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公开(公告)号：CN107004604B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201580064351.1
申请日：2015-11-19
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/786
Abstract: 本发明是在基板(5)上层叠地具备栅极电极(1)、源极电极(3)、漏极电极(4)以及半导体层(2)的薄膜晶体管，上述半导体层(2)是多晶硅薄膜(8)，为与上述源极电极(3)和上述漏极电极(4)分别对应的区域的上述多晶硅薄膜(8)的晶体粒径比被上述源极电极(3)和上述漏极电极(4)夹着的沟道区域(10)的上述多晶硅薄膜(8)的晶体粒径小的结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103703410B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201280032194.2
申请日：2012-08-02
Applicant: 株式会社V技术
CPC classification number: G02F1/0136 , H01S3/0057
Abstract: 本发明公开了一种脉冲宽度扩展装置，其构成为具备：将入射的脉冲激光进行分光的偏振分光镜（1）；根据所施加的电压而将入射的脉冲激光进行偏振的电光元件（2a、2b）；通过向所述电光元件施加电压并对该电压进行控制，从而对入射到所述电光元件上的脉冲激光的偏振进行控制的偏振控制装置（3）；以及具有将通过了所述电光元件的脉冲激光反射并使其入射到所述偏振分光镜的多个反光镜（4a、4b、4c），并形成使脉冲激光再一次入射到所述电光元件的光路的光路形成装置（4），通过使由所述偏振分光镜分光的脉冲激光围绕所述光路旋转从而使相位错开，并将该相位错开的脉冲激光进行重合从而扩展其脉冲宽度。
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公开(公告)号：CN103703410A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201280032194.2
申请日：2012-08-02
Applicant: 株式会社V技术
CPC classification number: G02F1/0136 , H01S3/0057
Abstract: 本发明公开了一种脉冲宽度扩展装置，其构成为具备：将入射的脉冲激光进行分光的偏振分光镜（1）；根据所施加的电压而将入射的脉冲激光进行偏振的电光元件（2a、2b）；通过向所述电光元件施加电压并对该电压进行控制，从而对入射到所述电光元件上的脉冲激光的偏振进行控制的偏振控制装置（3）；以及具有将通过了所述电光元件的脉冲激光反射并使其入射到所述偏振分光镜的多个反光镜（4a、4b、4c），并形成使脉冲激光再一次入射到所述电光元件的光路的光路形成装置（4），通过使由所述偏振分光镜分光的脉冲激光围绕所述光路旋转从而使相位错开，并将该相位错开的脉冲激光进行重合从而扩展其脉冲宽度。
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公开(公告)号：CN107004604A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580064351.1
申请日：2015-11-19
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/786
Abstract: 本发明是在基板(5)上层叠地具备栅极电极(1)、源极电极(3)、漏极电极(4)以及半导体层(2)的薄膜晶体管，上述半导体层(2)是多晶硅薄膜(8)，为与上述源极电极(3)和上述漏极电极(4)分别对应的区域的上述多晶硅薄膜(8)的晶体粒径比被上述源极电极(3)和上述漏极电极(4)夹着的沟道区域(10)的上述多晶硅薄膜(8)的晶体粒径小的结构。
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公开(公告)号：CN103636083A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201280030065.X
申请日：2012-07-09
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H01S3/107
CPC classification number: H01S3/11 , H01S3/005 , H01S3/08054 , H01S3/092 , H01S3/10038 , H01S3/107 , H01S3/115 , H01S3/1611 , H01S3/1643 , H01S3/2308
Abstract: 本发明公开了一种脉冲激光振荡器，其具备：根据所施加的电压而使光产生偏振的第一电光元件、和向所述第一电光元件施加电压并对电压进行控制的电压控制装置，该脉冲激光振荡器通过所述电压控制装置使施加到所述第一电光元件的电压值时效地变化，从而控制激光的脉冲宽度。
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