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公开(公告)号：CN106653536B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201610584326.2
申请日：2016-07-22
Applicant: 格罗方德半导体公司
CPC classification number: G01N23/04 , G01N2223/03 , G01N2223/607
Abstract: 本发明公开由暗场电子全像以高解析度产生不失真暗场应变图的方法，具体涉及一种用于测量半导体材料或其它晶体材料的应变的线内暗场全像方法，其使用具有用于使电子射束穿过应变及无应变样本的电子枪的穿透式电子显微镜。于磁倾斜线圈与该样本之间的聚光迷你‑透镜在穿过该对样本之前以一角度增加该射束的偏斜。第一物镜透镜形成各该样本的虚拟影像，而第二物镜透镜将各该样本的该虚拟影像聚焦在中介影像平面，以形成各该样本的中介影像。双棱镜在该样本之间产生形成于该影像平面的干涉图案，接着可观察该干涉图案以判断该应变样本的应变程度，并提供具有最小光学失真的无慧星像差的应变图。
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公开(公告)号：CN106257690A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201610458177.5
申请日：2016-06-22
Applicant: 格罗方德半导体公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及在块体鳍式场效应晶体管沟道中产生拉伸应变，本发明的实施例提供一种形成鳍片型晶体管的方法。该方法包括形成finFET结构，该finFET结构具有位于栅极结构下面的鳍片沟道区、以及与该栅极结构的两个相对侧的该鳍片沟道区直接相邻的源极区及漏极区；以及使该源极区及该漏极区经受压缩应变，从而使该源极区及该漏极区对该鳍片沟道区施加拉伸应变。还提供由此形成的一种finFET晶体管，其包括鳍片形状的沟道区，由其顶部上的栅极覆盖；与该栅极的第一侧上的该沟道区的第一端相邻的源极；以及与该栅极的第二侧上的该沟道区的第二端相邻的漏极，其中，该源极及漏极由以硅覆盖层覆盖的具有至少50％原子百分比的Ge浓度水平的外延生长的硅-锗(SiGe)制成。
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公开(公告)号：CN106653536A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610584326.2
申请日：2016-07-22
Applicant: 格罗方德半导体公司
CPC classification number: G01N23/04 , G01N2223/03 , G01N2223/607 , H01J37/26 , H01J37/04 , H01J2237/0492 , H01J2237/1514 , H01J2237/2614
Abstract: 本发明公开由暗场电子全像以高解析度产生不失真暗场应变图的方法，具体涉及一种用于测量半导体材料或其它晶体材料的应变的线内暗场全像方法，其使用具有用于使电子射束穿过应变及无应变样本的电子枪的穿透式电子显微镜。于磁倾斜线圈与该样本之间的聚光迷你‑透镜在穿过该对样本之前以一角度增加该射束的偏斜。第一物镜透镜形成各该样本的虚拟影像，而第二物镜透镜将各该样本的该虚拟影像聚焦在中介影像平面，以形成各该样本的中介影像。双棱镜在该样本之间产生形成于该影像平面的干涉图案，接着可观察该干涉图案以判断该应变样本的应变程度，并提供具有最小光学失真的无慧星像差的应变图。
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公开(公告)号：CN106257690B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201610458177.5
申请日：2016-06-22
Applicant: 格罗方德半导体公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及在块体鳍式场效应晶体管沟道中产生拉伸应变，本发明的实施例提供一种形成鳍片型晶体管的方法。该方法包括形成finFET结构，该finFET结构具有位于栅极结构下面的鳍片沟道区、以及与该栅极结构的两个相对侧的该鳍片沟道区直接相邻的源极区及漏极区；以及使该源极区及该漏极区经受压缩应力，从而使该源极区及该漏极区对该鳍片沟道区施加拉伸应力。还提供由此形成的一种finFET晶体管，其包括鳍片形状的沟道区，由其顶部上的栅极覆盖；与该栅极的第一侧上的该沟道区的第一端相邻的源极；以及与该栅极的第二侧上的该沟道区的第二端相邻的漏极，其中，该源极及漏极由以硅覆盖层覆盖的具有至少50％原子百分比的Ge浓度水平的外延生长的硅‑锗(SiGe)制成。
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