-
公开(公告)号：CN115746326A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211543450.6
申请日：2022-12-02
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明针对利用客体的有序封装来构建光刺激响应性的稀土金属有机框架的稀缺，通过合成方法的探索，提供一种有序封装四硫富瓦烯客体的光刺激响应性铕基金属有机框架(TTF@Eu‑MOF)。此TTF@Eu‑MOF以自行制备的Eu‑MOF为前驱体，通过四硫富瓦烯溶液的浸泡而合成。其中TTF分子在框架的孔道中有序排列，并与配体的萘二酰亚胺母体形成丰富的π…π堆积相互作用。在外界光刺激下，TTF@Eu‑MOF的紫外与荧光信号均发生变化，呈现明显的响应性，具备开发为光刺激响应性分子基材料的潜力。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115850716B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202211545653.9
申请日：2022-12-02
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C08G83/00
Abstract: 本发明公开了一种镝‑镧异稀土配位聚合物及其分步合成方法与应用。此配位聚合物的化学组成为[DyLa(tmsa)(iso)NO3]·CH3OH·H2O，其中H3tmsa为三邻香草醛缩三(2‑氨基乙基)胺合希夫碱配体，而H2iso为间苯二甲酸。其分步合成先以硝酸镝与H3tmsa合成[Dy(tmsa)]前驱体，随后再以此前驱体与硝酸镧以及间苯二甲酸在无水甲醇溶剂中经高温溶剂热反应实施制备，最终呈现镝‑镧异稀土双核单元经间苯二甲酸桥连而成的链状聚合物结构。此发明不仅提供了一种稀有的稀土离子精准定位的异稀土配位聚合物，同时也为此类特殊配合物的合成提供了有效的方法。
-
公开(公告)号：CN115746326B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202211543450.6
申请日：2022-12-02
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明针对利用客体的有序封装所构建的光刺激响应性稀土金属有机框架的稀缺，通过合成方法的创新，提供一种有序封装四硫富瓦烯客体的光刺激响应性铕基金属有机框架(TTF@Eu‑MOF)。此TTF@Eu‑MOF以自行制备的Eu‑MOF为前驱体，通过四硫富瓦烯溶液的浸渍法而合成。其中TTF分子在框架的孔道中有序排列，并与配体的萘二酰亚胺母体形成丰富的π…π堆积相互作用。在外界光刺激下，TTF@Eu‑MOF的紫外与荧光信号均发生变化，呈现明显的响应性，具备开发为光刺激响应性分子基材料的潜力。
-
公开(公告)号：CN116178738A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211517327.7
申请日：2022-11-29
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C08G83/00
Abstract: 本发明公开了一种基于单一配体的三维钆基磁制冷配合物及其制备方法。该配合物以2‑羟基间苯二甲酸(H3ipO)与硝酸钆为原料，以H2O‑DMF为反应溶剂，通过简单的一步溶剂热反应制得。其化学式为[Gd2(ipO)(H2O)]·3DMF·4H2O，呈现一种以[Dy9]环状单元环环相连而形成的前所未有的三维框架结构，并由此而具备较高的磁密度。其最大磁熵变值(‑ΔSm)达到36.61J kg‑1K‑1，远高于商业化应用的传统宏观磁致冷材料Gd3Gd5O12的最大磁熵变值(14.6J kg‑1K‑1)，具备开发成为分子基磁致冷材料的潜力与价值。
-
公开(公告)号：CN115850716A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211545653.9
申请日：2022-12-02
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C08G83/00
Abstract: 本发明公开了一种镝‑镧异稀土配位聚合物及其分步合成方法与应用。此配位聚合物的化学组成为[DyLa(tmsa)(iso)NO3]·CH3OH·H2O，其中H3tmsa为三邻香草醛缩三(2‑氨基乙基)胺合希夫碱配体，而H2iso为间苯二甲酸。其分步合成先以硝酸镝与H3tmsa合成[Dy(tmsa)]前驱体，随后再以此前驱体与硝酸镧以及间苯二甲酸在无水甲醇溶剂中经高温溶剂热反应实施制备，最终呈现镝‑镧异稀土双核单元经间苯二甲酸桥连而成的链状聚合物结构。此发明不仅提供了一种稀有的稀土离子精准定位的异稀土配位聚合物，同时也为此类特殊配合物的合成提供了有效的方法。
-
公开(公告)号：CN115974937A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211543471.8
申请日：2022-12-02
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明针对当前基于氰根离子桥连的稀土簇合物合成的困难与稀缺性，通过合成条件的探索，提供了一类氰根离子桥连的钴镝异金属格子状离散型簇合物的组装方法。此类簇合物由钴氰根离子桥连1对DyIII离子而形成四方格子状的基本骨架，进而通过末端配体对此骨架形成配位保护，并衍生结构多样性。这类钴镝异金属格子的交流磁化率均表现出明显的磁弛豫行为，具备单分子磁体的典型特征，在分子基磁性材料领域具有潜在的应用价值。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.019 seconds)
