公开(公告)号：CN116079239A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211355247.6

申请日：2022-11-01

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 广濑翼

IPC: B23K26/362 ,  B23K26/364 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，在照射激光光线而对晶片进行加工时，能够消除裂纹进展至从分割预定线探出的区域而给器件带来损伤的问题。晶片的加工方法包含如下的工序：盾构隧道形成工序，照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线而形成由细孔和围绕该细孔的改质筒构成的盾构隧道；以及分割工序，对晶片赋予外力而将晶片分割成各个器件芯片。该盾构隧道形成工序包含如下的工序：第一盾构隧道形成工序，至少空出与一个盾构隧道相当的间隔而在分割预定线上连续地形成盾构隧道；以及第二盾构隧道形成工序，在空出该间隔的分割预定线的区域中连续地形成盾构隧道。

公开(公告)号：CN119943759A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411500541.0

申请日：2024-10-25

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 广濑翼

IPC: H01L21/78 ,  B23K26/062 ,  B23K26/067 ,  B23K26/035

Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，能够使不相对于分割预定线弯曲行进的直线状的裂纹在分割预定线上露出，高精度且适当地将晶片分割。晶片的加工方法包含如下的工序：第一加工工序，将对于晶片具有透过性的波长的第一输出的第一激光光线的聚光点定位于分割预定线的正面附近而向该晶片照射该第一激光光线，形成裂纹未到达分割预定线的正面的第一改质层；第二加工工序，将对于晶片具有透过性的波长的比该第一输出强的第二输出的第二激光光线的聚光点定位于与分割预定线对应的晶片的背面的内侧而向该晶片照射该第二激光光线，沿着分割预定线形成第二改质层；以及分割工序，对晶片施加外力，将晶片分割成各个器件芯片。

公开(公告)号：CN119943758A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411500537.4

申请日：2024-10-25

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 广濑翼

IPC: H01L21/78 ,  B23K26/38 ,  B23K26/402 ,  B23K26/067 ,  B23K26/035

Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，能够减轻将晶片分割成各个器件芯片时的负荷，并且不会在器件芯片的外周产生崩边。晶片的加工方法包含如下的工序：第一加工工序，将对于晶片具有透过性的波长的第一激光光线的聚光点定位于与分割预定线对应的晶片的内部而照射，形成由细孔和围绕该细孔的改质层构成的盾构隧道；第二加工工序，将对于晶片具有透过性的波长且比该第一激光光线的输出强的第二激光光线的聚光点定位于与分割预定线对应的晶片的内部，并且按照比盾构隧道的间隔窄的间隔向晶片照射第二激光光线，沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层而使分割预定线产生裂纹；以及分割工序，对晶片施加外力，将晶片分割成各个器件芯片。

公开(公告)号：CN116079226A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211359952.3

申请日：2022-11-02

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 广濑翼

IPC: B23K26/00 ,  B23K26/38 ,  H01L21/78 ,  B23K101/40

Abstract: 本发明提供加工方法，在对被加工物实施从被加工物去除非必要区域的加工而得到任意的必要区域的情况下，不使裂纹进展至必要区域侧而得到期望的加工结果。该加工方法是包含必要区域和非必要区域的被加工物的加工方法，其中，该加工方法包含如下的工序：防护壁形成工序，对限定必要区域与非必要区域的边界的区域照射对于被加工物具有透过性的波长的激光光线，形成多个由细孔和围绕该细孔的改质筒构成的盾构隧道，从而形成防护壁；以及非必要区域去除工序，在实施了该防护壁形成工序之后，将非必要区域去除。