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公开(公告)号：CN102892933A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180023952.X
申请日：2011-03-14
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 本发明制造了可切出实用尺寸的结晶基板的大型的大块晶体。本发明的氮化镓结晶的特征在于，其c轴的长度L为9mm以上，与c轴垂直的截面的晶体直径d为100μm以上，c轴的长度L和与c轴垂直的截面的晶体直径d之比L/d为7以上。通过使该长尺寸的针状晶体变肥大，能够制造体积大的大块晶体，从而能够制造出可切出实用尺寸的结晶基板的大型的大块晶体。
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公开(公告)号：CN102892933B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201180023952.X
申请日：2011-03-14
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 本发明制造了可切出实用尺寸的结晶基板的大型的大块晶体。本发明的氮化镓结晶的特征在于，其c轴的长度L为9mm以上，与c轴垂直的截面的晶体直径d为100μm以上，c轴的长度L和与c轴垂直的截面的晶体直径d之比L/d为7以上。通过使该长尺寸的针状晶体变肥大，能够制造体积大的大块晶体，从而能够制造出可切出实用尺寸的结晶基板的大型的大块晶体。
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公开(公告)号：CN102995123B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210336715.5
申请日：2012-09-12
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: C30B9/12 , C30B9/10 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供一种IIIA族氮化物晶体的制造方法，其包括了晶体生长过程，通过由具有六方晶结构的氮化镓晶体的籽晶生长具有六方晶结构的IIIA族氮化物晶体来形成IIIA族氮化物晶体，其中籽晶的c轴方向的长度“L”是9.7毫米或更长，长度“L”与c面上晶体直径“d”的L/d比大于0.813。晶体生长过程包括了在IIIA族氮化物晶体的侧面形成包含{10-10}面的外围和包含{10-11}面的外围，并在IIIA族氮化物晶体的底面形成包含{0001}面的外围的过程。
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公开(公告)号：CN102995123A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210336715.5
申请日：2012-09-12
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: C30B9/12 , C30B9/10 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供一种IIIA族氮化物晶体的制造方法，其包括了晶体生长过程，通过由具有六方晶结构的氮化镓晶体的籽晶生长具有六方晶结构的IIIA族氮化物晶体来形成IIIA族氮化物晶体，其中籽晶的c轴方向的长度“L”是9.7毫米或更长，长度“L”与c面上晶体直径“d”的L/d比大于0.813。晶体生长过程包括了在IIIA族氮化物晶体的侧面形成包含{10-10}面的外围和包含{10-11}面的外围，并在IIIA族氮化物晶体的底面形成包含{0001}面的外围的过程。
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