电子装置及其制造方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109075147B

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN201780022959.7

    申请日:2017-03-24

    Abstract: 在具备电子部件(12)、密封树脂体(11)、至少一部分配置于密封树脂体的内部的第1部件(19)、以及在密封树脂体的内部经由软钎料(21、22)与第1部件连接的第2部件(16、25)的电子装置中,第1部件具有使用金属材料形成的基材(191c)、以及在基材的表面中的至少第1部件的与对置面(191a)相反的背面(191b)侧的表面上设置的覆膜(191d),该对置面(191a)与第2部件对置。覆膜具有在基材的表面设置的金属薄膜(191e)、以及设置于金属薄膜上并由与金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物形成的凹凸氧化膜(191f)。凹凸氧化膜在第1部件的背面被设置成在第1部件、软钎料、以及第2部件的层叠方向上的投影视下,至少与第1部件的对置面上的与软钎料连接的连接区域(194)的全域重叠。

    半导体装置及电力变换装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115516624A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202180031629.0

    申请日:2021-03-12

    Abstract: 形成在半导体元件的两面上的主电极与对应的热沉连接。发射极电极经由接线柱(60)而与热沉(50)连接。在接线柱(60)中,热沉侧的端面(60b)呈具有平行于X方向的两个边(61a、61b)和平行于Y方向的两个边(61c、61d)的矩形。热沉(50)经由焊料(91)而与接线柱(60)的端面(60b)连接。热沉(50)在与接线柱(60)对置的对置面(50a)上具有与接线柱(60)连接的连接区域(51)和将连接区域(51)包围而收容剩余的焊料(91)的槽(52)。槽(52)设置为,在平面视图下与端面(60b)的4边中的仅一个或仅两个重叠。

    电子装置及其制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109075147A

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201780022959.7

    申请日:2017-03-24

    Abstract: 在具备电子部件(12)、密封树脂体(11)、至少一部分配置于密封树脂体的内部的第1部件(19)、以及在密封树脂体的内部经由软钎料(21、22)与第1部件连接的第2部件(16、25)的电子装置中,第1部件具有使用金属材料形成的基材(191c)、以及在基材的表面中的至少第1部件的与对置面(191a)相反的背面(191b)侧的表面上设置的覆膜(191d),该对置面(191a)与第2部件对置。覆膜具有在基材的表面设置的金属薄膜(191e)、以及设置于金属薄膜上并由与金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物形成的凹凸氧化膜(191f)。凹凸氧化膜在第1部件的背面被设置成在第1部件、软钎料、以及第2部件的层叠方向上的投影视下,至少与第1部件的对置面上的与软钎料连接的连接区域(194)的全域重叠。

    半导体装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112805823B

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN201980064631.0

    申请日:2019-09-19

    Abstract: 半导体装置具备:半导体芯片(12),具有有源区域(124)和将有源区域包围的外周区域(125);金属部件(18),在半导体芯片侧的一面具有安装半导体芯片的安装部(182)和将安装部包围的周围部(183);接合部件(16),介于半导体芯片与安装部之间,将半导体芯片与金属部件连接;以及封固树脂体(14),将半导体芯片、金属部件的至少一面及接合部件一体地封固。金属部件,作为周围部而具有:密接部(184),以将安装部包围的方式设置,与封固树脂体密接;和环状的非密接部(185),设在安装部与密接部之间,不连接接合部件,与密接部相比对于封固树脂体的密接性低。在非密接部的全长的至少一部分中,宽度的整个区域在半导体芯片的厚度方向的投影观察中设在与半导体芯片重叠的区域内。

    半导体装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112805823A

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN201980064631.0

    申请日:2019-09-19

    Abstract: 半导体装置具备:半导体芯片(12),具有有源区域(124)和将有源区域包围的外周区域(125);金属部件(18),在半导体芯片侧的一面具有安装半导体芯片的安装部(182)和将安装部包围的周围部(183);接合部件(16),介于半导体芯片与安装部之间,将半导体芯片与金属部件连接;以及封固树脂体(14),将半导体芯片、金属部件的至少一面及接合部件一体地封固。金属部件,作为周围部而具有:密接部(184),以将安装部包围的方式设置,与封固树脂体密接;和环状的非密接部(185),设在安装部与密接部之间,不连接接合部件,与密接部相比对于封固树脂体的密接性低。在非密接部的全长的至少一部分中,宽度的整个区域在半导体芯片的厚度方向的投影观察中设在与半导体芯片重叠的区域内。

    半导体装置及其制造方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115440712A

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202210617510.8

    申请日:2022-06-01

    Abstract: 一种半导体装置,包括半导体元件、密封构件和第一导电板。半导体元件包括第一电极。密封构件密封半导体元件。第一导电板包括在密封构件内部面向第一电极的第一表面。第一导电板的第一表面包括安装区域、粗糙化区域和非粗糙化区域。第一电极接合到安装区域。粗糙化区域位于安装区域周围。非粗糙化区域位于粗糙化区域与第一表面的外周边缘之间。粗糙化区域的表面粗糙度大于非粗糙化区域的表面粗糙度。

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