公开(公告)号：CN105679674B

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201510884183.2

申请日：2015-12-04

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 余鸿 ,  刘金平 ,  黄海苟 ,  刘晃

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636

Abstract: 本申请涉及使用重叠掩膜减少栅极高度变化的方法。该方法包括形成至少一鳍片在半导体衬底中。形成占位栅极结构在上述的鳍片上。该占位栅极结构包括占位材料以及界定在该占位材料的上表面上的帽结构。该帽结构包括设置在该占位材料之上的第一帽层以及设置在该第一帽层之上的第二帽层。实施氧化制程在该第二帽层的至少一部分上以形成氧化区域在该第二帽层的剩余部分之上。移除该氧化区域的一部分以曝露该剩余部分。移除该第二帽层的该剩余部分。移除该第一帽层以曝露该占位材料。以导电材料置换该占位材料。

公开(公告)号：CN105679674A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201510884183.2

申请日：2015-12-04

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 余鸿 ,  刘金平 ,  黄海苟 ,  刘晃

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/785

Abstract: 本申请涉及使用重叠掩膜减少栅极高度变化的方法。该方法包括形成至少一鳍片在半导体衬底中。形成占位栅极结构在上述的鳍片上。该占位栅极结构包括占位材料以及界定在该占位材料的上表面上的帽结构。该帽结构包括设置在该占位材料之上的第一帽层以及设置在该第一帽层之上的第二帽层。实施氧化制程在该第二帽层的至少一部分上以形成氧化区域在该第二帽层的剩余部分之上。移除该氧化区域的一部分以曝露该剩余部分。移除该第二帽层的该剩余部分。移除该第一帽层以曝露该占位材料。以导电材料置换该占位材料。