公开(公告)号：CN100396730C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN03807788.4

申请日：2003-04-09

Applicant: 株式会社藤仓 ,  藤仓化成株式会社

Inventor： 高桥克彦 ,  大森喜和子 ,  远藤正德 ,  安原光 ,  今井隆之 ,  小野朗伸 ,  本多俊之 ,  冈本航司 ,  伊藤雅史

IPC: C08L101/00 ,  C08K3/00 ,  C08K5/00 ,  H01B1/20

CPC classification number: H05K1/095 ,  C08K3/22 ,  C08K3/26 ,  C08K2003/0806 ,  C08K2003/2286 ,  C08L61/00 ,  C08L63/00 ,  C08L67/00 ,  C09D5/24 ,  C09J9/02 ,  H01B1/22

Abstract: 本发明提供一种导电性组合物，该导电性组合物不依赖于高温制膜条件，同时具有与金属银可比的高导电性，并且可以得到富有柔软性的导电性覆膜。用粒子状银化合物和粘结剂或者粒子状银化合物和还原剂和粘结剂组成的组合物构成导电性组合物。该粒子状银化合物可以使用氧化银、碳酸银、醋酸银等。还原剂可以使用乙二醇、二乙二醇、二乙酸乙二醇酯等，粘结剂可以使用多元酚化合物、酚醛树脂、醇酸树脂、聚酯树脂等的热固性树脂，苯乙烯树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯等的热塑性树脂的平均粒径20nm～5μm的微细粉末等。另外优选设定粒子状银化合物的平均粒径为0.01～10μm。

公开(公告)号：CN1646633A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN03807788.4

申请日：2003-04-09

Applicant: 株式会社藤仓 ,  藤仓化成株式会社

Inventor： 高桥克彦 ,  大森喜和子 ,  远藤正德 ,  安原光 ,  今井隆之 ,  小野朗伸 ,  本多俊之 ,  冈本航司 ,  伊藤雅史

IPC: C08L101/00 ,  C08K3/00 ,  C08K5/00 ,  H01B1/20

CPC classification number: H05K1/095 ,  C08K3/22 ,  C08K3/26 ,  C08K2003/0806 ,  C08K2003/2286 ,  C08L61/00 ,  C08L63/00 ,  C08L67/00 ,  C09D5/24 ,  C09J9/02 ,  H01B1/22

Abstract: 本发明提供一种导电性组合物，该导电性组合物不依赖于高温制膜条件，同时具有与金属银可比的高导电性，并且可以得到富有柔软性的导电性覆膜。用粒子状银化合物和粘结剂或者粒子状银化合物和还原剂和粘结剂组成的组合物构成导电性组合物。该粒子状银化合物可以使用氧化银、碳酸银、醋酸银等。还原剂可以使用乙二醇、二乙二醇、二乙酸乙二醇酯等，粘结剂可以使用多元酚化合物、酚醛树脂、醇酸树脂、聚酯树脂等的热固性树脂，苯乙烯树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯等的热塑性树脂的平均粒径20nm～5μm的微细粉末等。另外优选设定粒子状银化合物的平均粒径为0.01～10μm。

公开(公告)号：CN101084558B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200580043983.6

申请日：2005-12-27

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 大森喜和子 ,  田边信夫 ,  小野朗伸

IPC: H01B13/00

Abstract: 制造在基材上设有含有导电性高分子的透明导电膜的电子装置的方法，所述透明导电膜具有第1区域及与所述第1区域相邻且电阻值比第1区域高的第2区域，该方法具有在所述基材上形成含有所述导电性高分子的所述透明导电膜的成膜工序，以及对所述透明导电膜的一部分照射紫外线，将照射部分作为所述第2区域，将非照射部分作为第1区域的紫外线照射工序，所述紫外线照射工序中，所述紫外线包括在导电性高分子的吸收图谱中吸光度为背景吸收2倍以上的吸收所示的波长。

公开(公告)号：CN101084558A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200580043983.6

申请日：2005-12-27

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 大森喜和子 ,  田边信夫 ,  小野朗伸

IPC: H01B13/00

Abstract: 制造在基材上设有含有导电性高分子的透明导电膜的电子装置的方法，所述透明导电膜具有第1区域及与所述第1区域相邻且电阻值比第1区域高的第2区域，该方法具有在所述基材上形成含有所述导电性高分子的所述透明导电膜的成膜工序，以及对所述透明导电膜的一部分照射紫外线，将照射部分作为所述第2区域，将非照射部分作为第1区域的紫外线照射工序，所述紫外线照射工序中，所述紫外线包括在导电性高分子的吸收图谱中吸光度为背景吸收2倍以上的吸收所示的波长。

公开(公告)号：CN1608296A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN02825959.9

申请日：2002-12-25

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 高桥克彦 ,  大森喜和子 ,  远藤正德 ,  安原光 ,  小野朗伸 ,  今井隆之 ,  黑泽幸彦 ,  在间弘朗

IPC: H01B1/22 ,  H01B5/00 ,  H05K1/09 ,  C09D5/24

CPC classification number: H01B1/22 ,  C09D5/24 ,  H05K1/095 ,  H05K3/105 ,  H05K3/321 ,  H05K2203/1157 ,  H05K2203/125

Abstract: 本发明的目的在于，不依赖于高温的制膜条件，能得到与金属银相匹敌的低体积电阻率、高导电性的导电性覆膜，并且，在形成挠性电路板等的电路的情况下，能充分减细其电路的线宽，得到不需要增厚其厚度的导电性组合物。导电性组合物采用由粒子状银化合物和还原剂和分散剂组成的组合物来构成。该粒子状银化合物使用氧化银、碳酸银、醋酸银等。分散剂使用水、醇类等，还原剂使用乙二醇、二甘醇等。另外，优选粒子状银化合物的平均粒径为0.01～10μm。

公开(公告)号：CN100428368C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN02825959.9

申请日：2002-12-25

Applicant: 株式会社藤仓

Inventor： 高桥克彦 ,  大森喜和子 ,  远藤正德 ,  安原光 ,  小野朗伸 ,  今井隆之 ,  黑泽幸彦 ,  在间弘朗

IPC: H01B1/22 ,  H01B5/00 ,  H05K1/09 ,  C09D5/24

CPC classification number: H01B1/22 ,  C09D5/24 ,  H05K1/095 ,  H05K3/105 ,  H05K3/321 ,  H05K2203/1157 ,  H05K2203/125

Abstract: 本发明的目的在于，不依赖于高温的制膜条件，能得到与金属银相匹敌的低体积电阻率、高导电性的导电性覆膜，并且，在形成挠性电路板等的电路的情况下，能充分减细其电路的线宽，得到不需要增厚其厚度的导电性组合物。导电性组合物采用由粒子状银化合物和还原剂和分散剂组成的组合物来构成。该粒子状银化合物使用氧化银、碳酸银、醋酸银等。分散剂使用水、醇类等，还原剂使用乙二醇、二甘醇等。另外，优选粒子状银化合物的平均粒径为0.01～10μm。