极由金属粉末烧结而成。陶瓷层的厚度为3微米或更薄,它含有平均粒径大于0.5微米的陶瓷颗粒,在陶瓷层厚度方向陶瓷颗粒的粒径小于陶瓷层的厚度,内电极的厚度为0.2-0.7微米。在层压物相反两端的每一端上,该电子元件较好还包括外电极,所述陶瓷层由陶瓷介电材料制成,所述多个内电极中的每一个的一个边缘露出于所述层压物相反两端中的一端,从而与一个外电极电气相连,形成单块陶瓷电容器。

    独石陶瓷电容器
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1135578C

    公开(公告)日:2004-01-21

    申请号:CN99105739.2

    申请日:1999-03-03

    CPC classification number: H01G4/0085 H01G4/30

    Abstract: 每个内电极都是薄的,即厚度为0.2-0.7μm,因而即使陶瓷层是薄的,即厚度不超过3μm,也可以抑制裂层。陶瓷层的陶瓷颗粒的平均粒子尺寸不超过0.5μm,所以减小了在内电极和陶瓷层之间的介面处凹凸的尺寸。在形成内电极的软膏中,金属粉的平均粒子尺寸最好是10nm-200nm,因而可以提高内电极的金属粉的填充率和平整度,从而提高覆盖率。

    单块陶瓷电子元件
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1279490A

    公开(公告)日:2001-01-10

    申请号:CN00120346.0

    申请日:2000-07-04

    CPC classification number: H01G4/0085 H01G4/1227 H01G4/30

    Abstract: 一种单块陶瓷电子元件,包括含有多层陶瓷层和多个位于所述陶瓷层之间的内电极的层压物,该陶瓷层由陶瓷原料粉末烧结而成,该内电极由金属粉末烧结而成。陶瓷层的厚度为3微米或更薄,它含有平均粒径大于0.5微米的陶瓷颗粒,在陶瓷层厚度方向陶瓷颗粒的粒径小于陶瓷层的厚度,内电极的厚度为0.2-0.7微米。在层压物相反两端的每一端上,该电子元件较好还包括外电极,所述陶瓷层由陶瓷介电材料制成,所述多个内电极中的每一个的一个边缘露出于所述层压物相反两端中的一端,从而与一个外电极电气相连,形成单块陶瓷电容器。

Patent Agency Ranking