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公开(公告)号:CN101074474A
公开(公告)日:2007-11-21
申请号:CN200710110147.6
申请日:2005-01-25
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/025
Abstract: 一种硬质叠层被膜的方法,其特征是采用在同一真空容器内分别装有1台以上都具有磁场外加功能的电弧蒸发源和溅射蒸发源的成膜装置,并通过在含有反应气体的成膜保护气氛中,使电弧蒸发源和溅射蒸发源同时工作,分别使所述层A的成分从电弧蒸发源蒸发、且使所述层B的成分从溅射蒸发源蒸发,同时使基板相对于所述各蒸发源相对移动,进而在基板上交替叠层所述层A和所述层B。
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公开(公告)号:CN101254673A
公开(公告)日:2008-09-03
申请号:CN200810081818.5
申请日:2005-01-25
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/025
Abstract: 一种硬质叠层被膜,以层A和层B的组成不相同的方式,交替叠层由特定组成构成的层A和层B。每层的层A的厚度是每层的层B的厚度的2倍以上,而且,每层的层B的厚度在0.5nm以上,每层的层A的厚度在200nm以下。由此,本发明提供一种能够用于以超硬合金、金属陶瓷或高速工具钢等为基材的切削工具,或者汽车用滑动部件等的耐磨损性被膜。
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公开(公告)号:CN101074474B
公开(公告)日:2011-02-02
申请号:CN200710110147.6
申请日:2005-01-25
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/025
Abstract: 一种硬质叠层被膜的方法,其特征是采用在同一真空容器内分别装有1台以上都具有磁场外加功能的电弧蒸发源和溅射蒸发源的成膜装置,并通过在含有反应气体的成膜保护气氛中,使电弧蒸发源和溅射蒸发源同时工作,分别使所述层A的成分从电弧蒸发源蒸发、且使所述层B的成分从溅射蒸发源蒸发,同时使基板相对于所述各蒸发源相对移动,进而在基板上交替叠层所述层A和所述层B。
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公开(公告)号:CN100419117C
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:CN200510005755.1
申请日:2005-01-25
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/0063 , C23C14/0036 , C23C14/06 , C23C14/0641 , C23C14/0647 , C23C14/0652 , C23C14/0664 , C23C14/0676 , C23C14/16 , C23C14/22 , C23C14/325 , C23C14/35 , C23C14/568 , C23C28/044 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/341 , C23C28/347 , C23C28/42 , C23C28/44 , C23C30/00 , Y10T428/24942 , Y10T428/24975 , Y10T428/26
Abstract: 一种硬质叠层被膜,以层A和层B的组成不相同的方式,交替叠层由特定组成构成的层A和层B。每层的层A的厚度是每层的层B的厚度的2倍以上,而且,每层的层B的厚度在0.5nm以上,每层的层A的厚度在200nm以下。由此,本发明提供一种能够用于以超硬合金、金属陶瓷或高速工具钢等为基材的切削工具,或者汽车用滑动部件等的耐磨损性被膜。
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公开(公告)号:CN101254674A
公开(公告)日:2008-09-03
申请号:CN200810081819.X
申请日:2005-01-25
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/025
Abstract: 一种硬质叠层被膜,以层A和层B的组成不相同的方式,交替叠层由特定组成构成的层A和层B。每层的层A的厚度是每层的层B的厚度的2倍以上,而且,每层的层B的厚度在0.5nm以上,每层的层A的厚度在200nm以下。由此,本发明提供一种能够用于以超硬合金、金属陶瓷或高速工具钢等为基材的切削工具,或者汽车用滑动部件等的耐磨损性被膜。
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公开(公告)号:CN101509120B
公开(公告)日:2012-12-26
申请号:CN200810190347.1
申请日:2001-12-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C14/06
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/0641 , C23C14/0664 , C23C30/005 , Y10S264/91 , Y10T428/12785
Abstract: 一种切削工具用硬质被膜,是由(Ti1-a-b-c-d,Ala,Crb,Sic,Bd)(C1-eNe)构成的硬质被膜,其中,0.5≤a≤0.8、0.06≤b、0≤c≤0.1、0≤d≤0.1、0≤c+d≤0.1、a+b+c+d<1、0.5≤e≤1其中,a、b、c、d分别表示Al、Cr、Si、B的原子比,e表示N的原子比。另外,本发明还提供了用上述切削工具用硬质被膜覆盖的切削工具,该切削工具用硬质被膜的制造方法以及硬质被膜形成用靶。采用本发明能够提供可高速·高效率切削的,耐磨损性比TiAlN优良的切削工具用硬质被膜,用于得到这种硬质被膜的有用的制造方法,以及可以通过上述制造方法有效地得到本发明的切削工具用硬质被膜的靶。
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公开(公告)号:CN101254673B
公开(公告)日:2012-06-13
申请号:CN200810081818.5
申请日:2005-01-25
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C14/00
CPC classification number: C23C14/025
Abstract: 一种硬质叠层被膜,以层A和层B的组成不相同的方式,交替叠层由特定组成构成的层A和层B。每层的层A的厚度是每层的层B的厚度的2倍以上,而且,每层的层B的厚度在0.5nm以上,每层的层A的厚度在200nm以下。由此,本发明提供一种能够用于以超硬合金、金属陶瓷或高速工具钢等为基材的切削工具,或者汽车用滑动部件等的耐磨损性被膜。
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公开(公告)号:CN101254674B
公开(公告)日:2011-04-20
申请号:CN200810081819.X
申请日:2005-01-25
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/025
Abstract: 一种硬质叠层被膜,以层A和层B的组成不相同的方式,交替叠层由特定组成构成的层A和层B。每层的层A的厚度是每层的层B的厚度的2倍以上,而且,每层的层B的厚度在0.5nm以上,每层的层A的厚度在200nm以下。由此,本发明提供一种能够用于以超硬合金、金属陶瓷或高速工具钢等为基材的切削工具,或者汽车用滑动部件等的耐磨损性被膜。
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公开(公告)号:CN101509120A
公开(公告)日:2009-08-19
申请号:CN200810190347.1
申请日:2001-12-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C14/06
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/0641 , C23C14/0664 , C23C30/005 , Y10S264/91 , Y10T428/12785
Abstract: 一种切削工具用硬质被膜,是由(Ti1-a-b-c-d,Ala,Crb,Sic,Bd)(C1-eNe)构成的硬质被膜,其中,0.5≤a≤0.8、0.06≤b、0≤c≤0.1、0≤d≤0.1、0≤c+d≤0.1、a+b+c+d<1、0.5≤e≤1其中,a、b、c、d分别表示Al、Cr、Si、B的原子比,e表示N的原子比。另外,本发明还提供了用上述切削工具用硬质被膜覆盖的切削工具,该切削工具用硬质被膜的制造方法以及硬质被膜形成用靶。采用本发明能够提供可高速·高效率切削的,耐磨损性比TiAlN优良的切削工具用硬质被膜,用于得到这种硬质被膜的有用的制造方法,以及可以通过上述制造方法有效地得到本发明的切削工具用硬质被膜的靶。
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公开(公告)号:CN100460114C
公开(公告)日:2009-02-11
申请号:CN01131699.3
申请日:2001-12-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/0641 , C23C14/0664 , C23C30/005 , Y10S264/91 , Y10T428/12785
Abstract: 一种切削工具用硬质被膜,是由(Ti1-a-b-c-d,Ala,Crb,Sic,Bd)(C1-eNe)构成的硬质被膜,其中,0.5≤a≤0.8、0.06≤b、0≤c≤0.1、0≤d≤0.1、0≤c+d≤0.1、a+b+c+d<1、0.5≤e≤1其中,a、b、c、d分别表示Al、Cr、Si、B的原子比,e表示N的原子比。另外,本发明还提供了用上述切削工具用硬质被膜覆盖的切削工具,该切削工具用硬质被膜的制造方法以及硬质被膜形成用靶。采用本发明能够提供可高速·高效率切削的,耐磨损性比TiAlN优良的切削工具用硬质被膜,用于得到这种硬质被膜的有用的制造方法,以及可以通过上述制造方法有效地得到本发明的切削工具用硬质被膜的靶。
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