层叠陶瓷电子部件及其制造方法

    公开(公告)号:CN104737252A

    公开(公告)日:2015-06-24

    申请号:CN201380052110.6

    申请日:2013-09-06

    Abstract: 本发明提供一种不会引起外部电极的周缘端部附近的层叠陶瓷元件的强度降低或因其所致的可靠性降低等且可靠性较高的层叠陶瓷电子部件及其制造方法。本发明的外部电极(35a、35b)包含至少含有Si的无机物质,在外部电极的周缘端部(44a、44b)的与构成层叠陶瓷元件(33)的陶瓷层(32)的界面,形成有至少包含Si、Ti、及Ba的晶相C,且表示从外部电极的周缘端部起5μm以内的区域中的形成于与陶瓷层的界面的晶相C的面积和玻璃相G的面积的关系的晶相面积比率的值成为75~98%的范围。晶相面积比率(%)={晶相面积/(晶相面积+玻璃相面积)}×100。

    介电陶瓷材料和单块陶瓷电子元件

    公开(公告)号:CN1285334A

    公开(公告)日:2001-02-28

    申请号:CN00122765.3

    申请日:2000-08-08

    CPC classification number: H01G4/1227

    Abstract: 一种含BaTiO3主要组分和稀土元素附加组分的介电陶瓷材料,它满足0.7≤M/N使晶粒中稀土元素有均匀的密度;满足0.8≤L/N使一颗晶粒中稀土元素有均匀的密度。式中M是满足0.5≤Di/D的晶粒数,N是构成陶瓷材料的晶粒数,L是满足0.5≤Di/D和Si/D≤0.3的晶粒数;DI是任意一颗晶粒i中稀土元素平均密度,D是整个陶瓷材料中稀土元素的平均密度,SI是晶粒i中稀土元素平均密度的标准偏差。

    层叠陶瓷电子部件
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105556626B

    公开(公告)日:2018-05-29

    申请号:CN201480051595.1

    申请日:2014-08-28

    Abstract: 本发明提供:直至陶瓷坯体侧面的外部电极的环绕部的前端区域与构成陶瓷坯体表面的陶瓷的界面难以被镀液侵蚀,可靠性高的层叠陶瓷电子部件。该层叠陶瓷电子部件构成为,在外部电极的环绕部的前端区域与构成陶瓷坯体表面的陶瓷的界面处,存在有含有26mol%以上且小于45mol%的SiO2、并且由(TiO2+ZrO2)/(SiO2+TiO2+ZrO2)所表示的摩尔比的值为0.154以上的无机物质,或者,存在有含有45mol%以上的SiO2、并且由(TiO2+ZrO2)/(SiO2+TiO2+ZrO2)所表示的摩尔比的值为0.022以上的无机物质。另外,使无机物质中含有B2O3,使B2O3与SiO2的摩尔比为0.25≤B2O3/SiO2≤0.5的范围。

    电介质陶瓷及使用其的陶瓷电容器

    公开(公告)号:CN118871404A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202380016493.5

    申请日:2023-11-24

    Abstract: 本发明提供一种能够同时实现低介电损耗角正切和高相对介电常数的电介质陶瓷。具有包含由(TixSn1‑x)O2(0.40≤x≤0.60)表示的金红石型化合物作为主成分且进一步包含Nb的组成,剖视图中包括:由式(1)定义的A为0.55以上的富Ti相所构成的区域以及由式(2)定义的B为0.55以上的富Sn相所构成的区域,并且,满足式(3)~式(5)。A=(Ti的含量(atom%))/(Ti与Sn的合计含量(atom%))(1);B=(Sn的含量(atom%))/(Ti与Sn的合计含量(atom%))(2);0.005mol%≤y≤0.020mol%(3);16nm≤DTi≤20nm(4);15nm≤DSn≤19nm(5);y(mol%)是将上述金红石型化合物的含量设为100mol%时的Nb的含量,DTi(nm)为富Ti相区域的平均尺寸,DSn(nm)为富Sn相区域的平均尺寸。

    层叠陶瓷电子部件
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105556626A

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201480051595.1

    申请日:2014-08-28

    Abstract: 本发明提供:直至陶瓷坯体侧面的外部电极的环绕部的前端区域与构成陶瓷坯体表面的陶瓷的界面难以被镀液侵蚀,可靠性高的层叠陶瓷电子部件。该层叠陶瓷电子部件构成为,在外部电极的环绕部的前端区域与构成陶瓷坯体表面的陶瓷的界面处,存在有含有26mol%以上且小于45mol%的SiO2、并且由(TiO2+ZrO2)/(SiO2+TiO2+ZrO2)所表示的摩尔比的值为0.154以上的无机物质,或者,存在有含有45mol%以上的SiO2、并且由(TiO2+ZrO2)/(SiO2+TiO2+ZrO2)所表示的摩尔比的值为0.022以上的无机物质。另外,使无机物质中含有B2O3,使B2O3与SiO2的摩尔比为0.25≤B2O3/SiO2≤0.5的范围。

    层叠陶瓷电子部件及其制造方法

    公开(公告)号:CN104737252B

    公开(公告)日:2017-08-08

    申请号:CN201380052110.6

    申请日:2013-09-06

    Abstract: 本发明提供一种不会引起外部电极的周缘端部附近的层叠陶瓷元件的强度降低或因其所致的可靠性降低等且可靠性较高的层叠陶瓷电子部件及其制造方法。本发明的外部电极(35a、35b)包含至少含有Si的无机物质,在外部电极的周缘端部(44a、44b)的与构成层叠陶瓷元件(33)的陶瓷层(32)的界面,形成有至少包含Si、Ti、及Ba的晶相C,且表示从外部电极的周缘端部起5μm以内的区域中的形成于与陶瓷层的界面的晶相C的面积和玻璃相G的面积的关系的晶相面积比率的值成为75~98%的范围。晶相面积比率(%)={晶相面积/(晶相面积+玻璃相面积)}×100。

    层叠陶瓷电子部件
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105531774A

    公开(公告)日:2016-04-27

    申请号:CN201480050782.8

    申请日:2014-08-04

    Abstract: 本发明提供一种外部电极所导致的残留应力小、机械性强度优良、可靠性高的层叠陶瓷电子部件。其中,外部电极含有:作为导电成分的金属、和导电成分以外的无机成分,并且根据观测绕回到陶瓷坯体的侧面的外部电极的绕回部的前端区域的SIM像的结果,通过下述的式(1)而求出的导电成分/无机成分占有面积率为25~75%的范围。绕回到陶瓷坯体的侧面的外部电极的绕回部的厚度为5~10μm的范围。导电成分/无机成分占有面积率={(导电成分的面积+无机成分的面积)/(导电成分的面积+无机成分的面积+空隙的面积)}×100……(1)。

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