公开(公告)号：CN116895569A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310359565.8

申请日：2023-04-06

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥广毅 ,  伊东伴 ,  尹升镐 ,  佐藤航平

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 提供一种能够将不会在处理液的供给线路的中途产生尺寸大的气泡且包含高浓度的微细气泡的处理液向被处理基板供给的基板处理系统和基板处理方法。提供具备气体溶解水生成箱(51)，药液稀释模块(52)和基板处理模块的基板处理系统(50)。基板处理模块具备向基板(W)供给处理液的处理液供给喷嘴。处理液供给喷嘴具有从稀释药液产生气体的微细气泡的减压开放部。处理液供给喷嘴在对基板(W)进行擦洗处理的工序中供给包含微细气泡的稀释药液。

公开(公告)号：CN115244656A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180018254.4

申请日：2021-02-02

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 伊东伴 ,  饭泉健 ,  盖尔·罗耶尔 ,  帕特里克·翁 ,  凯文·范德斯米森 ,  卡蒂亚·迪利伦特

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  B24B49/04 ,  B24B49/12 ,  B24B49/16

Abstract: 本发明关于研磨晶片等基板的研磨方法及研磨装置。此外，本发明关于记录有用于使研磨装置执行研磨方法的程序的计算机可读取记录介质。本方法使研磨台(3)旋转，并将基板(W)按压于研磨面(2a)来研磨基板(W)。研磨基板(W)的工序包含膜厚轮廓调整工序和研磨终点检测工序。膜厚轮廓调整工序包含如下工序：基于多个膜厚来调整基板(W)对研磨面(2a)的按压力，决定膜厚指标值达到膜厚阈值的时间点，该膜厚指标值是根据多个膜厚中的至少一个而决定的。研磨终点检测工序包含如下工序：测定用于使研磨台(3)旋转的转矩，并基于转矩决定研磨终点。

公开(公告)号：CN118305645A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202310236008.7

申请日：2023-03-13

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 伊东伴

IPC: B24B1/00 ,  B24B37/10 ,  B24B37/20 ,  B24B37/34 ,  B24B37/005 ,  B24B57/02 ,  B24B55/06 ,  B24B53/017

Abstract: 本发明提供能够实现基板的研磨加工的稳定化的研磨方法及研磨装置。研磨方法在基板(W)的研磨结束后将微细气泡液向研磨垫(1)上供给。

公开(公告)号：CN115302398A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210427039.6

申请日：2022-04-22

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 伊东伴 ,  本岛靖之 ,  尹昇镐 ,  鱼住修司 ,  三浦骏平 ,  松尾尚典 ,  铃木宪一

IPC: B24B37/015 ,  B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02 ,  B24B1/00

Abstract: 本发明提供一种研磨装置及研磨方法，可不使基板产生划痕等缺陷及污染而以所需的研磨性能研磨基板。研磨装置包括：研磨台，用于支撑研磨垫；研磨头，将基板按压于研磨垫的研磨面而研磨基板；垫温度测定器，测定研磨面的温度；垫温度调整装置，调整研磨面的温度；以及控制装置，基于由垫温度测定器所测定的研磨面的温度来控制垫温度调整装置的动作。垫温度调整装置包含：垫加热机，从研磨面朝上方远离地配置，所述垫加热机具有：长条部，沿研磨垫的大致半径方向延伸；以及狭缝形状的喷射口，沿着所述长条部的长边方向形成，用于向研磨面喷射加热流体。