Patent search ap:("桂林电子科技大学") AND inv:"岑侦勇" Page 1

1.

发明公开
一种高居里温度铁酸铋基无铅压电陶瓷及其制备方法失效

公开(公告)号：CN102249659A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110162432.9

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 , 岑侦勇 , 周沁 , 杨华斌 , 成钧 , 袁昌来 , 陈国华

IPC: C04B35/40 , C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高居里温度铁酸铋基无铅压电陶瓷及其制备方法，它的组成通式为：（1-x-y）(BizM1-z)t(FeuM′1-u)O3–xBaTiO3–yBiMnO3，式中M为大离子半径的三价金属元素，M′为小离子半径的三价金属元素，x、y、u、t、z表示陶瓷体系中摩尔含量，其中0≤x≤1.0，0≤y≤0.1，0

2.

发明授权
一种可在高温条件下使用的钙钛矿型无铅压电陶瓷及其制备方法失效

公开(公告)号：CN102584194B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201210032443.X

申请日：2012-02-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨华斌 , 周昌荣 , 周沁 , 成钧 , 周秀娟 , 单旭 , 岑侦勇

IPC: C04B35/26 , C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种可在高温450℃以上环境使用的钙钛矿结构无铅压电陶瓷，用组成通式为：(1-x)BiMO3-x(Ba1-uCau)(Ti1-s-tZrsSnt)O3+yMe2O3；(1-x)Bi[M1-v(Me'1/2Me''1/2)v]O3-x(Ba1-uCau)(Ti1-s-tZrsSnt)O3+yMe2O3；(1-x)Bi[M1-v(Me'2/3M'1/3)v]O3-x(Ba1-uCau)(Ti1-s-tZrsSnt)O3+yMe2O3来表示，其中x、y、u、v、s、t表示摩尔分数，0

3.

发明公开
一种铋基钙钛矿型无铅压电陶瓷及其低温制备方法失效

公开(公告)号：CN102584195A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210032459.0

申请日：2012-02-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 , 杨华斌 , 周沁 , 袁昌来 , 陈国华 , 单旭 , 岑侦勇

IPC: C04B35/26 , C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种在900℃无压低温烧结的钙钛矿结构无铅压电陶瓷及制备方法，用组成通式为：(1-x)BiMeO3-xBa(Ti1-uZru)O3+Y，其中x、u表示摩尔分数，Y表示低温熔块。0

4.

发明授权
一种铋基钙钛矿型无铅压电陶瓷及其低温制备方法失效

公开(公告)号：CN102584195B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201210032459.0

申请日：2012-02-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 , 杨华斌 , 周沁 , 袁昌来 , 陈国华 , 单旭 , 岑侦勇

IPC: C04B35/26 , C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种在900℃无压低温烧结的钙钛矿结构无铅压电陶瓷及制备方法，用组成通式为：(1-x)BiMeO3-xBa(Ti1-uZru)O3+Y，其中x、u表示摩尔分数，Y表示低温熔块。0

5.

发明授权
一种高居里温度铁酸铋基无铅压电陶瓷及其制备方法失效

公开(公告)号：CN102249659B

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201110162432.9

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 , 岑侦勇 , 周沁 , 杨华斌 , 成钧 , 袁昌来 , 陈国华

IPC: C04B35/40 , C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高居里温度铁酸铋基无铅压电陶瓷及其制备方法，它的组成通式为：（1-x-y）(Bi1-zMz)t(FeuM′1-u)O3–xBaTiO3–yBiMnO3，式中M为大离子半径的三价金属元素，M′为小离子半径的三价金属元素，x、y、u、t、z表示陶瓷体系中摩尔含量，其中0

6.

发明公开
一种可在高温条件下使用的钙钛矿型无铅压电陶瓷及其制备方法失效

公开(公告)号：CN102584194A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210032443.X

申请日：2012-02-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨华斌 , 周昌荣 , 周沁 , 成钧 , 周秀娟 , 单旭 , 岑侦勇

IPC: C04B35/26 , C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种可在高温450℃以上环境使用的钙钛矿结构无铅压电陶瓷，用组成通式为：(1-x)BiMO3-x(Ba1-uCau)(Ti1-s-tZrsSnt)O3+yMe2O3；(1-x)Bi[M1-v(Me'1/2Me''1/2)v]O3-x(Ba1-uCau)(Ti1-s-tZrsSnt)O3+yMe2O3；(1-x)Bi[M1-v(Me'2/3M'1/3)v]O3-x(Ba1-uCau)(Ti1-s-tZrsSnt)O3+yMe2O3来表示，其中x、y、u、v、s、t表示摩尔分数，0

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