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公开(公告)号：CN103668460A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310631284.X
申请日：2013-09-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B9/12 , C30B29/403
Abstract: 本发明涉及一种具有六方晶体结构的第13族氮化物晶体，其包含至少一个氮原子和至少一个从B、Al、Ga、In和Tl组成的组中选择的金属原子。平行于c-轴的横截面中底面位错的位错密度为104cm-2或更大。
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公开(公告)号：CN103320864A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310085505.8
申请日：2013-03-18
Applicant: 株式会社理光
IPC: C30B29/40
CPC classification number: C01B21/064 , C01B21/0632 , C30B9/06 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供第13族氮化物晶体和第13族氮化物晶体基板。第13族氮化物晶体具有六方晶结构，其含有氮原子和选自B、Al、Ga、In和Tl的至少一种类型的金属原子。所述第13族氮化物晶体具有多个方向的基面位错。所述基面位错的位错密度高于c面的穿透位错的位错密度。
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公开(公告)号：CN102995123B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210336715.5
申请日：2012-09-12
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: C30B9/12 , C30B9/10 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供一种IIIA族氮化物晶体的制造方法，其包括了晶体生长过程，通过由具有六方晶结构的氮化镓晶体的籽晶生长具有六方晶结构的IIIA族氮化物晶体来形成IIIA族氮化物晶体，其中籽晶的c轴方向的长度“L”是9.7毫米或更长，长度“L”与c面上晶体直径“d”的L/d比大于0.813。晶体生长过程包括了在IIIA族氮化物晶体的侧面形成包含{10-10}面的外围和包含{10-11}面的外围，并在IIIA族氮化物晶体的底面形成包含{0001}面的外围的过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102995123A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210336715.5
申请日：2012-09-12
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: C30B9/12 , C30B9/10 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供一种IIIA族氮化物晶体的制造方法，其包括了晶体生长过程，通过由具有六方晶结构的氮化镓晶体的籽晶生长具有六方晶结构的IIIA族氮化物晶体来形成IIIA族氮化物晶体，其中籽晶的c轴方向的长度“L”是9.7毫米或更长，长度“L”与c面上晶体直径“d”的L/d比大于0.813。晶体生长过程包括了在IIIA族氮化物晶体的侧面形成包含{10-10}面的外围和包含{10-11}面的外围，并在IIIA族氮化物晶体的底面形成包含{0001}面的外围的过程。
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公开(公告)号：CN106103816A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201480077198.1
申请日：2014-11-27
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 一种氮化镓晶体的制造方法，其包括：其中通过将氮溶解在包含镓和钠的混合熔体中以生长氮化镓晶体(5)的生长步骤，以及其中使包含镓和钠的合金(51)与使钠离子化的液体(52)反应从而使钠离子和镓(55)从所述合金(51)分离且回收所分离的镓(55)的回收步骤。
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公开(公告)号：CN103668460B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201310631284.X
申请日：2013-09-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B9/12 , C30B29/403
Abstract: 本发明涉及一种具有六方晶体结构的第13族氮化物晶体，其包含至少一个氮原子和至少一个从B、Al、Ga、In和Tl组成的组中选择的金属原子。平行于c‑轴的横截面中底面位错的位错密度为104cm‑2或更大。
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公开(公告)号：CN106319617A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610681560.7
申请日：2013-03-18
Applicant: 株式会社理光
IPC: C30B9/06 , C30B29/40 , C01B21/064 , C01B21/06
CPC classification number: C01B21/064 , C01B21/0632 , C30B9/06 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供第13族氮化物晶体和第13族氮化物晶体基板。第13族氮化物晶体具有六方晶结构，其含有氮原子和选自B、Al、Ga、In和Tl的至少一种类型的金属原子。所述第13族氮化物晶体具有多个方向的基面位错。所述基面位错的位错密度高于c面的穿透位错的位错密度。
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公开(公告)号：CN106283174A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610709174.4
申请日：2013-09-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B9/12 , C30B29/403
Abstract: 本发明涉及一种具有六方晶体结构的第13族氮化物晶体，其包含至少一个氮原子和至少一个从B、Al、Ga、In和Tl组成的组中选择的金属原子。平行于c-轴的横截面中底面位错的位错密度为104cm-2或更大，并且是c-面的螺旋位错的位错密度的1000倍或更多。
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