公开(公告)号：CN119673927A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411878695.3

申请日：2022-04-21

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 木村良 ,  小岛悠嗣 ,  佐藤敬 ,  坂本善次 ,  奥村知巳

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/36 ,  H01L23/498

Abstract: 半导体装置具备：半导体元件，具有半导体基板、第1主电极、第2主电极及设在上述背面且具有开口部的保护膜；第1布线部件，与第1主电极电连接；第2布线部件，在板厚方向上在与第1布线部件之间夹着半导体元件而配置，与第2主电极连接；烧结部件，将第2主电极与第2布线部件接合；以及封固体，将半导体元件、第1布线部件、第2布线部件及烧结部件封固；第2主电极具有基底电极和连接电极；在烧结部件与规定开口部的保护膜的内周面之间具有规定的距离，烧结部件将连接电极与第2布线部件接合；第2布线部件具有布线板以及导电间隔件；在板厚方向的平面视图中，保护膜的内周面将导电间隔件包含在内部，导电间隔件将烧结部件包含在内部。

公开(公告)号：CN117355936A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202280037252.4

申请日：2022-04-21

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 木村良 ,  小岛悠嗣 ,  佐藤敬 ,  坂本善次 ,  奥村知巳

IPC: H01L23/36

Abstract: 半导体装置具备在两面具有主电极(40D、40S)的半导体元件(40)、电连接着主电极(40D)的基板(50)、将主电极与基板接合的烧结部件(100A)、以及封固体。基板的表面金属体(52)具有通过激光的照射而形成的凹凸氧化膜。凹凸氧化膜包括厚膜部(520X)以及与厚膜部相比膜厚较薄且凸部的高度较低的薄膜部(520Y)。表面金属体具有与第1主电极接合的安装部(529a)、设置厚膜部且在平面观察中将半导体元件包围的外周部(529b)、以及设置薄膜部且在安装部与外周部之间将安装部包围的中间部(529c)。烧结部件在平面观察中以与安装部及中间部重叠的方式配置，与薄膜部接触。

公开(公告)号：CN119673928A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411878701.5

申请日：2022-04-21

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 木村良 ,  小岛悠嗣 ,  佐藤敬 ,  坂本善次 ,  奥村知巳

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/36 ,  H01L23/498

Abstract: 半导体装置具备：半导体元件，具有半导体基板、设在半导体基板的一面的第1主电极、以及设在与一面在板厚方向上相反的背面的第2主电极；第1布线部件，与第1主电极电连接；第2布线部件，在板厚方向上在与第1布线部件之间夹着半导体元件而配置，并与第2主电极连接；以及接合材料，将第2主电极与第2布线部件接合；接合材料是具备烧结层和脆弱层的多层构造，烧结层的杨氏模量及/或屈服应力大于第2主电极，脆弱层在板厚方向上与烧结层相邻，脆弱层的杨氏模量及/或屈服应力小于第2主电极；脆弱层是与烧结层相同种类的粒子的烧结体，且粒子的间隔大于烧结层；接合材料是在板厚方向的两端具有烧结层且在烧结层之间具有脆弱层的三层构造。