公开(公告)号：CN100352036C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200310100556.X

申请日：2003-10-16

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 大森一稔 ,  田丸刚 ,  大桥直史 ,  佐藤清彦 ,  丸山裕之

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76829 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/7684 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，提高用低介电常数的SiOC膜构成布线层间膜和孔层间膜的铜金属镶嵌布线的可靠性。通过用SiOC膜构成布线层间膜15、23和孔层间膜21中的每一者，用SiCN膜A和SiC膜B的叠层膜构成止挡层绝缘膜14、22和顶包绝缘膜20，来实现布线层间膜15、23和孔层间膜21的漏电流的减小以及与止挡层绝缘膜14、22和顶包绝缘膜20之间的粘接性。

公开(公告)号：CN1497700A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN200310100556.X

申请日：2003-10-16

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 大森一稔 ,  田丸刚 ,  大桥直史 ,  佐藤清彦 ,  丸山裕之

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76829 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/7684 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，提高用低介电常数的SiOC膜构成布线层间膜和孔层间膜的铜金属镶嵌布线的可靠性。通过用SiOC膜构成布线层间膜15、23和孔层间膜21中的每一者，用SiCN膜A和SiC膜B的叠层膜构成止挡层绝缘膜14、22和顶包绝缘膜20，来实现布线层间膜15、23和孔层间膜21的漏电流的减小以及与止挡层绝缘膜14、22和顶包绝缘膜20之间的粘接性。