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公开(公告)号：CN101441331B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200810188142.X
申请日：2005-08-09
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC: G02F1/015 , G02F1/01 , H01L21/268 , H01L21/77 , H01L23/544 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜(12)中的再结晶区域(21)的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记(15)，该对准标记(15)在形成电子器件例如薄膜晶体管(98)的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，在相同的曝光步骤中，在该半导体膜上形成在随后的步骤中可用作对准标记的标记结构。因此，本发明包括光强调制结构(SP)和标记形成结构(MK)，该光强调制结构(SP)调制光并且形成用于结晶的光强分布，该标记形成结构(MK)调制光并且形成包括预定形状图案的光强分布，并且还形成表示结晶区上预定位置的标记。
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公开(公告)号：CN1740760A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510096528.4
申请日：2005-08-26
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC: G01J1/02 , G01J1/00 , H01S5/00 , H01L21/324 , H01L21/66
CPC classification number: G02B27/40 , B23K26/705 , G01J1/04 , G01J1/0411 , G01J1/0448 , G01J1/4257 , G02B7/36
Abstract: 将刃状物(30)设置在要拾取截面图像(光强度分布)的截面的高度处，以拦截激光(20)的部分截面。用激光(20)照射刃状物(30)，且激光的截面图像用图像形成光学系统(40)放大，并由CCD(50)拾取。当以这种方式拾取截面图像时，以在被刃状物(30)遮蔽的边界部分中的光强度的梯度具有不小于预置目标值的陡度的这种方式进行图像形成光学系统(40)的聚焦。接下来，从激光的光路缩回刃状物(30)，允许激光经由图像形成光学系统(40)进入CCD(50)，并拾取激光的截面图像。
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公开(公告)号：CN1734714A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510091162.1
申请日：2005-08-09
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/447 , H01L21/268 , H01L21/336 , G02F1/00
Abstract: 本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜(12)中的再结晶区域(21)的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记(15)，该对准标记(15)在形成电子器件例如薄膜晶体管(98)的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，在相同的曝光步骤中，在该半导体膜上形成在随后的步骤中可用作对准标记的标记结构。因此，本发明包括光强调制结构(SP)和标记形成结构(MK)，该光强调制结构(SP)调制光并且形成用于结晶的光强分布，该标记形成结构(MK)调制光并且形成包括预定形状图案的光强分布，并且还形成表示结晶区上预定位置的标记。
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公开(公告)号：CN100403142C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200410083465.4
申请日：2004-09-30
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
CPC classification number: H01L21/0268 , B23K26/073 , C30B13/24 , G02B27/0927 , G02B27/0961 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
Abstract: 本发明包括：具有第一元件(1)和第二元件(2)的光调制光学系统，所述第一元件对入射光束形成所希望的光强梯度分布，所述第二元件对其形成所希望的具有反向峰值形状的光强最小分布；以及一个图像形成光学系统(4)，该图像形成光学系统设置在光调制光学系统和衬底(5)之间，所述衬底具有多晶半导体膜或非晶半导体膜，其中形成光强梯度分布和光强最小分布的入射光束通过图像形成光学系统施加在多晶半导体膜或非晶半导体膜上，由此使未结晶的半导体膜结晶。所述第一元件的图形与第二元件的图形相对。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1649083A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200410103671.7
申请日：2004-12-24
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
CPC classification number: B23K26/0861 , B23K26/04 , B23K26/066 , B23K2101/40 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0268 , H01L21/02686 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1008
Abstract: 一种电子器件的制造方法，包括相对于结晶设备的衬底台(5)对经过处理的衬底(4)进行定位和用预先设置在经过处理的衬底上的用作参考物的至少一个定位标记(4a、4b)支撑它，向由衬底台支撑的经过处理的衬底的预定区域施加被调制光束并使该区域结晶，以及在用作为参考物的定位标记定位的经过处理的衬底的结晶区中形成至少一个电路元件。
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公开(公告)号：CN1603921A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410083465.4
申请日：2004-09-30
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
CPC classification number: H01L21/0268 , B23K26/073 , C30B13/24 , G02B27/0927 , G02B27/0961 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
Abstract: 本发明包括：具有第一元件(1)和第二元件(2)的光调制光学系统，所述第一元件对入射光束形成所希望的光强梯度分布，所述第二元件对其形成所希望的具有反向峰值形状的光强最小分布；以及一个图像形成光学系统(4)，该图像形成光学系统设置在光调制光学系统和衬底(5)之间，所述衬底具有多晶半导体膜或非晶半导体膜，其中形成光强梯度分布和光强最小分布的入射光束通过图像形成光学系统施加在多晶半导体膜或非晶半导体膜上，由此使未结晶的半导体膜结晶。所述第一元件的图形与第二元件的图形相反。
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公开(公告)号：CN101442000B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200810188143.4
申请日：2005-08-09
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC: H01L21/268 , H01L21/20 , H01L23/544 , H01L29/786
Abstract: 本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜(12)中的再结晶区域(21)的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记(15)，该对准标记(15)在形成电子器件例如薄膜晶体管(98)的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，在相同的曝光步骤中，在该半导体膜上形成在随后的步骤中可用作对准标记的标记结构。因此，本发明包括光强调制结构(SP)和标记形成结构(MK)，该光强调制结构(SP)调制光并且形成用于结晶的光强分布，该标记形成结构(MK)调制光并且形成包括预定形状图案的光强分布，并且还形成表示结晶区上预定位置的标记。
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公开(公告)号：CN101442000A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810188143.4
申请日：2005-08-09
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC: H01L21/268 , H01L21/20 , H01L23/544 , H01L29/786
Abstract: 本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜(12)中的再结晶区域(21)的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记(15)，该对准标记(15)在形成电子器件例如薄膜晶体管(98)的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，在相同的曝光步骤中，在该半导体膜上形成在随后的步骤中可用作对准标记的标记结构。因此，本发明包括光强调制结构(SP)和标记形成结构(MK)，该光强调制结构(SP)调制光并且形成用于结晶的光强分布，该标记形成结构(MK)调制光并且形成包括预定形状图案的光强分布，并且还形成表示结晶区上预定位置的标记。
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公开(公告)号：CN101441331A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810188142.X
申请日：2005-08-09
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC: G02F1/015 , G02F1/01 , H01L21/268 , H01L21/77 , H01L23/544 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜(12)中的再结晶区域(21)的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记(15)，该对准标记(15)在形成电子器件例如薄膜晶体管(98)的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，在相同的曝光步骤中，在该半导体膜上形成在随后的步骤中可用作对准标记的标记结构。因此，本发明包括光强调制结构(SP)和标记形成结构(MK)，该光强调制结构(SP)调制光并且形成用于结晶的光强分布，该标记形成结构(MK)调制光并且形成包括预定形状图案的光强分布，并且还形成表示结晶区上预定位置的标记。
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