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公开(公告)号：CN114230182A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111536211.3
申请日：2021-12-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂透明光电铌酸盐玻璃陶瓷材料及制备方法，所述玻璃陶瓷材料中包括具有钨青铜结构的RR′2Nb5O15晶体和具有正交结构的R′Nb2O6晶体（R=Na，K；R′=Ca，Sr，Ba），以及Yb2O3、Tm2O3、Er2O3、Ho2O3、Tb4O7和Eu2O3中的两种或多种稀土氧化物。其中各氧化物比例为：8～15mol%的R2O，20～27mol%的R′O，23～28mol%的SiO2，3～6mol%的Al2O3，5～9 mol%的B2O3，28～35mol%的Nb2O5,外加占上述氧化物总量0.3～3.1 mol%的混合稀土氧化物。本发明可以解决在宽温度范围内实现多模温度测量的问题，同时兼具高透光、光学测温和储能性能。
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公开(公告)号：CN108675786B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201810669000.9
申请日：2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种无铅压电微‑纳米线及其制备方法，材料组成为：Bi0.5Na0.5TiO3+0.15wt%LiBiO3+0.02%wtCeO2。用固相烧结法，结合热处理技术，生长无铅压电微‑纳米线，长度在3‑8μm，直径为100‑500nm，工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN107043253B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201710331201.3
申请日：2017-05-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/632 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种高极性无铅铁电半导体陶瓷，其特征在于，组成通式：(1‑x)Bi0.5Na0.5TiO3‑xBa0.9Sr0.1BiO3+0.05ZnO；其中x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.5。这种陶瓷用球磨混合添加分散剂以及等静压与微波烧结制备方法制备而成，该系列产品具有可调窄带隙Eg=2.0‑2.9eV，优良的铁电性能Pmax=15‑32μC/cm2，绿色环保。
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公开(公告)号：CN107032786B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201710330694.9
申请日：2017-05-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种同时具有高压电性能与高机械品质因数的低烧无铅压电陶瓷，其特征在于，组成通式为：(1‑x)(Bi0.5Na0.5)1‑2y(LiAl0.5Y0.5)yTiO3‑xBa(Ti0.9Mn0.1)O3+z(0.6BiVO4‑0.4CuO)来表示，其中x、y、z表示摩尔分数，0
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公开(公告)号：CN107032785B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201710330701.5
申请日：2017-05-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种可调窄带隙高极性无铅铁电陶瓷，组成通式为：(1‑x)Ba0.9Ca0.1TiO3‑xBaBiO3+0.06Bi2WO6；其中x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.3。这种陶瓷用多步合成方法，结合球磨混合添加分散剂以及等静压与微波烧结制备方法制备而成，该系列产品具有可调窄带隙Eg=1.2‑2.2eV，高的稳定性，优良的铁电性能Pmax=21‑35μC/cm2，绿色环保。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109004096A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810840601.1
申请日：2018-07-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L51/50
Abstract: 本发明涉及一种结构简单且高效率的蓝色荧光有机发光二极管，属于基本电气元件技术领域，该二极管包括依次层叠设置的衬底、阳极层、阳极界面层、空穴传输兼发光层、电子传输层、阴极界面层和阴极层。其中，空穴传输兼发光层由掺杂有1-4-二-[4-(N,N-二苯基)氨基]苯乙烯基苯的2-甲基-9,10-二(2-萘基)蒽制成。蓝色荧光有机发光二极管不但具有简单的结构，还具有较高的效率，克服了现有技术中多层结构有利于最终效率提高的技术偏见，可以被广泛应用于高效率有机发光显示和照明等领域。
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公开(公告)号：CN108675786A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810669000.9
申请日：2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/626
CPC classification number: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/62605 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3229 , C04B2235/3298 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/94 , C04B2235/96
Abstract: 本发明公开了一种无铅压电微‑纳米线及其制备方法，材料组成为：Bi0.5Na0.5TiO3+0.15wt%LiBiO3+0.02%wtCeO2。用固相烧结法，结合热处理技术，生长无铅压电微‑纳米线，长度在3‑8μm，直径为100‑500nm，工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN104944952B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201510301633.0
申请日：2015-06-05
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷及其制备方法，其中0.02≤x≤0.2，Re为La，Sm，Nd，Gd，Dy，Er，Y中的一种，R为Nb、Ta中的一种。先采用传统粉体合成技术合成Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3粉体，然后采用放电等离子烧结（SPS）技术制备Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷。本发明制备的具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度介于0.5~1.5 J/cm3之间。
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公开(公告)号：CN107129154A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710529826.0
申请日：2017-07-02
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于荧光温度探针的透明玻璃陶瓷材料及其制备方法，所述透明玻璃陶瓷材料为氧化物玻璃基体中含有均匀分布的掺杂了Yb3+和Er3+的NaZnPO4晶体，所述氧化物玻璃基体组成中至少包括了Na2O、ZnO、P2O5、B2O3和Sb2O3。所述透明玻璃陶瓷材料的制备原料中，各氧化物比例的优选值分别为：19～23mol％的Na2O；36～44mol％的ZnO；26～32mol％的P2O5；8～10mol％的B2O3；0.9～1.1mol％的Sb2O3；外加占上述氧化物总量0.5～1.5mol％的Yb2O3和0.02～0.08mol％的Er2O3。本发明公开的透明玻璃陶瓷材料是一种既有宽范围的测温区、同时保证足够的温度反应灵敏度的用于荧光温度探针的新型材料。
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公开(公告)号：CN104891988B
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201510244660.9
申请日：2015-05-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1‑xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中：0.03≤x≤0.3，M为(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的一种，(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Me为 Mg、Zn、Ni中的一种，(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Mb为Al、Co、Cr中的一种。方法采用高温高压烧结炉制备Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1‑xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度可达0.8~1.6 J/cm3。
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