公开(公告)号：CN118479874A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410742789.1

申请日：2024-06-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨华斌 ,  罗秋玲 ,  陈巧红 ,  王雪婷 ,  朱佳铭 ,  盘小慧 ,  邱少鸿

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明涉及一种具有高温热稳定性的BF‑BT‑BKT‑BNT无铅压电陶瓷及其制备方法，旨在提供一种在高温环境下具有高温热稳定性和高压电性能的无铅压电陶瓷。本发明利用BNT的驰豫特性，以及BNT、BKT的A位复合价态阳离子，打断BF‑BT的长程有序性，获得具有靠近MPB成分附近、具有四方相、以及复合畴结构的BF‑BT‑BNT‑BKT陶瓷。在Tdr=382℃时，原位d33=687pC/N，同时Tc>450℃，具有较高的居里温度。

公开(公告)号：CN105503164B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201410548546.0

申请日：2014-10-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  杨玲 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  杨华斌 ,  周沁

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高绝缘铁酸铋基高温压电玻璃陶瓷复合材料及其制备方法，成分以通式BiFeO3+x(20Bi2O3‑30SiO2‑30CaO‑20ZrO2)+0.02Sc2O3或BiFeO3+x(35Bi2O3‑ 30SiO2‑25CaO‑10ZrO2) +0.05Sc2O3来表示，其中x表示摩尔分数，0 600°C，机械品质因数高于600，在高温压电传感器具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN103708817B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201310701728.2

申请日：2013-12-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  周秀娟 ,  杨涛 ,  杨华斌 ,  周沁 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  马家峰 ,  杨云

IPC: H01G7/06 ,  C04B35/26 ,  C04B35/468

Abstract: 本发明公开了一种高耐压无铅高温铁电陶瓷陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)BiFeO3-xBaTiO3+[5%Bi2O3+1%MnO2+0.5%ZnO+1%Nb2O5]，其中x表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN103803966A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310701726.3

申请日：2013-12-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  周沁 ,  杨华斌 ,  周秀娟 ,  杨涛 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  马家峰 ,  杨云

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)Bi2FeMnO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeNiO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCrO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCoO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5来表示，其中x表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN103692992A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310701817.7

申请日：2013-12-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨华斌 ,  苏成志 ,  黄滨 ,  吴伟刚 ,  马耀飞 ,  叶承能 ,  赵亚洲 ,  李金璨 ,  甘方瑜

IPC: B60R21/00

Abstract: 本发明公开了一种汽车防浸泡装置，包括浮力气囊、充气泵和车身固定绳，其特征是：浮力气囊为近似椭圆形的一体式环状气囊，该气囊与汽车的外轮廓形状一致，设有支撑卡座，卡座向外延伸部分与环状气囊叠接。本发明装置成本低、结构简单、操作方便、重量轻，占用空间小，可放在车后箱备用，具有实用操作性，能有效的防止汽车被水淹没。

公开(公告)号：CN102584194B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201210032443.X

申请日：2012-02-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨华斌 ,  周昌荣 ,  周沁 ,  成钧 ,  周秀娟 ,  单旭 ,  岑侦勇

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种可在高温450℃以上环境使用的钙钛矿结构无铅压电陶瓷，用组成通式为：(1-x)BiMO3-x(Ba1-uCau)(Ti1-s-tZrsSnt)O3+yMe2O3；(1-x)Bi[M1-v(Me'1/2Me''1/2)v]O3-x(Ba1-uCau)(Ti1-s-tZrsSnt)O3+yMe2O3；(1-x)Bi[M1-v(Me'2/3M'1/3)v]O3-x(Ba1-uCau)(Ti1-s-tZrsSnt)O3+yMe2O3来表示，其中x、y、u、v、s、t表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN101402523B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200810073872.5

申请日：2008-10-31

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  黄晋 ,  袁昌来 ,  杨华斌

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种复相NTC热敏陶瓷材料及其制备方法，它以BaCO3、SnO2和Bi2O3为主要原料，预先固相合成BaSnO3及BaBiO3坯料，二次混合球磨BaSnO3和BaBiO3坯料或在此混合坯料中掺杂微量Sb2O3和稀土元素氧化物后二次球磨，采用普通陶瓷制备工艺，在1100～1300℃下烧结成型。性能测试表明，本发明的复相NTC热敏陶瓷B值可以达到5000K以上，室温电阻率可降至200Ω·m。本发明制备工艺简单，物料损耗小，成本较低，所得产品可应用于测温、控温、自动增益调整、温度补偿等方面。

公开(公告)号：CN102584195A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210032459.0

申请日：2012-02-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  杨华斌 ,  周沁 ,  袁昌来 ,  陈国华 ,  单旭 ,  岑侦勇

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种在900℃无压低温烧结的钙钛矿结构无铅压电陶瓷及制备方法，用组成通式为：(1-x)BiMeO3-xBa(Ti1-uZru)O3+Y，其中x、u表示摩尔分数，Y表示低温熔块。0

公开(公告)号：CN102249678A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110162420.6

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨华斌 ,  周昌荣 ,  周沁 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了无铅无铋压电陶瓷，成分以通式(1-x)Ba(Cu1/4Me3/4)O3-x(Na1/2K1/2)NbO3+zMaOb、(1-x)Ba(Cu1/4Me3/4)O3-x(Na1/2Li1/2)NbO3+zMaOb、(1-x-y)Ba(Cu1/4Me3/4)O3-x(Na1/2K1/2)NbO3-yLiTaO3+zMaOb或(1-x-y-u-v)BaCu1/4Me3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2K1/2)NbO3-u(Na1/2Li1/2)NbO3-vLi(Nb,Sb)O3+zMaOb来表示，其中x、y、u、v和z表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN115073159B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202210912495.X

申请日：2022-07-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈巧红 ,  杨心怡 ,  杨华斌 ,  关士博 ,  王雪婷

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明公开了一种具有高居里温度及高压电性能的铁酸铋‑钛酸钡陶瓷及其低温含氧热压烧结制备方法，所述陶瓷的组成通式为：(1‑u)BiFeO3‑uBaTiO3+1.0mol%MnCO3+xmol%(Bi0.5Na0.25Li0.25)TiO3+ymol%Ba(W1/2Cu1/2)O3+zmol%B2O3，其中u、x、y和z表示摩尔分数，(Bi0.5Na0.25Li0.25)TiO3、Ba(W0.5Cu0.5)O3及B2O3为低温烧结助剂，且0.20≤u≤0.45，0＜x≤2.0，0≤y≤5.0，0≤z≤5.0。本方法通过添加烧结助剂，可在820℃‑920℃及25Mpa压力、在含氧气氛下条件下热压烧结成瓷。本发明降低了铁酸铋‑钛酸钡陶瓷的烧结温度、减少了Bi元素的挥发、提高了陶瓷的致密度和降低了陶瓷的介电损耗，获得了高压电性能、高居里温度及低介电损耗的无铅压电陶瓷。